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  1. 微机课程设计

  2. 第一章（1分填空） 电子计算机的发展：电子管计算机、晶体管计算机、中小规模集成电路计算机、超大规模集成电路计算机、人工智能计算机 计算机按性能和价格分为巨型机、大型机、小型机、微型机 CPU由算术逻辑部件和控制部件两大主要部分组成，实现运算功能和控制功能。 微型计算机以微处理器为核心，由微处理器、存储器、输入输出设备和系统总线组成。 微型计算机系统以微型计算机为主体，配上系统软件和外设以后形成的。 第二章（5分填空，1个名词解释，1个简答，1个判断，1个分析） 8086从功能上分为两部分：总线

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2004-10-15
    • 文件大小：184320
    • 提供者：xxgcdzjs

  1. 模拟电子技术学习资料

  2. 包含各类题解 及模拟试卷 复习纲要 〈〈模拟电子技术基础〉〉复习纲要 第一章：常用半导体器件 （1） 熟悉下列定义、概念及原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区、PN结、耗尽层，导电沟道，二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用，晶体管与场效应管的放大作用及三个工作区域。 （2） 掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管的外特性、主要参数的物理意义。掌握其应用。 （3） 了解选用器件的原则。了解集成电路制造工艺。 第二章：基本放大电路 （1） 掌握以下基本概念和定义：放大、静态工作点、饱和

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2010-01-05
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：syaing100

  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题，还讲解了关于面试的问题该如何解答，对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-10-12
    • 文件大小：664576
    • 提供者：fromnewword

  1. 三种IGBT驱动电路和保护方法.pdf

  2. 三种IGBT驱动电路和保护方法pdf,本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求如下：1)提供适当的正向和反向输出电压，使IGBT可靠的开通和关断。2)提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使IGBT能迅速建立栅控电场而导通。3)尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率。4)足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘。5)具有灵敏的过流保护能力。逻辑

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：284672
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电，因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题，希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-08-18
    • 文件大小：628736
    • 提供者：maosheng007

  1. 13所16专集成放大器系列.pdf

  2. 射频微波器件文档资料，可以提供选型参考， 射频（RF）是Radio Frequency的缩写，表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围从300kHz～300GHz之间。射频就是射频电流，简称RF，它是一种高频交流变化电磁波的简称。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流，大于10000次的称为高频电流，而射频就是这样一种高频电流。射频（300K-300G）是高频(大于10K)的较高频段，微波频段（300M-300G）又是射频的较高频段。睡 2-2.集成宽带放大器续上页 型号 频率范围 功率增益平

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-07-02
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：hqhl2012

  1. 晶体管的工作状态判断和工作条件

  2. 晶体管是模拟电路中基础的器件，对于电子工程师来说，了解晶体管工作的条件和判断晶体管的工作状态都是非常基础的，本文将带大家一起学习或回顾一下。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-15
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38688403

  1. 元器件应用中的三极管饱和和深度饱和状态的理解和判断

  2. 本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。 　　三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和;倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和; 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和? 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：271360
    • 提供者：weixin_38707192

  1. 元器件应用中的三极管的工作条件及工作状态的判断

  2. 一、晶体管工作的条件     1.集电极电阻Rc:     在共发射极电压放大器中，为了取出晶体管输出端的被放大信号电压Use(动态信号)，需要在集电极串接一只电阻Rc。这样一来，当集电极电流Ic通过时，在Re上产生一电压降IcRc，输出电压由晶体管c-e之间取出，即Usc=Uce=Ec-IcRc,所以Use也和IcRc —样随输入电压Ui的发生而相应地变化。     2.集电极电源Ec(或Vcc):     Ec保证晶体管的集电结处于反向偏置，使管子工作在放大状态，使弱信号变为强信号。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：86016
    • 提供者：weixin_38678255

  1. 模拟技术中的晶体管的工作状态判断和工作条件

  2. 晶体管是模拟电路中基础的器件，对于电子工程师来说，了解晶体管工作的条件和判断晶体管的工作状态都是非常基础的，本文将带大家一起学习或回顾一下。 　　一、晶体管工作的条件 　　1.集电极电阻Rc： 　　在共发射极电压放大器中，为了取出晶体管输出端的被放大信号电压Use（动态信号），需要在集电极串接一只电阻Rc。这样一来，当集电极电流Ic通过 时，在Re上产生一电压降IcRc，输出电压由晶体管c-e之间取出，即Usc=Uce=Ec-IcRc，所以Use也和IcRc

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：87040
    • 提供者：weixin_38714509

  1. 基础电子中的三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！

  2. 三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和。 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和？ 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：278528
    • 提供者：weixin_38539018

  1. 三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！

  2. 三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和。 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和？ 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：300032
    • 提供者：weixin_38504417

  1. 晶体管的工作状态判断和工作条件

  2. 晶体管是模拟电路中基础的器件，对于电子工程师来说，了解晶体管工作的条件和判断晶体管的工作状态都是非常基础的，本文将带大家一起学习或回顾一下。 　　一、晶体管工作的条件 　　1.集电极电阻Rc： 　　在共发射极电压放大器中，为了取出晶体管输出端的被放大信号电压Use（动态信号），需要在集电极串接一只电阻Rc。这样一来，当集电极电流Ic通过 时，在Re上产生一电压降IcRc，输出电压由晶体管c-e之间取出，即Usc=Uce=Ec-IcRc，所以Use也和IcRc

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38659646

  1. 三极管的工作条件及工作状态的判断

  2. 一、晶体管工作的条件     1.集电极电阻Rc:     在共发射极电压放大器中，为了取出晶体管输出端的被放大信号电压Use(动态信号)，需要在集电极串接一只电阻Rc。这样一来，当集电极电流Ic通过时，在Re上产生一电压降IcRc，输出电压由晶体管c-e之间取出，即Usc=Uce=Ec-IcRc,所以Use也和IcRc —样随输入电压Ui的发生而相应地变化。     2.集电极电源Ec(或Vcc):     Ec保证晶体管的集电结处于反向偏置，使管子工作在放大状态，使弱信号变为强信号。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：77824
    • 提供者：weixin_38629873