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搜索资源列表

  1. 压阻式加速度计的延生多晶硅薄膜的最新封装英文翻译

  2. 毕业设计压阻式加速度计的延生多晶硅薄膜的最新封装英文翻译

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-06-05
    • 文件大小：544768
    • 提供者：j282112371

  1. 铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜

  2. 介绍了铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的方法，叙述了铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的一般过程

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-09-02
    • 文件大小：289792
    • 提供者：theeverlove

  1. 多晶硅TFT的发展与应用

  2. 评述非晶硅的晶化机理和主要研究结构，并简要介绍其应用

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-09-02
    • 文件大小：326656
    • 提供者：theeverlove

  1. 太阳能光伏技术太阳能供电系统

  2. 1．太阳能概况 2．光伏效应 3．太阳能电池 4．多晶硅及其他光电转换材料 5．晶体硅太阳电池及材料 6．非晶硅太阳电池 7．非晶硅 (ａ-硅)太阳能技术 8．多晶薄膜与薄膜太阳电池 9．多晶硅薄膜太阳电池 10．世界太阳能开发利用现状 11．21世纪我国太阳能利用发展趋势 12．国内外太阳电池和光伏发电的进展与前景 13．20世纪太阳能科技发展的回顾与展望 14．光伏板 ：与太阳一同升起的希望 15．光伏水泵系统 16．光伏发电系统中逆变电源的原理与实现 17．平板玻璃工业新技术 18．热壁

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-10-27
    • 文件大小：723968
    • 提供者：qq410791550

  1. 多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模研究与进展

  2. 本文是研究多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模研究与进展，详细介绍了泄漏电流几种不同的模型。对现当代的进展也进行了重点说明。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-17
    • 文件大小：415744
    • 提供者：niebiao4313

  1. PECVD沉积参数对硅薄膜生长速率的影响

  2. PECVD沉积参数对硅薄膜生长速率的影响，王志辉，强颖怀，高效、稳定、廉价的多晶硅薄膜太阳电池有可能替代非晶硅薄膜太阳电池成为新一代无污染民用太阳能电池。传统等离子体化学汽相沉积

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-10
    • 文件大小：443392
    • 提供者：weixin_38716556

  1. 低价硅衬底上多晶硅薄膜电池的一维数值模拟

  2. 低价硅衬底上多晶硅薄膜电池的一维数值模拟，宁吉丰，刘艳红，针对N型低价硅衬底上多晶硅薄膜结构电池提出一维计算模型，利用太阳能电池模拟软件AFORS-HET进行模拟，计算了短路电流、开路电压、�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：273408
    • 提供者：weixin_38523618

  1. Al2O3薄膜对表面金字塔纳米结构多晶硅光阴极制氢性能的影响

  2. Al2O3薄膜对表面金字塔纳米结构多晶硅光阴极制氢性能的影响，范荣磊，戴松，本文运用两步金属催化化学腐蚀的方法，在多晶硅片表面制备类金字塔的表面纳米结构以增强光的吸收。紧接着通过标准的磷掺杂工艺在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-28
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38672962

  1. 薄膜组件资料

  2. 薄膜组件 多晶硅组件与薄膜阻击不同，薄膜组件很容易接受散射光

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-01-08
    • 文件大小：172032
    • 提供者：u013417979

  1. 薄膜太阳能电池的分类与发展历史

  2. 为了寻找单晶硅电池的替代品，人们除开发了多晶硅，非晶硅薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物，硫化镉，碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：123904
    • 提供者：weixin_38640150

  1. 多晶硅薄膜的制备方法设计

  2. 多晶硅薄膜材料同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低成本制备的优点。因此，对于多晶硅薄膜材料的研究越来越引起人们的关注，多晶硅薄膜的制备工艺可分为两大类：一类是高温工艺，制备过程中温度高于600℃,衬底使用昂贵的石英，但制备工艺较简单。另一类是低温工艺，整个加工工艺温度低于600℃，可用廉价玻璃作衬底，因此可以大面积制作，但是制备工艺较复杂。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：118784
    • 提供者：weixin_38548589

  1. 传感技术中的利用SiO2薄膜，台湾淡江大学推出小型压力传感器

  2. 台湾淡江大学机械与电机工程系日前开发成功出尺寸为50μm×50μm的小型压力传感器芯片。通过对压力传感器部分的薄膜形成手法进行改进，实现了小型化。同时还使用明胶对传感器部分进行了封装。这种压力传感器可用于生物相关领域。 　　据介绍，此次开发的工艺在传感器部分的薄膜中使用了SiO2(二氧化硅)层，在生产过程中支撑薄膜的牺牲层中使用了金属层，在检测压力的传感器压电电阻中使用了多晶硅。全部均可采用台积电双层多晶硅四层金属的CMOS工艺形成。在SiO2层的一部分中切出孔，并形成过孔，然后就能利用后续的蚀

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：40960
    • 提供者：weixin_38734506

  1. 多晶硅的沉积

  2. 如果硅是沉积在不定形的物质上，那么就没有底下的结构能调整晶体的生长。最终的硅薄膜由小的愈合晶体的集合体组成。这种多晶薄膜有粒状结构，它的粒子尺寸取决于沉积条件和接下来的热处理。多晶的粒子boundaries就好像lattice defects，它能为漏电流提供秘密通道。因此，PN结通常不是由多晶造的。多晶通常用来生产self-aligned MOS晶体管的gate电极，因为，不像铝，它能承受退火source/drain植入所需的高温。另外，由于磷掺杂的多晶能固定离子杂质，多晶的使用能更好的控制M

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38673235

  1. WSix复合栅薄膜工艺开发

  2. (中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035)摘 要：本文对CVD WSix制造设备及工艺进行了详细的描述，以大量的实验数据为依据，开发出适合本科研生产线WSix复合栅薄膜的工艺标准。关键词：WSix；“Polycide”复合栅；电阻率；RTP退火中图分类号：TN405 文献标识码：A 文章编号：1681-1070(2005)03-37-041 CVD WSix工艺介绍在存储器电路生产中，特别是在DRAM、FLASH和SRAM器件工艺过程中，通过在多晶硅上淀积WSix，经退火工艺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38517997

  1. 显示/光电技术中的低温p-Si薄膜的制备研究

  2. 引言 近年来，有源液晶显示技术在液晶显示产业和研究领域都独占鳌头。在有源液晶显示技术中，多晶硅薄膜因高迁移率展现出独特的优势，它的器件尺寸小，可以获得更高的开口率和分辨率；由于迁移率的提高可以将周边驱动集成于显示板内部，可以有效降低材料成本，同时LCD 整体的重量和厚度将会大幅度的减少。 目前，人们对多晶硅薄膜技术的研究主要集中在降低晶化温度和减少晶化时间上，金属诱导晶化是一项很有潜力的新技术方案，晶化温度可降低到500℃，晶化时间可以缩短。例如Al, Cu, Au, 或 Ni 等沉

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：91136
    • 提供者：weixin_38648037

  1. 考虑深阱和尾阱状态的非晶和多晶硅薄膜晶体管在不同温度下的分析漏电流模型

  2. 考虑深阱和尾阱状态的非晶和多晶硅薄膜晶体管在不同温度下的分析漏电流模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：684032
    • 提供者：weixin_38727567

  1. 多晶硅薄膜晶体管的简单泄漏电流和1 / f噪声表达式

  2. 多晶硅薄膜晶体管的简单泄漏电流和1 / f噪声表达式

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-07
    • 文件大小：323584
    • 提供者：weixin_38648396

  1. 激光晶化制备多晶硅薄膜技术

  2. 激光晶化是一种制作晶硅薄膜器件(如薄膜晶体管、太阳能电池)很有效的技术。展望了低温多晶硅薄膜的应用前景，详细介绍了近几年激光晶化制备多晶硅薄膜技术的研究成果，并就激光对非晶硅作用的原理作了简单讨论。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：707584
    • 提供者：weixin_38708361

  1. 平顶绿光晶化制备多晶硅薄膜

  2. 利用倍频Nd∶YAG激光器使玻璃基底上沉积的非晶硅薄膜成功实现了晶化。YAG激光器的倍频绿光经蝇眼透镜阵列整形后得到一光强均匀分布的平顶光束, 并用此光束对非晶硅薄膜进行扫描晶化处理。分别测量了激光晶化前后薄膜的拉曼谱和表面形貌。测量结果表明, 非晶硅实现了到多晶硅的相变, 且晶化处理后表面起伏度明显增大。根据拉曼谱的数据计算了不同激光能量密度下薄膜的粒度大小和结晶度。结果表明, 在一定能量密度(400～850 mJ/cm2)范围内, 结晶膜的晶粒粒度和结晶度随激光能量密度升高而增大。然而能量密

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38699784

  1. 多晶硅太阳电池组件电位诱导衰减效应分析

  2. 电位诱导衰减(PID)能够导致晶体硅太阳电池组件功率大幅衰减，使太阳电池组件的大规模应用受到了限制。实验分析了由不同等离子体增强化学气相沉积(PECVD)镀膜工艺多晶硅太阳电池制作的组件功率衰减问题。结果表明，相比标准工艺多晶硅太阳电池组件(折射率为2.06)，防PID 工艺多晶硅太阳电池(折射率为2.16)制作的组件功率仅有1.65%的衰减，衰减幅度在5%以内，具有一定的耐高压、高温和湿热环境的能力。分析可知，在满足光学薄膜厚度的情况下，制作具有较高折射率SiNx膜的多晶硅太阳电池组件能够更好

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-25
    • 文件大小：863232
    • 提供者：weixin_38605967
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