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  1. SDH基础理论概述及维护知识

  2. 第一部分理论概述及传输基础维护知识 1 第一章SDH原理 1 第一节SDH概述 1 1.1SDH产生的技术背景 1 1.2与PDH相比SDH有哪些优势 4 1.3SDH的缺陷所在 6 第二节SDH信号的帧结构和复用步骤 8 2.1SDH信号STM-N的帧结构 8 2.2SDH的复用结构和步骤 10 2.3映射、定位和复用的概念 19 第三节开销和指针 23 3.1开销 23 3.2指针 31 第四节SDH设备的逻辑组成 35 4.1SDH网络的常见网元 35 4.2SDH设备的逻辑功能块 37

  3. 所属分类：网络基础

    • 发布日期：2009-04-17
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：ericyb

  1. 功率器件概述

  2. 涉及功率器件各个方面，MOS、IGBT的工作机理与历史回顾

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2014-07-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：wxunyang

  1. 基础电子中的开关电源拓扑结构概述

  2. 主回路—开关电源中，功率电流流经的通路。主回路一般包含了开关电源中的开关器件、储能器件、脉冲变压器、滤波器、输出整流器、等所有功率器件，以及供电输入端和负载端。 　　开关电源（直流变换器）的类型很多，在研究开发或者维修电源系统时，全面了解开关电源主回路的各种基本类型，以及工作原理，具有极其重要的意义。 　　开关电源主回路可以分为隔离式与非隔离式两大类型。 　　1. 非隔离式电路的类型： 　　非隔离——输入端与输出端电气相通，没有隔离。 　　1.1. 串联式结构 　　串联——在主回路中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：175104
    • 提供者：weixin_38748556

  1. 基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案

  2. 导读：介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。 　　1.概述 　　功率MOSFET最初是从MOS集成电路发展起来的，它通过增加源漏横向距离提高器件耐压，从而实现集成电路中高压驱动[1].功率MOSFET已大量应用于电力电子，消费电子、汽车电子和水声工程等领域。虽然功率MOSFET具有效率高、结构简单、便于数字化控制等优点，但是其采用的电力电子器件对过压过流的承受能力较差

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：450560
    • 提供者：weixin_38714509

  1. 电源技术中的概述新一代场截止阳极短路IGBT

  2. 随着功率电子和半导体技术的快速进步，各类电力电子应用都开始要求用专门、专业的半导体开关器件，以实现成本和性能的共赢。与传统的非穿通（NPT） IGBT相比，场截止（FS） IGBT进一步降低了饱和压降和开关损耗。此外，通过运用阳极短路（SA）技术在IGBT裸片上集成反向并联二极管这项相对较新的技术，使得FS IGBT非常适合软开关功率转换类应用。 　　场截止阳极短路沟道IGBT与NPT IGBT的对比 　　虽然NPT（非穿通）IGBT通过减少关断过渡期间少数载流子注入量并提高复合率而提高了开

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：208896
    • 提供者：weixin_38633083

  1. EDA/PLD中的基于混合信号FPGA的功率管理解决方案

  2. 概述 　　Actel Fusion? 混合信号FPGA能够实现功率管理，包括上电顺序、运行时间功率监控，以及关机控制。此外，爱特公司提供的混合信号功率管理工具(Mixed-Signal Power Manager, MPM)参考设计，更可在如AFS090的小型Fusion器件上演示各种可配置的功率管理功能。 　　MPM演示工具(包括MPM图形用户界面(GUI))目前可与Fusion先进开发工具套件共享。 　　特性和优势 　　MPM演示工具设计充分发挥了Actel Fusion混合信号FP

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：206848
    • 提供者：weixin_38529293

  1. 电源技术中的VIPER28低待机功率开关电源转换器原理与应用

  2. 摘要：VIPER28是ST公司生产的一种集PWM控制器和800V高压功率MOSFET于同一芯片上的离线转换器，待机功率低于50mW，适用于机顶盒、DVD播放机、录音机开关电源和低/*率适配器以及ATX、消费类与家用设备的辅助电源和LED照明电源。 　　1、概述 　　意法半导体（ST）公司推出的离线（off-line）高压变换器系列IC又增加了一个新的成员——VIPER28。这种新型器件是一种将800V功率MOSFET和高性能低压PWM控制器组合在一起的IC。VIPER28其它功能和电路主要有

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：347136
    • 提供者：weixin_38665411

  1. 通信与网络中的小功率VHF无线通信接收器MICRF004及其应用

  2. 1 概述 　　MICRF004 是Micrel公司最新推出的小型单片无线通信接收器集成电路。它是为甚高频段（VHF频段）的无线通信应用而专门设计的无线接收器件。利用 MICRF004可真正实现单片化“无线输入、数据输出”功能。所有射频（RF）和中频（IF）的调整均可在器件内部自动完成，因而可极大地降低开发成本，缩短产品市场化的进程。另外，由于MICRF004的效率和可靠性都非常高。所以，它是目前无线通信应用领域成本最低的单片解决方案。 　　MICRF004 的使用非常方便。它可以提供固定和扫

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38726712

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的XPower 概述

  2. CMOS器件的功耗包括静态（直流DC）功耗和动态（AC开关）功耗。通常CMOS器件的静态功耗都比较低，而且该参数也比较好测量，因为其功耗主要来源于CMOS电路开关效应所产生的动态功率损耗。XPower计算功耗时,为每个时序部件（LUT、FF、BRAM及DLL等）及布线建立一个电容模型，然后根据用户设置的时钟和输入信号开关频率、同步元件的开关效应、特定器件的电容、静态功耗和其他数据估算FPGA的功耗。准确估算功率的关键是获得准确的信号翻转率数据。经过布局布线后，XPower工具将各个部件的功耗及网

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38711972

  1. IGBT及其子器件的几种失效模式

  2. 摘要：本文通过案例和实验，概述了四种IGBT及其子器件的失效模式：MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。 　　关键词：栅击穿 阈值电压漂移  积累损伤  硅熔融 1、  引言 　　IGBT及其派生器件，例如：IGCT，是MOS和双极集成的混合型半导体功率器件。因此，IGBT的失效模式，既有其子器件MOS和双极的特有失效模式，还有混合型特有的失效模式。MOS是静电极敏感器件，因此，IGBT也是静电极敏感型器件，其

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：320512
    • 提供者：weixin_38684328

  1. 电源技术中的大功率高频软开关逆变焊机概述

  2. 摘要：介绍了一种利用软开关技术实现的逆变焊机的设计方案及工作原理，该技术降低了功率器件的开关损耗，提高了逆变焊机的效率。关键词：软开关；逆变；逆变焊机；零压开关；零流开关；全桥 O 引言　　逆变焊机技术经历了近十年的发展，逐步替代了落后的工频晶闸管整流技术而进入了高频变换时代。在高频变换技术进程中又走过了它的初级阶段即硬开关PWM阶段，于近年进入了它的第二阶段，即软开关PWM阶段。　　硬开关PWM变换器的拓扑结构简单。技术成熟，适合批量生产。其主要芯片如TL494、UC3525等都比较稳定可

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：370688
    • 提供者：weixin_38686080

  1. 模拟技术中的立体声3W音频功率放大器MAX9760

  2. 摘要：MAX9760是一种3W BTL立体声／200mW立体声头载耳机放大器单片IC。该器件可利用4.5～5.5V无线性稳压器的噪声电源工作，并通过I2C相容的２线串行接口控制。文中介绍了MAX9760的结构、主要功能、特点，给出了MAX9760的典型应用电路。     关键词：立体声3W BTL/200mW耳机 功放IC MAX9760 １　概述 美国美信公司生产的ＭＡＸ９７６０是一种３Ｗ（＠ＲＬ＝３Ω）桥接负载（ＢＴＬ）立体声扬声器功率放大器和２００ｍＷ（＠ＲＬ＝１６Ω）立体声头载耳

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：104448
    • 提供者：weixin_38651983

  1. 模拟技术中的大电流型功率放大器PA04及其应用

  2. 摘要：PA04是美国APEX公司生产的一种大电流型功率放大器，它具有工作电压高、输出电流大、转换速率高、失真低等特点。文中结合该器件的管脚特性及典型应用，详细介绍了PA04的工作原理以及外围器件选取时应注意的一些问题。     关键词：大电流；功率放大器；增强电压输入；休眠；PA04 １　概述 ＰＡ０４是美国ＡＰＥＸ公司推出的一种场效应管功率运算放大器，它具有工作电压高（２００Ｖ）、输出电流大（２０Ａ）、高转换速率（５０Ｖ／μｓ）、低失真等特点。 ＰＡ０４的使用很灵活。休眠方式可保护整

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38696336

  1. 微波功率器件材料的发展和应用前景

  2. 1 概述 有Ge、Si、Ⅲ-V化合物半导体等材料制成的工作在微波波段的二极管、晶体管称为微波器件。微波即波长介于1m~1mm之间的电磁波，相应频率在300MHz~300GHz之间，表1是常用波段的名称及相应的频率范围。 微波半导体器件在微波系统中能发挥各方面性能，归纳起来，即在微波功率产生及放大，控制、接收三个方面。而微波功率器件要求有尽可能大的输出功率和输出效率及功率增益。 进入20世纪90年代后，由于MOCVD(金属有机化学气相淀积)和MBE(分子束外延)技术的发展，以及化合物材料

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：160768
    • 提供者：weixin_38704786

  1. 半导体材料概述

  2. 半导体材料是电子工业的重要基础材料。从五十年代后期开始半导体材料及其工艺设备的研制，是我国半导体和红外材料的主要研究、开发、生产基地，为国家电子信息工业和国防建设做出了重大贡献。　　主要研究领域有：　　　　※ 用于超大规模集成电路的优质直拉大直径硅单晶及抛光片　　※ 用于外延衬底的重掺杂直拉硅单晶及抛光片　　※ 功率器件用大直径区熔硅单晶及晶片　　※ 用于超高速电路的半绝缘砷化镓单晶及晶片　　※ 多种用途的水平砷化镓单晶及晶片　　※ 应用于光电子等领域的磷化镓、磷化铟、锑化镓、砷化铟单晶及晶片　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：34816
    • 提供者：weixin_38518885

  1. 单片机与DSP中的新型高速无线射频器件nRF24L01及其应用

  2. 1 nRF24L01概述nRF24.L01是一款新型单片射频收发器件,工作于2.4 GHz～2.5 GHz ISM频段。内置频率合成器、功率放大器、晶体振荡器、调制器等功能模块,并融合了增强型ShockBurst技术，其中输出功率和通信频道可通过程序进行配置。nRF24L01功耗低,在以-6 dBm的功率发射时，工作电流也只有9 mA；接收时，工作电流只有12.3 mA，多种低功率工作模式(掉电模式和空闲模式)使节能设计更方便。nRF24L01主要特性如下：GFSK调制：硬件集成OSI链路层；具

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：211968
    • 提供者：weixin_38674569

  1. 模拟技术中的音频功率放大器NCP2890的原理与应用

  2. 摘要：介绍了安森美半导体(On Semi)公司Ａ－Ｂ类音频功率放大器NCP2890的主要性能特点和基本工作原理，给出了用NCP2890设计音频功放的典型应用电路和设计方法。 关键词：NCP2890；A-B类；音频放大器 １　概述 ＮＣＰ２８９０是安森美半导体(Ｏｎ Ｓｅｍｉ)公司推出的经济高效、功能齐备的音频系列产品中的第一款音频功率放大器，它是专为手机和ＰＤＡ等电池供电的无线设备而设计生产的，是一种质量非常优秀的无线应用Ａ－Ｂ类音频功率放大器，可为客户提供卓越的音频性能。该器件在具有出众的电源

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：139264
    • 提供者：weixin_38656989

  1. 高功率碱金属蒸汽激光器在地球同步卫星发射中的应用

  2. 半导体激光抽运碱金属蒸汽激光器(DPAL)，可以提供高功率、高效率、近衍射极限的近红外连续激光输出，具有较其它传统高功率激光器更好的综合性能。其发射波长近大气传输窗口，且与半导体光电转换器件的高效吸收波长吻合，因此以DPAL为光源的太空激光传能系统在航空航天领域中具有很好的应用前景。首先概述DPAL的基本原理和结构，并对其作为能源用于同步地球卫星发射任务的方式和优势做了简要讨论。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38723461

  1. 基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案

  2. 导读：介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。 　　1.概述 　　功率MOSFET初是从MOS集成电路发展起来的，它通过增加源漏横向距离提高器件耐压，从而实现集成电路中高压驱动[1].功率MOSFET已大量应用于电力电子，消费电子、汽车电子和水声工程等领域。虽然功率MOSFET具有效率高、结构简单、便于数字化控制等优点，但是其采用的电力电子器件对过压过流的承受能力较差，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：441344
    • 提供者：weixin_38722164

  1. 开关电源拓扑结构概述

  2. 主回路—开关电源中，功率电流流经的通路。主回路一般包含了开关电源中的开关器件、储能器件、脉冲变压器、滤波器、输出整流器、等所有功率器件，以及供电输入端和负载端。 　　开关电源（直流变换器）的类型很多，在研究开发或者维修电源系统时，全面了解开关电源主回路的各种基本类型，以及工作原理，具有极其重要的意义。 　　开关电源主回路可以分为隔离式与非隔离式两大类型。 　　1. 非隔离式电路的类型： 　　非隔离——输入端与输出端电气相通，没有隔离。 　　1.1. 串联式结构 　　串联——在主回路中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：207872
    • 提供者：weixin_38744902
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