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半导体制造技术
《半导体制造技术》详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料,学术界和工业界对《半导体制造技术》的评价都很高。全书共分20章,根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节,包括与半导体制造相关的基础技术信息;总体流程图的工艺模型概况,用流程图将硅片制造的主要领域连接起来;具体讲解每一个主要工艺;集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外,各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题,这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。
所属分类:
制造
发布日期:2013-05-06
文件大小:37748736
提供者:
u010586901
半导体工艺技术全介绍
详细描述了半导体工艺技术,入门介绍 详细描述了半导体工艺技术,入门介绍
所属分类:
嵌入式
发布日期:2019-02-08
文件大小:5242880
提供者:
mrliuqh
半导体工艺技术
半导体工艺精选篇
所属分类:
专业指导
发布日期:2016-04-06
文件大小:4194304
提供者:
womvp1314
微影技术日益精进 半导体工艺持续成长
半导体工业在光学微影技术的帮助下,长期形成持续且快速的成长态势,但光学微影在面对更精密的制程已开始出现应用瓶颈,尤其在小于0.1微米或更精密的制程,必须使用先进光学微影或非光学微影术予以克服。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-28
文件大小:112640
提供者:
weixin_38669618
元器件应用中的今年半导体器件类/应用类/工艺技术的亮度与商机有哪些?
刚刚过去的2015年,可以用惨淡二字来形容整个半导体市场,Gartner分析指出,受手机、电脑等主要电子产品需求疲弱、美元强势及库存升高等因素的影响,2015年全球半导体总营收预估为3,337亿美元,较2014年的3,403亿美元减少1.9%。而SIA 2月1日的数据显示全球半导体2015年营收是3352亿美元,比最高纪录的2014年略微下降了0.2个百分点。总是都是下降但是幅度大小不一。 不过从环比来看,形势很严峻,2014年12月销售276.2亿美元,比2014年同期减少5.2% ,比
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-16
文件大小:145408
提供者:
weixin_38742656
元器件应用中的安森美半导体GaN晶体管——追求更快、更智能和更高能效
第三代半导体材料——氮化镓(GaN),作为时下新兴的半导体工艺技术,提供超越硅的多种优势。与硅器件相比,GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃,广泛应用于功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC等电源系统设计,以及电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等终端领域。为了满足市场对GaN的需求,安森美半导体与Transphorm联合推出第一代Cascode GaN,共同推动GaN市场的发展。 GaN的优势 从表1可见,GaN具备出色的击穿能力
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-16
文件大小:210944
提供者:
weixin_38621272
电源技术中的运用多相数字电源解决方案应对系统问题
从属设备在收到停止"信号时立即处置并执行命令。结语 毫无疑问,为了减少响应时间及处置器开销。随着数字控制技术的发展和市场需求的驱动,电源领域里数字电源的优势将会越来越明显,但从模拟电源到数字电源的完全转换还需要很 长时间,因此模拟和数字控制技术将在未来数年内共存。数字电源技术为电源设计领域注入了新的活力,同时也对电源设计人员提出了更高的要求。如何在激进技术 基础上不断创新,进而设计出满足未来市场需求的电源系统将成为电源设计人员必需面对的新课题。 电路板上的元器件运行速度更快、体积更小,随着
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-23
文件大小:134144
提供者:
weixin_38548394
模拟技术中的简介一种USB IP核的设计方案及FPGA验证
1 引 言 USB ,是英文Universal Serial BUS(通用串行总线)的缩写,而其中文简称为“通串线,是一个外部总线标准,用于规范电脑与外部设备的连接和通讯。是应用在PC领域的接口技术。USB接口支持设备的即插即用和热插拔功能。USB是在1994年底由英特尔、康柏、IBM、Microsoft等多家公司联合提出的。 USB(Universal Serial Bus)具有以下特点:即插即用、广泛的软硬件支持、低功耗、可选择的多种速度模式、完备的总线拓扑结构。随着半导体工艺技术
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:199680
提供者:
weixin_38673921
电源技术中的基于MOSFET在电源转换领域中的设计与应用
自1976年开发出功率MOSFET以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V;低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开发出各种贴片式功率MOSFET(如Siliconix最近开发的厚度为1.5mm"Little Foot系列)。另外,价格也不断降低,使应用越来越广泛,不少地方取代双极型晶体管。 多年来许多制造商持续推出了许多代功率MOSFET产品。30年多来,基准基本上每年都会更新。至
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:236544
提供者:
weixin_38501826
印刷电路板技术发展趋势
半导体不断精缩工艺,许多原本需使用多个离散封装组件才能构成的电路,而今已能用1个高整合度的芯片来取代,因此有些人逐渐看淡印刷电路板技术发展。理论是如此,但实际发展却与理论相左…… 有些人认为,印刷电路(中国内地方面称为:印制电路)板的技术将愈来愈不重要,主要理由有2:1是随着半导体工艺技术的不断提升,原本需要多颗芯片才能实现的功效,而今只要1、2颗整合型芯片即可完成,例如过去需要用芯片组(Chipsets)才能实现的电路,而今可用系统单芯片(System-on-a-Chip;SoC)来实现,如
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-21
文件大小:72704
提供者:
weixin_38685831
安森美推出获ONC18 180纳米工艺技术认证的电路模块
导读:推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出专有ONC18 180纳米(nm)工艺技术上的经过认证的新的知识产权(IP)。 经过认证的这些新款电路模块将帮助安森美半导体的晶圆代工厂(GDS2)接口客户把需要硅片重制(re-spin)的风险降至最低,因而帮助降低新设计的开发成本及缩短上市周期。 安森美半导体军事/航空、数字、定制晶圆代工、集成无源器件(IPD)及图像传感器产品分部副总裁Vince Hopkin说:“把我们领先的半导体工艺上的混合信号IP
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-20
文件大小:55296
提供者:
weixin_38665449
传送视频的硅调谐器工作原理及技术分析
之所以一个小小的USB电视棒就能接收射频电视信号,这要归功于硅调谐器技术的成熟。近几年半导体工艺技术和IC设计技术发展很快,这就促成了硅调谐器技术不断更新换代,形成了硅调谐器多种技术并存、多个半导体国际大厂参与竞争的局面。热起来的硅调谐器技术就是本文关注的焦点。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-20
文件大小:132096
提供者:
weixin_38643127
ADI推出0.6μm耐高压工艺技术“iCMOS”
美国模拟器件公司(ADI)前开发成功了可承受电压达30V、设计规格为0.6μm的超微细半导体制造工艺该技术名为“iCMOS工艺技术”。主要用于生产面向需要承受高电压的产业设备和医疗设备等的模拟IC。 此前,生产可承受30V高压的模拟IC芯片,需要采用设计规格为1μm~3μm的Bipolar-CMOS技术。而采用此次的iCMOS工艺技术,与此前相比可减少耗电、减小芯片面积,还可实现高速运行等。因为具有以上优良性能,ADI计划在面向产业设备和医疗设备的模拟IC生产领域,全面推进由此前的Bipol
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-26
文件大小:51200
提供者:
weixin_38647925
半导体工艺技术(9).ppt
电子行业:半导体工艺技术 全产业链全景介绍,工艺介绍,装备介绍。
所属分类:
制造
发布日期:2020-11-23
文件大小:7340032
提供者:
qq_37251729
NEC电子开发出40纳米DRAM混载系统LSI 混载工艺技术
NEC电子近日完成了两种线宽40纳米的DRAM混载系统LSI工艺技术的开发,使用该工艺可以生产最大可集成256MbitDRAM的系统LSI。40nm工艺技术比新一代45nm半导体配线工艺更加微细,被称为45nm的下一代产品。此次,NEC电子推出的工艺中,一种为低工作功耗的“UX8GD”工艺,它可使逻辑部分的处理速度最快达到800MHz,同时保持低功耗;另一种为低漏电流的“UX8LD”工艺,它的功耗约为内嵌同等容量SRAM的1/3左右。 UX8GD和 UX8LD 是在线宽从55nm缩小至4
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-30
文件大小:61440
提供者:
weixin_38517095
ST率先采用90nm工艺技术生产的128Mb NAND闪存
意法半导体公司(ST)推出采用90nm工艺技术的128Mb NAND闪存器件――NAND128W3A2BN6E。90nm技术降低了闪存芯片的成本和功耗。这些闪存广泛应用于如数码相机、录音机、PDA、机顶盒(STB)、打印机和各种闪存卡等消费类电子产品。据介绍,NAND128是目前市场上唯一采用90nm工艺技术的128Mb闪存。 NAND128具有超快的数据吞吐量和擦除功能。所有的系列器件的地址线和数据输入/输出信号在8位总线上复接,降低了引脚数量,允许使用标准组件的NAND接口,使制造
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-29
文件大小:64512
提供者:
weixin_38745361
模拟技术中的美国国家半导体推出 6 款采用全新先进 BiCMOS 工艺技术制造的高精度及低电压放大器
采用模拟 VIP50 工艺技术制造的全新芯片可以大幅提高便携式电子产品及工业系统的精确度及电源使用效率 美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation) (美国纽约证券交易所上市代号:NSM) 采用该公司专有的全新 VIP50 工艺技术成功开发 6 款无论在准确度、功耗及电压噪音都有大幅改善的运算放大器,预计这些新芯片可以满足工业应用、医疗设备及汽车电子系统等产品市场的需求。这几款芯片除了在上述几方面有大幅改进之外,所采用的封装也极为小巧
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-27
文件大小:88064
提供者:
weixin_38655484
BiCMOS 模拟工艺技术
美国国家半导体公司的专有 BiCMOS 模拟工艺技术可以大幅提高该公司的新一代高精度、低功率、低电压运算放大器的性能,为低功耗、低噪音的放大器创立一个全新的业界标准。今后便携式电子产品、医疗设备、工业系统以及汽车电子系统等均可充分利用新工艺的这些优点。 美国国家半导体特别为供电电压介于 0.9V 至 12V 之间的运算放大器开发 VIP50 工艺技术 (VIP 是垂直综合 PNP 工艺技术的简称)。利用 VIP50 工艺制造的首六款产品无论在电源使用效率、噪音水平及准确度都比美国国家半导体的旧型
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:67584
提供者:
weixin_38725426
半导体制冷技术在临床医疗的应用研究
半导体制冷技术已广泛用于军事及民用制冷设备仪器方面,通过对半导体制冷技术的理论分析和工艺实验研究,精心选用制冷器,设计控制电路,实现对制冷温度的精确控制,试制一种用于小型实用临床医疗和家用半导体制冷物理降温设备。
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-31
文件大小:612352
提供者:
weixin_38566318
安森美推出获ONC18 180纳米工艺技术的电路模块
导读:推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出专有ONC18 180纳米(nm)工艺技术上的经过的新的知识产权(IP)。 经过的这些新款电路模块将帮助安森美半导体的晶圆代工厂(GDS2)接口客户把需要硅片重制(re-spin)的风险降至,因而帮助降低新设计的开发成本及缩短上市周期。 安森美半导体军事/航空、数字、定制晶圆代工、集成无源器件(IPD)及图像传感器产品分部副总裁Vince Hopkin说:“把我们的半导体工艺上的混合信号IP通过,是我们策略
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:54272
提供者:
weixin_38503483
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