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内存条的各项参数详解
1.何为内存模块 (Memory Module)? 内存模块是指一个印刷电路板表面上有镶嵌数个记忆体芯片chips,而这内存芯片通常是DRAM芯片,但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内存模块是安装在PC 的主机板上的专用插槽(Slot)上镶嵌在Module上DRAM芯片(chips)的数量和个别芯片(chips)的容量,是决定内存模块的设计的主要因素。 2.什么是Parity? 早先所使用的存储器数据检错方式是Parity Check,其是以每8比特增加1比特的方式进行检错。
所属分类:
嵌入式
发布日期:2009-11-30
文件大小:19456
提供者:
zrl20888
终极内存技术指南---内存学习必备
内存最全面的介绍了,对内存感兴趣的必下 讲完SDRAM的外在形式,就该深入了解SDRAM的内部结构了。这里主要的概念就是逻辑Bank。简单地说,SDRAM的内部是一个存储阵列。因为如果是管道式存储(就如排队买票),就很难做到随机访问了。 阵列就如同表格一样,将数据“填”进去,你可以把它想象成一张表格。和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储
所属分类:
嵌入式
发布日期:2009-12-06
文件大小:5242880
提供者:
longzexd
DDR内存芯片脚位定义
DDR内存芯片脚位定义
所属分类:
嵌入式
发布日期:2010-11-01
文件大小:913408
提供者:
jinshaoguang
内存 内存芯片 识别SDRAM和DDR SDRAM内存条 分类方法
认识内存条 内存芯片 识别SDRAM和DDR SDRAM内存条 了解内存的分类方法
所属分类:
专业指导
发布日期:2011-07-01
文件大小:675840
提供者:
qian129
为FPGA选取内存芯片
在FPGA上搭载NIOSII以实现嵌入式控制时需要考虑NIOSII的主频,同时为其搭配的内存芯片也需要考虑速度,简单的列出了一些参数
所属分类:
其它
发布日期:2011-09-12
文件大小:184320
提供者:
lostbooker
内存的原理和时序(SDRAM、DDR、DDR-Ⅱ、Rambus_DRAM)
第一章 SDRAM的原理和时序 1.1 SDRAM内存模组的物理Bank与芯片位宽 1.1.1 物理Bank 1.1.2 芯片位宽 1.2 SDRAM的逻辑Bank与芯片容量表示方法 1.2.1 逻辑Bank 与芯片位宽 1.2.2 内存芯片的容量 1.2.3 与芯片位宽相关的DIMM 设计
所属分类:
软件测试
发布日期:2012-04-05
文件大小:7340032
提供者:
tianshi227
S3C6410内存控制器以及内存芯片的初始化
当CPU上电复位之后,系统必须通过软件初始化DRAM内存控制器和连接到内存控制器的各个SDRAM内存芯片。 根据SDRAM芯片的数据手册内容进行启动过程代码的编写,下面给出了一些例子。
所属分类:
其它
发布日期:2012-11-17
文件大小:36864
提供者:
hssl88
用万用表测量内存芯片的方法
用万用表测量内存芯片的方法,免费使用的,好了评价一下。
所属分类:
专业指导
发布日期:2013-06-02
文件大小:4096
提供者:
yuyangbin2008
内存芯片检测
内存芯片检测
所属分类:
Microsoft
发布日期:2013-09-02
文件大小:433152
提供者:
u011932312
内存卡芯片厂家识别程序
能轻易识别内存卡所用的芯片厂家 其实网上也有不少这程序 很好找的
所属分类:
其它
发布日期:2013-09-30
文件大小:428032
提供者:
u011347358
kmq7x000sab315
DDR3内存芯片
所属分类:
硬件开发
发布日期:2016-10-09
文件大小:2097152
提供者:
pulua
Raspberry Pi 3树莓派内存芯片资料
树莓派3B上的内存芯片资料
所属分类:
嵌入式
发布日期:2017-05-08
文件大小:1048576
提供者:
u014516174
常见内存芯片命名
常见内存芯片命名: 三星(Samsung)内存 Hynix(Hyundai)现代 Micron(美光) Infineon(英飞凌) Winbond(华邦)...
所属分类:
硬件开发
发布日期:2018-05-28
文件大小:388096
提供者:
woshixiaoxuesheng
南亚(elixir)DDR内存芯片的命名规则.jpg
(转载的)南亚(elixir)DDR内存芯片的命名规则 DDR、DDR2、DDR3、DDr4代缓存颗粒命名可能有区别,向大佬求教 -图片转载网络,仅供参考,如有异议请联系。
所属分类:
电信
发布日期:2020-05-02
文件大小:71680
提供者:
dabingxixi
内存芯片参数介绍
具体含义解释: 例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含义: 第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4,代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-19
文件大小:68608
提供者:
weixin_38637093
美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片
美光科技公司(Micron Technology, Inc.)在3GSM世界大会上,面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新型1Gb移动DRAM内存芯片。美光科技将把新的1Gb移动DRAM内存芯片和1、2、4Gb NAND闪存芯片捆绑在一起,构成强大的内存组合。这种捆绑的移动DRAM和NAND封装通常被称为多芯片封装(MCP),能够为移动电话节省更多的空间,因而可以加入更多的功能或设计出更小巧的产品。 美光科技存储器事业部副总裁Brian Shirley说:“随着移动电话不断向呈现
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-03
文件大小:55296
提供者:
weixin_38617604
富士通两款2Mbit FRAM内存芯片上市
富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市,该产品号称为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。 富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存,具备高速资料写入、低功耗、大量写入周期等特点,适用于汽车导航系统、多功能打印机、测量仪器及其它需使用非挥发性内存来储存各种参数、记录设备操作条件与保存安全信息的各项高阶应用。 FRAM组件的高速资料写入和大量写入周期功能,非常适合办公设备中储存事件计数或参数,
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-01
文件大小:52224
提供者:
weixin_38621386
PCB技术中的内存芯片封装技术的发展
随着计算机芯片技术的不断发展和成熟,为了更好地与之相配合,内存产品也由后台走出,成为除CPU外的另一关注焦点。作为计算机的重要组成部分,内存的性能直接影响计算机的整体性能。而内存制造工艺的最后一步也是最关键一步就是内存的封装技术,采用不同封装技术的内存条,在性能上存在较大差距。只有高品质的封装技术才能生产出完美的内存产品。 封装技术其实就是一种将集成电路打包的技术。拿我们常见的内存来说,我们实际看到的体积和外观并不是真正的内存的大小和面貌,而是内存芯片经过打包即封装后的产品
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-10
文件大小:82944
提供者:
weixin_38548434
内存芯片封装技术“三级跳”
芯片的封装技术种类多种多样,诸如DIP、PQFP、TSOP、TSSOP、PGA、BGA、QFP、TQFP等等。 芯片的封装技术已历经好几代的变迁,技术指标一代比一代先进,如芯片面积与封装面积之比越来越接近,适用频率越来越高,耐温性能越来越好,引脚数增多、引脚间距减小,可靠性提高,更加方便等等,这都是看得见的变化。而从TSOP到TinyBGA、再到CSP,内存芯片封装技术实现了“三级跳”。 TSOP浮出水面 在20世纪70年代,芯片封装流行的还是双列直插封装,简称DIP(Dual l
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-13
文件大小:101376
提供者:
weixin_38685173
内存芯片封装技术的发展
随着计算机芯片技术的不断发展和成熟,为了更好地与之相配合,内存产品也由后台走出,成为除CPU外的另一关注焦点。作为计算机的重要组成部分,内存的性能直接影响计算机的整体性能。而内存制造工艺的一步也是关键一步就是内存的封装技术,采用不同封装技术的内存条,在性能上存在较大差距。只有高品质的封装技术才能生产出完美的内存产品。 封装技术其实就是一种将集成电路打包的技术。拿我们常见的内存来说,我们实际看到的体积和外观并不是真正的内存的大小和面貌,而是内存芯片经过打包即封装后的产品。这种
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:79872
提供者:
weixin_38543120
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