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  1. 红外控制原理红外遥控原理红外遥控原理

  2. 红外遥控原理 红外线遥控是目前使用最广泛的一种通信和遥控手段。由于红外线遥控装置具有体积小、功耗低、功能强、成本低等特点,因而,继彩电、录像机之后,在录音机、音响设备、空凋机以及玩具等其它小型电器装置上也纷纷采用红外线遥控。工业设备中,在高压、辐射、有毒气体、粉尘等环境下,采用红外线遥控不仅完全可靠而且能有效地隔离电气干扰。 1、 红外遥控系统 通用红外遥控系统由发射和接收两大部分组成。应用编/解码专用集成电路芯片来进行控制操作,如图1所示。发射部分包括键盘矩阵、编码调制、LED红外发送器;接
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2010-03-24
    • 文件大小:62464
    • 提供者:EZHAN123
  1. 用单片机控制直流电机毕业设计论文

  2. 用单片机控制直流电机 摘要 本设计以AT89C51单片机为核心,以4*4矩阵键盘做为输入达到控制直流电机的启停、速度和方向,完成了基本要求和发挥部分的要求。在设计中,采用了PWM技术对电机进行控制,通过对占空比的计算达到精确调速的目的。 一、 设计方案比较与分析: 1、电机调速控制模块: 方案一:采用电阻网络或数字电位器调整电动机的分压,从而达到调速的目的。但是电阻网络只能实现有级调速,而数字电阻的元器件价格比较昂贵。更主要的问题在于一般电动机的电阻很小,但电流很大;分压不仅会降低效率,而且实
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2010-06-18
    • 文件大小:380928
    • 提供者:xuejixing1314
  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题,还讲解了关于面试的问题该如何解答,对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2019-10-12
    • 文件大小:664576
    • 提供者:fromnewword
  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电,因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题,希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截
  3. 所属分类:讲义

    • 发布日期:2019-08-18
    • 文件大小:628736
    • 提供者:maosheng007
  1. 判断三极管的3个工作区

  2. 三极管的三种状态也叫三个工作区域,即:截止区、放大区和饱和区。 (1)、截止区:三极管工作在截止状态,当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压,发射结没有导通集电结处于反向偏置,没有放大作用。 (2)、放大区:三极管的发射极加正向电压(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),集电极加反向电压导通后,Ib控制Ic,Ic与Ib近似于线性关系,在基极加上一个小信号电流,引起集电极大的信号电流输出。 (3)、饱和区:当三极管的集电结电流IC增大到一定程度时,再增大Ib,Ic也不会增大,超出了
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-14
    • 文件大小:51200
    • 提供者:weixin_38538021
  1. 关于三极管使用方法说明

  2. 三极管最基本的作用是放大作用,它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。 1. 三极管工作状态的判断方法:  分析电路时,判断三极管的功能,如果能够知道该三极管三个管脚的电压和该三极管起得作用(放大还是开关),。对于NPN而言,如果Uc》Ub》Ue,该管处于放大状态,放大一定的电流,一般是在模拟电路中起了作用(此时Uce之间的电压是不确定的);如果Ub》Ue,Ub》Uc,该管处于饱和状态,c-e之间导通,其管压降为0.3-0
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-13
    • 文件大小:153600
    • 提供者:weixin_38692202
  1. 元器件应用中的三极管饱和和深度饱和状态的理解和判断

  2. 本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。   三极管饱和问题总结:   1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。   2.集电极电阻 越大越容易饱和;   3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制   问题:基极电流达到多少时三极管饱和?   解答:这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:271360
    • 提供者:weixin_38707192
  1. 基础电子中的三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断!

  2. 三极管饱和问题总结:   1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。   2.集电极电阻 越大越容易饱和。   3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制。   问题:基极电流达到多少时三极管饱和?   解答:这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的:假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:278528
    • 提供者:weixin_38539018
  1. 三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断!

  2. 三极管饱和问题总结:   1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。   2.集电极电阻 越大越容易饱和。   3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制。   问题:基极电流达到多少时三极管饱和?   解答:这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的:假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:300032
    • 提供者:weixin_38504417