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  1. 宽带功率放大器的设计

  2. 摘要：介绍一个两级2 W的宽带功率放大器设计，频率范围从700 MHz～1．1 GHz。前级放大器采用MMICPower Amplifier HMC481MP86，末级采用飞思卡尔公司的LDMOS场效应晶体管MW6S004N。飞思卡尔公司提供的datasheet中没有包含在设计所要求的频段和功率输出值时相应的输入和输出阻抗值。为了正确匹配，采用ADS的负载牵引法得到LD-MOS场效应晶体管MW6S004N的输入和输出阻抗值，然后使用有耗匹配式放大器的拓扑结构进行实际设计，并使用ADS对设计的放

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-09-02
    • 文件大小：457728
    • 提供者：wqs361

  1. 分析关于高频小信号谐振放大电路时域与频域对比

  2. 分析关于高频小信号谐振放大电路时域与频域对比 时间：2011-08-25 10:56 作者：樊玉兰 来源：网络 　　0 引言 　　在通信电子电路中，对于微小的信号需要进行一定增益的放大。通信中的微小信号都属于高频信号，所以电路的分析都是基于期间的非线性特性进行的。非线性电路的输出中不同频率分量的信号分量较多，所以需要采用具有频率选择功能的谐振网络进行频率的选择。谐振网络频率选择的性能直接决定了谐振放大电路的性能。采用时域波形的观测以及频域不同频率的频谱进行对比分析，可以清晰地对谐振放大电路进行

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-12-22
    • 文件大小：114688
    • 提供者：xy8499

  1. 晶体管宽频带放大器

  2. 晶体管宽频带放大器

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-04-14
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：liweijie199102

  1. 电子元器件应用技术 基于OP放大器与晶体管的放大电路设计-黑田彻 1分下载.pdf

  2. 电子元器件应用技术 基于OP放大器与晶体管的放大电路设计-黑田彻.pdf 仅仅1分下载，下在后返回，等于0分下载。 本书是“图解实用电子技术丛书”之一，本书详细介绍了运算放大器的内部特性与工作原理，由浅人深、循序渐进。全书共分八章：第1章介绍利用晶体管制作简单的运算放大器；第2章则对通用型运算放大器与简单型运算放大器进行了比较；第3章和第4章介绍利用SPICE改善运算放大器的特性以及减少晶体管的失真；第5章和第6章分析三种运算放大器的电路结构与设计技巧；第7章介绍高速宽频带运算放大器；第8章则

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2015-09-15
    • 文件大小：28311552
    • 提供者：mynameislinduan

  1. GaN打破壁垒—RF功率放大器的带宽越来越宽、功率越来越高.pdf

  2. 电信行业不断需要更高的数据速率，工业系统不断需要更高的分辨率，这助推了满足这些需求的电子设备工作频率的不断上升。许多系统可以在较宽的频谱中工作，新设计通常也会有进一步增加带宽的要求。在许多这样的系统中，人们倾向于使用一个涵盖所有频带的信号链。半导体技术的进步使高功率宽带放大器功能突飞猛进。GaN革命席卷了整个行业，并且可以让MMIC在几十种带宽下生成1 W以上的功率，因此，这个过去由行波管主导的领域已经开始让步于半导体设备。更短栅极长度的GaAs和GaN晶体管的出现以及电路设计技术的升级，衍生

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-23
    • 文件大小：666624
    • 提供者：weixin_39841856

  1. DL-T-417-2006 电力设备局部放电现场设备测量导则.pdf

  2. DL-T-417-2006 电力设备局部放电现场设备测量导则pdf,DL-T-417-2006 电力设备局部放电现场设备测量导则DL/T417-2006 前言 本标准是根据《国家发展改革委办公厅关于印发2006年行业标准项目计划的通知》(发改办工业 [2006]1093号)的安排,对DL417—1991的修订 局部放电试验是一项技术及设备配置都要求较高的试验项目,在现场测量有一定的技术难度,原导 则自1991年发布后,DL5%6-1996《电力设备预防性试验规程》等相关标准相继出台,并对有关内

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-19
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743481

  1. Multisim元器件库和虚拟仪表名称中英对照1.pdf

  2. Multisim元器件库和虚拟仪表名称中英对照1pdf,Multisim的元器件库和虚拟仪表名称中英对照1.pdf223二极管库 计 Diodes 二极管库 Family DIODES VIRTUAL虚拟二极 并DDE 二极管 ZENER 齐纳二极管 HF LED 发光二极管 FWB 整流桥 光ScH0 TTKY DIODE肖特基二极管 +L SCR 可控硅 DIAC 双向二极管 TRIAC 双向可控硅 州 VARACTOR 变容二极管 H PIN_DIODE PIN二极管 22.4晶体管库

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 开关电源环路中的TL431应用.pdf.pdf

  2. 开关电源环路中的TL431应用.pdfpdf,开关电源环路中的TL431.pdf)4卖) 由 1na-1nb= ln 2).因此 1 312s Vr 1n6= R 从这个公式我们可以析取出电流I Vr In6 R 根据R4的值(为4829),可以计算出I1的值。 26m×1.79 ≈97A 482 得到这个电流后,集电极负载R2和R3的压降可根据欧姆定律快速计算出来。 VR2=VR3=3R2I1=R31=1.9k×97m=5.7k×97m=553m(10) 这个电压离采用SPCE计算的偏置点并不

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 无线电收发信机基础.pdf

  2. 无线电发射机(Radio Transmitter)是实现信号在无线信道中有效传输的通信设备之一。它的作 用是将要传输的基带信号通过调制，放大、变频等一系列处理，最终使信号通过天线以高频 电磁波的形式进入到无线空间。这里给出关于无线通信系统发射机和接收机的一些基础知识参考资料。偏移(对于调相)与调制信号频率之间的关系。要求在300~3400Hz的频率范围内调制特性平 坦(无加重网络时,而在3400z以上,要求调制频率特性山线迅速下降,以便使话音中无 用的高音分量受到充分的抑制。调制线性是指在使用规

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2019-08-03
    • 文件大小：581632
    • 提供者：lileiwll

  1. 音响功放集成电路TDA7294构成的100W功率放大器

  2. 音响功放集成电路TDA7294构成的100W功率放大器TDA7294内部包含前置运放、末级功放、温度保护、短路保护、静音控制等电路。末级采用双极DMOS功率晶体管，具有输出功率大、频带宽、失真小、通用性好等特点。该集成电路还具有完善的防过载、防短路和温度保护电路，在芯片温度过高时，自动切断音频信号，保护芯片不致烧毁。用TDA7294构成的功放电路，具有外围电路简单、易于制作的特点。电路输入阻抗20k，输入灵敏度750mV，电压增益32dB，电源电压范围±(25～40)V，静态电流50mA。当负载

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-11-18
    • 文件大小：681984
    • 提供者：yushibin

  1. 高频电子线路试卷 你知道的好东西啊

  2. 高频电子线路期末复习题 第二章 一、单选题(每题1分) 1. 对集中选频放大器下列说法不正确的是（ ）。 A. 集中选频放大器具有接近理想矩形的幅频特性； B. 集中选频放大器具有选择性好、调谐方便等优点； C. 集中选频放大器可用陶瓷滤波器构成。 2. 单调谐放大器中，Qe对选择性和通频带的影响是（ ）。 A. Qe 越大，选择性越好，通频带越宽 B. Qe 越大，选择性越好，通频带越窄 C. Qe 越大，选择性越差，通频带越窄 3. 单调谐放大器的通频带与回路有载品质因素及谐

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-06-27
    • 文件大小：772096
    • 提供者：yuhongyx

  1. 晶体管宽频带电压放大器

  2. 本文给大家分享了一个晶体管宽频带电压放大器。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：24576
    • 提供者：weixin_38572979

  1. 晶体管宽频带视频放大器

  2. 一种采用共发射极一共基极宽频带视频放大器，它是由两个晶体管组成的。视频信号R加到共发射极晶体管VT902的基极。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-21
    • 文件大小：39936
    • 提供者：weixin_38709379

  1. 宽频带高频信号放大器电路图

  2. 采用双栅极场效应晶体管的宽频带高频信号放大器，高频信号经两级变压器耦合后滤除低频信号，然后送到场效应晶体管的Gi,02为增益控制端。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-20
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38625708

  1. 基于人工神经网络的HEMT器件参数提取方法研究

  2. 研究了利用人工神经网络对不同频带、栅宽的砷化镓高电子迁移率晶体管进行散射参数和噪声参数提取，基于两个神经网络分别对两组散射参数和噪声参数进行训练学习，比较不同隐含层和神经元数目得出平均相对误差和均方误差，找到对应散射参数和噪声参数神经网络的最佳的隐含层数和神经元数目是8-8-6和6-4。测试结果表明，散射参数平均相对误差的平均值为2.79%，噪声参数平均相对误差的平均值为2.05%，与常规单个神经网络结构相比，在平均相对误差方面提高了31.3%，表明该模型具备更好的精度和可靠性，十分适用于宽禁带

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：573440
    • 提供者：weixin_38624183

  1. 用于 LTE 微蜂窝和有源天线系统的小型高效GaN Doherty 放大器

  2. 本文介绍有关用于LTE 微蜂窝式与有源天线系统式基站应用的小型高效GaN Doherty 放大器。该Doherty 放大器采用TriQuint 半导体公司开发的T1G6001528-Q3 器件，是一种宽频带的分立GaN 射频功率晶体管。该Doherty 放大器具有以下特征： 在LTE 频率范围（2.62 GHz ~ 2.69 GHz） 、平均输出功率为38.5 dBm、饱和输出功率峰值超过46 dBm、漏电效率超过55%、增益超过15 dB、LTE 两载波 (2x 10 MHz 载波)、 信号波

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：88064
    • 提供者：weixin_38530536

  1. 元器件应用中的英飞凌发布PTFB系列LDMOS晶体管

  2. 英飞凌科技(Infineon TEchnologies)于美国波士顿所举办的IEEE MTT-S国际微波技术研讨会(International Microwave Symposium)上宣布推出可供设计宽频无线网络基站的高功率LDMOS晶体管系列产品。 　　新型晶体管的功率位准高达300W，视频频宽超过90MHz，完全支持由3G发展为4G无线网络所需的高峰值对均值功率比(peak to average power ratio)以及高数据传输速率规格。 　　新型晶体管系列产品所提供的高增益及高

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38574132

  1. 电子测量中的电子计数器的基本组成

  2. 电子计数器主要由输入电路、比较电路、时间基准电路、控制电路和计数显示电路等部分组成。 　　（1）输入电路 电子计数器的输入电路主要有三个作用，一是阻抗变换，二是电压放大，三是整形，所以它有三个组成部分，输入电路作用示意图如图1所示。阻抗变换的目的是通过提高输入端的阻抗来减小对被测信号源的分流，常用晶体管射极跟随器或场效应管源极跟随器来实现。电压放大采用输入放大器，它们除需具有一定的放大倍数外，还需要有较宽的通频带，以保证电子计数器有一定的灵敏度和测量范围。整形电路的作用是对被测量整形，使输至比

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：169984
    • 提供者：weixin_38602563

  1. 通信与网络中的大功率宽带射频脉冲功率放大器设计

  2. 大功率宽频带线性射频放大器模块广泛应用于电子对抗、雷达、探测等重要的通讯系统中，其宽频带、大功率的产生技术是无线电子通讯系统中的一项非常关键的技术。随着现代无线通讯技术的发展，宽频带大功率技术、宽频带跳频、扩频技术对固态线性功率放大器设计提出了更高的要求，即射频功率放大器频率宽带化、输出功率更大化、整体设备模块化。 　　通常情况下，在HF~VHF频段设计的宽带射频功放，采用场效应管(FET)设计要比使用常规功率晶体管设计方便简单，正是基于场效应管输入阻抗比较高，且输入阻抗相对频率的变化不会有

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：182272
    • 提供者：weixin_38559992

  1. S波段宽带低噪声放大器的设计

  2. 微波宽带低噪声放大器是雷达、电子对抗、微波通信及遥测遥控等接收系统的关键部件。为满足高性能微波接收机系统对微波低噪声放大器宽频带、低噪声系数、高增益和好平坦度等方面的要求。本文利用Infineon公司的BFP740FESD型双极晶体管，采用纯电抗宽带匹配技术，设计了一个2~4 GHz宽带低噪声放大器（LNA）。经过实际测试，该放大器在2~4 GHz频带内，功率增益大于30 dB，噪声系数小于1.8 dB，增益平坦度小于3 dB，输入输出驻波比小于2，输出饱和功率大于5 dBm，且工作绝对稳定。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-27
    • 文件大小：931840
    • 提供者：weixin_38724663
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