转移印刷应用于大批量微型电子器件并行装配的研究，是关于电子印刷的研究。78中国印刷与包装研究 2010年第1期(第2卷) 在第一种设计中,芯片尺寸是450μm×40μmx钛层。转移印刷前,在晶片上涂布3μm的苯环丁 5μm。值得注意的是,使用传统串行装配设备将面临烯层(BCB)。目标晶片被填入450μm×40um 自身尺寸带来的挑战。移印版由30×95阵列组成,每5μm的芯片。在精度测试中,首先,移印机上的照 次转移操作印刷2850个芯片。保守估计每分钟操作一相机用于存储印刷芯片的图像和测量标志

光刻技术是开发新型 CMOS 制造工艺中的闸控功能 (gating function)。所有半导体制造商都采用相同的光刻工具，但使用工具的方法则根据制造商的专业技术及相关要求而有所差异。在德州仪器 (TI)，我们在光刻技术方面长期开展创新工作。我们的专业技能帮助我们开发了领先的工艺，为客户实现了性能、成本和功耗的最佳平衡。随着晶体管的临界尺寸越来越小，在芯片光阻材料 (photoresist) 暴露的区域上聚光也越来越难。目前的氩氟 (ArFl) 光刻工具可提供 193 nm 的波长，我们用它来