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搜索资源列表

  1. Fox_li 迭代MATLAB程序

  2. 模拟激光谐振腔模式 %————初始化—————————————lm=632.8e-9; %波长L=100*lm; %腔长a=25*lm; %腔镜线宽k=2*pi/lm; %波失x1=linspace(-a,a,1000);%取1000个点积分Un_n=zeros(1,1000);Un_n_1=Un_n;%———求解第一次的迭代结果——————for m=1:1000 x=x1(m);y=exp((-i*k*(x-x1).^2)/(2*L));Un_n(m)=sqrt(i/(pi*L)*exp(

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-11-21
    • 文件大小：20480
    • 提供者：abclala

  1. 用matlab算法求解条形腔的模场分布

  2. 用fo-li迭代算法求解条形腔的模场分布

  3. 所属分类：软件测试

    • 发布日期：2011-05-24
    • 文件大小：40960
    • 提供者：andry1990

  1. 激光原理课程设计源代码

  2. 激光原理课程设计源代码，用 matlab 实现条形腔和矩形腔的自近似解再现

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2013-07-16
    • 文件大小：12288
    • 提供者：u010340843

  1. 激光谐振腔模式模拟

  2. 用matlab实现界面化的激光谐振腔模式模拟， 包括条形腔，矩形腔，圆形腔，倾斜腔多种腔型的模拟。

  3. 所属分类：C/C++

    • 发布日期：2013-09-09
    • 文件大小：141312
    • 提供者：u010988040

  1. 940 nm高功率半导体激光器研究

  2. 报道了一种采用大光学腔结构的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱高功率半导体激光器。在量子阱能级本征值方程的数值求解基础上,优化了InGaAs阱层材料的In组份含量;采用大光学腔结构以有效降低垂直于结平面方向的光束发散角及腔面的光功率密度,实现器件的高功率、低发散角光。设计的激光器外延结构采用分子束外延（MBE）方法生长,成功获得具有较低激射阈值的940 nm波长激光器外延片。对100 μm条形,1000 μm腔长的制备器件测试表明,器件的最大连续输出功率达到2 W,峰值波长为939.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：405504
    • 提供者：weixin_38741891

  1. 单瓣近衍射极限输出的带外腔半导体激光器

  2. 实验研究了带外腔反馈注入的宽接触条形激光器,并用光线传输矩阵分析了该外腔结构。利用闪耀光栅及耦合输出反射镜对表面未镀增透膜的半导体激光器构成外腔,选择一定模式的激光反馈注入回激光器,从而限制了其他模式在半导体激光器内的振荡,压缩了激光器输出激光的光谱宽度。当激光器驱动电流为2.7倍阈值电流时,获得230 mW输出功率,0.6 nm谱宽,单瓣近衍射极限的激光输出。用一平面镜代替光栅作为外腔反射镜,获得了320 mW输出功率,1.5 nm谱宽的单瓣近衍射极限的激光输出。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：522240
    • 提供者：weixin_38623000

  1. 集成GaAs-(CaAl)As双平面条形激光器的模式行为

  2. 本文研究了集成GaAs-(GaAl)As双平面条形激光器的模随驱动电流和温度的变化,讨论和分析了通过波导耦合的两个有源腔的相互作用以及横模不稳定性对单纵模工作的影响.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：weixin_38625708

  1. 用湿式化学蚀刻法制作的蚀刻腔镜GaInAsP/InP条形激光器

  2. 单片蚀刻平面腔镜GaInAsP/InP条形激光器(1.3微米)是利用湿式化学蚀刻法制作的。条宽20微米的激光器，其电流阈值为300亳安(室温，脉冲工作)，比相应的解理腔镜激光器高50%左右。当驱动电流到1.5Ith伪时，接近单模运转，这巳用~180微米的腔长获得。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38552305

  1. 焊料空隙对条形量子阱激光器温度分布的影响

  2. 针对量子阱半导体激光器建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了条形量子阱半导体激光器的三维稳态温度分布,分析了芯片与热沉间的焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响。模拟结果表明焊料空隙的位置和尺寸都将影响到芯片内部的温度分布,焊料空隙的存在将导致空隙上方的芯片内部出现局部热点。随着焊料空隙的增大,芯片内热点区域增大,温度增高。位于芯片的条形电极中心下方的焊料空隙引起的芯片内部局部温升最大,并且沿腔长方向光出射腔面上温度相对较高,易引起光出射腔面上正反馈的电热烧毁,与实验结果吻合。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：893952
    • 提供者：weixin_38538472

  1. 大功率体光栅外腔半导体激光器的输出特性

  2. 宽条形大功率半导体激光器(LD)存在光谱温漂系数大、光谱宽度宽的缺点,为了改善宽条形大功率半导体激光器的光谱特性,采用一种体光栅(VBG)离轴外腔方法实现了宽条形大功率半导体激光器光谱特性的明显改善和高效率工作。宽条形半导体激光器的外腔结构主要包括激光器输出光束的快、慢轴准直光学透镜和离轴放置的体光栅。宽条形半导体激光器的激射条宽为100 μm,当激光器工作电流为4.0 A时,外腔激光器的输出功率高达3.4 W,斜率效率为1.0 W/A,光谱宽度由自由出射条件下的2～3 nm减少为0.2 nm,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：813056
    • 提供者：weixin_38715048

  1. 高亮度大功率宽条形半导体激光器腔面氮氢钝化研究

  2. 高亮度大功率宽条形半导体激光器腔面氮氢钝化研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：262144
    • 提供者：weixin_38689223

  1. 非对称补偿条形复合腔半导体激光器列阵

  2. 本文描述了一种新结构半导体激光器阵列——非对称补偿条形复合腔半导体激光器阵列.这种列阵是由7个或9个非对称半腔长交叉错开的条形电极形成7个或9个复合腔结构,光束在腔中以交叉的方式耦合.从该结构列阵得到了直到1.6I_(th)、发散角仅为3～4°的单瓣远场图样.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38704857

  1. 近衍射极限输出的外腔半导体激光器研究

  2. 针对宽接触条形半导体激光器(Broad arealaser diode),设计了一个新颖独特的外腔结构,通过平面镜和光栅的组合外腔来改善光束质量.实验中在2.7倍阈值电流的驱动电流下,获得光瓣宽度(FWHM)为0.53°,相应于光束质量为1.3倍衍射极限,谱宽为0.7 nm,功率为320 mW的激光输出.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38675506

  1. 用湿化学蚀刻法制造的GaAlAs短腔激光器

  2. 使用化学蚀刻新工艺，已制造出阈电流为30亳安的GaAlAs短腔条形激光器，该工艺采用了多层金属掩模。这种激光器长为23微米，宽为12微米，在蚀刻面上没有反射涂层。在脉冲条件下获得了准单模运转。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38633967

  1. 半导体激光器谐振腔

  2. 目前半导体激光器的发展有三个主要动向，第一，研制与低损耗、低色散光纤相适应的长波长(1~1.5 μm)激光器；第二，研制各种条形结构，以获得低阈值、线性好、单模长寿命激光器件；第三，设计各种谐振腔，改进激光器模结构，获得单模运转以及适合于光通讯及集成光学对光源的要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38628552

  1. 高亮度大功率宽条形半导体激光器腔面氮氢钝化研究

  2. 提升宽条形半导体激光器腔面抗光学灾变（COD）能力，改善宽条形半导体激光器的输出工作特性，一直是高亮度大功率宽条形半导体激光器器件工艺研究的核心。基于氮氢混合气体的等离子体反应钝化原理，通过AlN高效导热薄膜作为腔面钝化保护层，实现器件最大输出功率提高达66.7%；连续电流工作时，3.5 W功率输出的情况下，其千小时退化率小于0.73%。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38713061

  1. 长腔式Cd扩散条形In GaAsP/InP DH激光器纵模特性的实验研究

  2. 本文报道了1.3μm Cd扩散条形长腔式In GaAsP/InP DH激光器的制作和特性测试.实验结果表明,长腔激光器能在较大的注入电流范围内实现单纵模工作.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38668243

  1. (GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形DH激光器的退化原因

  2. 对研制的(GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形DH激光器的退化原因进行了实验分析。结果表明:快退化主要起因于有源区内的暗点、暗线及暗区等缺陷的增殖;腔面氧化是限制寿命在千小时的原因之一;质子轰击引入的点缺陷移入有源区是器件限制寿命在万小时的原因之一。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38741317

  1. 长腔半导体激光器中的纵模行为

  2. 实验发现并从理论上证明腔长很长的质子轰击条形GaAs-GaAlAs激光器,能在阈值以上某较宽电流范围内实现稳定单纵模工作.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38592847

  1. 20 kHz窄线宽光纤光栅外腔半导体激光器

  2. 采用多量子阱掩埋条形(BRS)增益芯片和拉锥光纤布拉格光栅(FBG)，制作了1.5 μm 波段FBG 外腔式窄线宽半导体激光器。封装后器件实现了全电流范围内稳定单模窄线宽激光输出。30~250 mA 驱动电流下线宽小于15.48 kHz，实测最小线宽为6.42 kHz，频率稳定度为7.2×10-8/s，边模抑制比大于40 dB，最大出纤功率大于10 mW。这种集成窄线宽激光器性能优异，且制作成本低，工艺简单，适于批量生产，可应用于400 Gb/s相干通信系统的发射源与接收机本振源。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-04
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38690830
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