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  1. 模拟电子技术课件(PPT课件)

  2. 一、模拟电子技术基础 1.绪论 电子信息系统的组成 模拟信号与模拟电路 学习方法 教学要求 2.半导体器件 本征半导体、杂质半导体、PN结 半导体二极管 半导体三极管 3.基本放大电路 放大的概念、放大电路的性能指标 共射放大电路 放大电路的分析方法 晶体管放大电路的三种接法 场效应管及其放大电路 复合管及组合放大电路 4.多级放大电路 耦合方式 动态分析 直接耦合多级放大电路 5.集成运算放大电路 概述 电流源电路 集成运放读图 集成运放的性能指标和低频等效电路 集成运放的种类、选择和使用
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-12-10
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:hanwen2009
  1. msp430书稿开发板

  2. 第一章 超低功耗单片MSP430B - 11 - 1.1 单片机概述 - 11 - 1.1.1 MSP430系列单片机的特点 - 11 - 1.1.2 MSP430操作简介 - 11 - 1.1.3 MSP430系列单片机在系统中的应用 - 12 - 1.2 片内主要模块介绍 - 12 - 1.2.1时钟模块 - 13 - 1.2.1.1 MSP430F449的三个时钟源可以提供四种时钟信号 - 13 - 1.2.1.2 MSP430F449时钟模块寄存器 - 14 - 1.2.1.3 FLL
  3. 所属分类:电信

    • 发布日期:2011-03-17
    • 文件大小:12582912
    • 提供者:lantingele
  1. ewb multisim 仿真实例电路图全集

  2. 多年收集的ewb和multisim电子电路仿真实例文件,压缩后有50多兆。 文件列表 ├─仿真实验 │ 555.ms10 │ Circuit1.ms10 │ Circuit2.ms10 │ CLOCK.ms10 │ FileList.txt │ 实验2.ms10 │ 实验3-一阶有源低通滤电路.ms10 │ 实验3-减法运算电路.ms10 │ 实验3-反相加法运算电路.ms10 │ 实验3-反相比例运算电路.ms10 │ 实验3-反相积分运算电路.ms10 │ 实验3-微分运算电路.ms10
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2015-10-21
    • 文件大小:55574528
    • 提供者:freedom366
  1. Ewb5.12电子电路仿真软件中文版含200实例及中文教程

  2. Ewb5.12电子电路仿真软件中文版含200实例及中文教程 文件 列表 │ 100进制递减计数器.ewb │ 14计数器子电路.ewb │ 16计算器.ewb │ 24或12进制加法计数.ewb │ 24或12进制加法计数子电路.ewb │ 2d限幅.ewb │ 2m振荡电路.ewb │ 4位加法器.ewb │ 50hz陷波器.ewb │ 555-1多谐振荡器.ewb │ 555fm电路.ewb │ 555单稳态电路.ewb │ 555多谐振荡电路.ewb │ 555定时报警器.ewb │ 5
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2015-10-21
    • 文件大小:9437184
    • 提供者:freedom366
  1. Proteus元件库对照表

  2. AT89C51 Proteus元件 proteus元件库介绍 AND 与门 ANTENNA 天线 BATTERY 直流电源 BELL 铃,钟 BVC 同轴电缆接插件 BRIDGE 1 整流桥(二极管) BRIDGE 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器 BUZZER 蜂鸣器 CAP 电容 CAPACITOR 电容 CAPACITOR POL 有极性电容 CAPVAR 可调电容 CIRCUIT BREAKER 熔断丝 COAX 同轴电缆 CON 插口 CRYSTAL 晶体振荡器 DB 并行
  3. 所属分类:C

    • 发布日期:2018-04-24
    • 文件大小:67584
    • 提供者:qq_39188039
  1. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真.pdf

  2. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-14
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_38744435
  1. 晶体管与集成电路.doc

  2. 晶体三极管、二极管、场效应管以及电阻电容等等这些在电子电路中常用的元器件,在实际使用的时候总是需要以各种各样的方式组装成一定的电路才能工作。对于一个稍微复杂一些的电路,不论多么成熟,总是需要经过一定的调试才能使用,而调试工作一般都比较复杂而且费时,降低了人们的工作效率。那么,如何来解决这个问题呢?人们经过实践探索,发明出了集成电路。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-14
    • 文件大小:24576
    • 提供者:weixin_38744435
  1. 无线电收发信机基础.pdf

  2. 无线电发射机(Radio Transmitter)是实现信号在无线信道中有效传输的通信设备之一。它的作 用是将要传输的基带信号通过调制,放大、变频等一系列处理,最终使信号通过天线以高频 电磁波的形式进入到无线空间。这里给出关于无线通信系统发射机和接收机的一些基础知识参考资料。偏移(对于调相)与调制信号频率之间的关系。要求在300~3400Hz的频率范围内调制特性平 坦(无加重网络时,而在3400z以上,要求调制频率特性山线迅速下降,以便使话音中无 用的高音分量受到充分的抑制。调制线性是指在使用规
  3. 所属分类:电信

    • 发布日期:2019-08-03
    • 文件大小:581632
    • 提供者:lileiwll
  1. 常见元器件的识别——场效应晶体管放大器

  2. 场效应晶体管的特点、分类及场效应管与晶体管的比较。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-17
    • 文件大小:32768
    • 提供者:weixin_38725734
  1. 场效应管与晶体管的比较

  2. 场效应管与晶体管的比较 (1)场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,在信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。 (2)场效应管是多子导电,而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感,因此,对于环境变化较大的场合,采用场效应管比较合适。 (3)场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外,还可作压控可变线性电阻使用。 (4)场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管的栅—
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-12
    • 文件大小:120832
    • 提供者:weixin_38698927
  1. MOS管和IGBT管到底有什么区别吧

  2. 在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管? 下面我们就来了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧! 什么是MOS管? 场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。 MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。 MOSFET又
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-12
    • 文件大小:297984
    • 提供者:weixin_38530115
  1. 电子维修中的全固态电视发射机功率放大器维修

  2. 近年来,许多电视发射台已完成全固态发相继开发出横向扩散金属氧化半导体硅场效应断其好坏。电阻法是维射机替代电子管发射机的更新换代工作。全固管(LDMOS),经UHF电视发射机使用证实,其修工作的常用方法,只态发射机的广泛使用,给发射设备的检修与维线性和效率优于双极性晶体管、MOSFET管,特要根据检测原理灵活运护提出了新的要求。笔者对发射机固态功率放大模块的故障和维护作一介绍,供同行在实际操作与维护工作中参考。   1.固态功放的结构和特点   与真空管放大器比较,固态放大器具有稳定性好、可靠
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:329728
    • 提供者:weixin_38557980
  1. 元器件应用中的选择高压场效应管实现节能

  2. 高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力,能够帮助工程师避免许多问题,并实现效率最大化。经验证明,采用新型的MOSFET器件取代旧式MOSFET,除简单地导通电阻上的差异之外,更重要的是,还能实现更高的电流强度与更快的切换速度以及其他优越性能。   技术   高压MOSFET器件采用两种基本工艺:一种是比较常规的平面工艺;另一种是新的电荷平衡工艺。平面工艺非常稳定和耐
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-07
    • 文件大小:104448
    • 提供者:weixin_38634037
  1. 元器件应用中的常用场效应晶体管放大器的识别

  2. 1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。   2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。   3、场效应管与晶体管的比较   (1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。   (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-19
    • 文件大小:31744
    • 提供者:weixin_38611796
  1. 基础电子中的模拟集成电路几种特性

  2. 模拟集成电路是在分立元件的模拟电路理论和数字集成电路工艺的基础上发展起来的。   在电路构成方面,模拟集成电路具有以下持点:   (1)电路结构与元件参数具有对称性   尽管集成电路工艺制作的元件、器件的参数精度不高,但是相同元件、器件的制作工艺相同、当它们的结构相同且几何尺寸相同时,它们的特性和参数就比较一致。因此,在模拟集成电路中住往采用结构对称或元件参数彼此匹配的电路形式,利用参数补偿的原理来提高电路的性能。   (2)用有源器件代替无源器件   由于集成化的晶体管占用的芯片面积
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-18
    • 文件大小:35840
    • 提供者:weixin_38567873
  1. 元器件应用中的如何区别场效应管与普通晶体管

  2. 1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。   2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。   3、场效应管与晶体管的比较   (1) 场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。   (2) 场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-17
    • 文件大小:31744
    • 提供者:weixin_38723683
  1. 通信与网络中的大功率宽带射频脉冲功率放大器设计

  2. 大功率宽频带线性射频放大器模块广泛应用于电子对抗、雷达、探测等重要的通讯系统中,其宽频带、大功率的产生技术是无线电子通讯系统中的一项非常关键的技术。随着现代无线通讯技术的发展,宽频带大功率技术、宽频带跳频、扩频技术对固态线性功率放大器设计提出了更高的要求,即射频功率放大器频率宽带化、输出功率更大化、整体设备模块化。   通常情况下,在HF~VHF频段设计的宽带射频功放,采用场效应管(FET)设计要比使用常规功率晶体管设计方便简单,正是基于场效应管输入阻抗比较高,且输入阻抗相对频率的变化不会有
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-30
    • 文件大小:182272
    • 提供者:weixin_38559992
  1. 元器件应用中的电阻器的种类及其特性

  2. 常用的分立电阻器或轴向引线电阻器,然而再对分立电阻器与薄膜或厚薄电阻网络从价格和性能方面进行比较。  轴向引线(Axial Lead)电阻器的类型:轴向引线电阻器最常用的类型有三种:合成碳膜电阻器或碳膜电阻器、金属膜电阻器和线绕电阻器。合成碳膜电阻器或碳膜电阻器(统称碳质电阻器)用于初始精度和随温度变化的稳定性认为不重要的普通电路。典型应用包括晶体管或场效应管偏置电路中集电极或发射极的负载电阻,充电电容器的放电电阻以及数字逻辑电路中的上拉电阻或下拉电阻。  碳质电阻器按照准对数序列规定一系列标准
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-06
    • 文件大小:114688
    • 提供者:weixin_38747211
  1. 模拟技术中的识别技巧:常用场效应晶体管放大器的识别

  2. 1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。   2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。   3、场效应管与晶体管的比较   (1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。   (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-13
    • 文件大小:32768
    • 提供者:weixin_38720390
  1. MOS管和IGBT管有什么区别?不看就亏大了

  2. 在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管?  下面我们就来了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧!  什么是MOS管?  场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。  MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。  MOSFET又可分
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:282624
    • 提供者:weixin_38631225
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