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搜索资源列表

  1. 现代半导体器件物理

  2. 《半导体器件物理》由浅入深、系统地介绍了常用半导体器件的工作原理和工作特性。 　　为便于读者自学和参考，《半导体器件物理》首先介绍了学习半导体器件必需的半导体材料和半导体物理的基本知识；然后重点论述了PN结、双极性三极管、MOS场效应管和结型场效应管的各项性能指标参数及其与半导体材料参数、工艺参数及器件几何结构参数的关系：最后简要讲述了常用的一些其他半导体器件(如功率MOSFET、IGBT和光电器件)的原理及应用。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-04-01
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：hh2513

  1. 塞米控半导体应用手册中文版

  2. 建立在德国赛米控公司专业知识的基础和经验上，我们向您推荐这本技术先进的应用手册。它站在 用户的角度上，去了解IGBT、 MOSFET功率模块以及零散或集成的二极管和晶闸管(可控硅)。详细 介绍了它们的基本数据，参数性能和实际应用，比如冷却，布线，控制，保护，并联和串联连接和 使用拓扑技术的晶体管模块作为软开关的应用。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-01-22
    • 文件大小：19922944
    • 提供者：no_lisp

  1. 电路原理教学视频(完）-百度网盘地址.txt

  2. 电路原理-清华大学-于歆杰、朱桂萍、陆文娟等 docs[09D11692].rar │ srt[3391CCD7].rar │ 免责声明.txt │ 抓取档目录结构.txt │ 课程介绍及抓取说明.txt │ 课程封面图-电路原理.jpg │ 课程简介-电路原理.mp4 │ ├─第0周 数学基础，什么是电路？ (Math basics, what is the circuit) │ ├─第0讲 数学基础知识（Math basics for circuits） │ │ 0 数学基础知识（Math

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2019-05-26
    • 文件大小：378
    • 提供者：drjiachen

  1. 直流电源驱动电机的介绍和传感器与无传感器设计及控制BLDC线圈的概述.doc

  2. 历史上，从直流电源驱动电机的唯一方法是使用通常由石墨制成的“电刷”在转子转动时将电力传导到转子上的触点。这些电刷整流（即颠倒了电流的表观极性），尽管使用直流电而不是交流波形，仍然保持电机转动。因此，电动机成为将施加的直流变为交流波形的开关控制。 这项技术当然在数十亿台电机中起作用，从小到大，但也有不可避免的缺点： 刷子由于机械接触而磨损，因此必须定期更换。 电刷和触点之间的接通/断开/接通电流是电磁干扰（EMI）的一个重要来源（如果您查看大多数有刷电机的通风孔，则会看到火花），而且在爆炸性环境

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-23
    • 文件大小：314368
    • 提供者：weixin_39841882

  1. 矽瑞微科-MOS-CR12N65.pdf

  2. 矽瑞微科-MOS-CR12N65pdf,场效应管 CR12N65的规格书，介绍了包含特点、应用、参数、特性尺寸、机械封装等维度的信息。然深圳面微科电千有眼公 TEL0755-83953497 FA:0755-83953597 N沟道功率Mos管 N-CHANNEL POWER MOSFET ●特性曲线 150 30V V=10y sc.am:45￥ 十口!二二+二 子十 二二二+1 s叶一 1250PT 2T=2c ′ce:T=25c Drain arren Vre, Drain- Source

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：330752
    • 提供者：weixin_38743602

  1. (TI) 认识开关型电源中的BUCK-BOOST.pdf

  2. (TI) 认识开关型电源中的BUCK-BOOSTpdf,开关电源由功率级和控制电路组成，功率级完成从输入电压到输出电压的基本能量转换，它包括开关和输出滤波器。这篇报告只介绍降压–升压（buck-boost）功率级，不包含控制电路。详细介绍了工作在连续模式和非连续模式下buck-boost功率级的稳态和小信号分析，同时也介绍了标准buck-boost功率级的不同变型，并讨论了功率级对组成部件的要求。中 TEXAS STRUMENTS www.ti.com.cn Buck- Boost级稳态分析 2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 常用于APFC的软开关BOOST电路的分析与仿真.pdf.pdf

  2. 常用于APFC的软开关BOOST电路的分析与仿真.pdfpdf,常用于APFC的软开关BOOST电路的分析与仿真.pdfamiem12nsn-81q1) 0 00 M tEl 从图上可以看到 1,MOS管在开通时,可以看到 miller效应在驱动信号上造成的平台。 2,当M管开通时,在MoS的漏极和二管上产生很大的尖峰电流 从仿真结果来看,的确存在我们前面分析的容性开通、反向恢复等问题。 那么软开关就能解决这个问题吗? 下面我们先推出今天的第一个软开关的例子 此电路是我以前分析一华为通信电源模块

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 新型MOSFET在升压变换器中减少开关损耗的解决方案

  2. 在开关电源设计中，效率是一个关键性的参数。输入和输出滤波电容器、变压器磁芯的几何图形与特性及开关器件等，都会影响系统的效率。为减小滤波电容和磁性元件的尺寸，开关电源的频率在不断提高。因此，功率器件的开关损耗在整个系统损耗中占有更大的比重。本文回顾了升压型变换器的基本工作原理，作为QFET的一个应用实例，介绍了FQP10N20型QFET在70W彩色监视器升压变换器电源中作为开关使用的优点。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：56320
    • 提供者：weixin_38594252

  1. 功率Mosfet参数介绍

  2. 该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。定义IDM的目的在于：线的欧姆区。对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-10
    • 文件大小：217088
    • 提供者：weixin_38538312

  1. 基于UCC29950的LLC谐振半桥电源的设计

  2. LLC谐振半桥变换器可以在宽电压范围内全负载条件下实现软开关，在整个工作过程中，实现初级MOSFET的零电压开关（ZVS）和次级整流二极管零电流开关（ZCS）。因此可以达到较高的效率和功率密度，而且在负载和输入电压范围变化较大的情况下，其开关频率变化较小。文中首先分析了LLC谐振半桥变换器的工作原理，并基于TI公司的UCC29950芯片设计了一种300 W电源样机，该芯片集成了PFC和LLC控制器。文章重点介绍了LLC谐振半桥变换器的参数设计，实验结果表明该电源性能优良。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：859136
    • 提供者：weixin_38604330

  1. 深入理解功率MOSFET数据表中的各个参数

  2. 本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全，只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数，以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：534528
    • 提供者：weixin_38734492

  1. 电源技术中的基于UC3845的反激式开关电源设计

  2. 摘 要：本文设计了一种基于UC5845控制器的反激式开关电源电路，给出了电路及参数设计与选择过程。 　　实践证明，基于UC3845的反激式开关电源具有输入电压范围宽、输出电压精度高、负载的调整效率高等特点。 　　0 引言 　　反激式开关电源以其结构简单、元器件少等优点在自动控制及智能仪表的电源中得到广泛的应用。开关电源的调节部分通常采用脉宽调制（PWM）技术，即在主变换器周期不变的情况下，根据输入电压或负载的变化来调节功率MOSFET管导通的占空比，从而使输出电压稳定。脉宽调制的方法很多，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：318464
    • 提供者：weixin_38674415

  1. MOSFET的选型及应用概览

  2. MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用MOSFET产品的行业在近几年来得到了快速的发展，功率MOSFET更是备受关注。本期半月谈将会从基础开始，探讨MOSFET的一些基础知识，包括选型、关键参数的介绍、系统和散热的考虑等等；最后还会就一些最常见的热门应用为大家做一些介绍。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：453632
    • 提供者：weixin_38749305

  1. 深入理解功率MOSFET数据表

  2. 在汽车电子的驱动负载的各种应用中,最常见的半导体元件就是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：528384
    • 提供者：weixin_38643127

  1. 包含热模型的新型MOSFET PSPICE模型

  2. 功率转换器的功率密度越来越高，发热问题越来越严重，这种功率转换器的设计对现代大功率半导体技术提出了新的挑战。因而热问题的优化设计和验证变得比大功率器件的电模型更加重要，本文提出一种新的Pspice模型，可以利用它计算MOSFET芯片在瞬变过程中的温度。本文提出的模型中所需要的热阻可以从制造商提供的产品使用说明书得到。本文介绍MOSFET的一种新的PSPICE 等效热模型，这个模型提供发热和电气参数之间的动态关系。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：432128
    • 提供者：weixin_38749895

  1. 模拟技术中的瑞萨电子高压MOS在进行产品开发时的注意要点

  2. 本文主要介绍瑞萨电子（又称：Renesas注1)高压MOS在客户电源等产品开发时的选型以及特性的说明，为客户的产品开发提供参考性的设计意见。 　　MOSFET以其电压控制、开关频率高、开关速度快等优点，广泛应用于电源等产品中。Renesas高压MOS涵盖漏源电压（VDSS）等级600V、800V、900V、1400V，具有极低的RDS(ON)和丰富的封装系列，应用十分广泛。 　　MOSFET最重要的两个参数是漏源电压（VDSS）和导通电阻RDS(ON)。电流值和最大耗散功率值必须仔细观察，因

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：137216
    • 提供者：weixin_38550137

  1. 电源技术中的采用TOPSwitch的单端正激式电源的电路分析与设计

  2. 摘要：介绍了一种用TOPSwitch器件设计的新颖单端正激式电源电路。详细分析了其电路设计方法，给出了主要参数的计算及实验波形。 关键词：三端离线PWM开关；正激变换器；高频变压器设计 引言 TOPSwitch是美国功率集成公司（PI）于20世纪90年代中期推出的新型高频开关电源芯片，是三端离线PWM开关（ThreeterminalofflinePWMSwitch）的缩写。它将开关电源中最重要的两个部分——PWM控制集成电路和功率开关管MOSFET集成在一块芯片上，构成PWM/MOSFE

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：87040
    • 提供者：weixin_38667920

  1. 电源技术中的基于TOPSwitch的反激变流器反馈电路的优化设计

  2. 摘 要：介绍了利用TOPSwitch构成的反激变流器．井从传递函数补偿的角度分析了反馈电路的设计方法。通过反馈电路结构和参数的调整，变流器的输出电压纹波大幅度减小，抗干扰性能得到了加强，效率有所提高。关键词：单片开关电源；反激；反馈：传递函数 0 引言近年来，中小功率的开关电源向着单片集成化的方向发展。1997年，美国功率集成公司(Power Integration Inc，简称PI公司)推出三端单片电源TOPSwitch-II系列。该系列产品将MOSFET和控制电路集成在一起，不仅提高了电源效

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38608873

  1. 基于TOPSwitch的反激变流器反馈电路的优化设计

  2. 摘要：介绍了利用TOPSwitch构成的反激变流器，并从传递函数补偿的角度分析了反馈电路的设计方法。通过反馈电路结构和参数的调整，变流器的输出电压纹波大幅度减小，抗干扰性能得到了加强，效率有所提高。关键词：单片开关电源；反激；反馈；传递函数0   引言   近年来，中小功率的开关电源向着单片集成化的方向发展。1997年，美国功率集成公司（PowerIntegrationInc，简称PI公司）推出三端单片电源TOPSwitch—II系列[1]。该系列产品将MOSFET和控制电路集成在一起，不仅提高

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：152576
    • 提供者：weixin_38750761

  1. 功率MOSFET的参数那么多，实际应用中该怎么选？

  2. 功率 MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型。 　　由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外，这里的功率 MOSFET 应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用。 　　功率 MOSFET 的分类及优缺点 　　和小功率 MOSFET 类似，功率 MOSFE

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38543293
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