单晶硅是用于半导体器件的重要材料，也是器件研究中的潜在材料。研究了通量为5.0 x 10（16），1.0 x 10（17），2.0 x 10（17）和4.0 x 10（17）cm（-2）的氦离子注入样品的远红外光学性能。在4到85 cm（-1）的波数范围和145到520 K的温度范围内测量了不同氦浓度的硅的吸收系数和折射率。结果表明，吸收系数随着氦通量的增加而增加。离子，但折射率降低。所有样品的吸收系数，折射率和温度之间的相关性相似。在整个测量温度范围内，折射率随温度的升高而增加，但在不同的波段
