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  1. 基于氧化钒微测辐射热计的室温太赫兹探测器研究

  2. 基于氧化钒微测辐射热计的室温太赫兹探测器研究

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2016-05-10
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：u011318409

  1. 溶胶-凝胶法沉积纳米结构二氧化钒薄膜的光诱导活性太赫兹超材料

  2. 提出了利用二氧化钒（VO2）的光激发特性，结合VO2薄膜和双共振超材料的动态共振太赫兹（THz）功能器件，以实现超快的外部空间太赫兹波主动操纵。设计的超材料实现了双共振频率之间的0.28-0.36 THz的通带，并使用VO2薄膜来控制空间THz波的透射率。在静态实验中已观察到超过80％的调制深度，而动态实验结果表明，这种有源超材料可实现在0.34 THz载波上加载的高达1 MHz幅度调制信号，而无需任何低噪声放大设备。该结构的电磁特性和光感应动态特性可能在THz功能组件中具有许多潜在应用，包括调

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38720256

  1. 时间分辨太赫兹光谱显示钨掺杂二氧化钒纳米颗粒薄膜的超快太赫兹调制特性

  2. 时间分辨太赫兹光谱显示钨掺杂二氧化钒纳米颗粒薄膜的超快太赫兹调制特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38731123

  1. 与二氧化钒混合的双波段可重构编码超颖表面，以太赫兹频率进行波前处理

  2. 与二氧化钒混合的双波段可重构编码超颖表面，以太赫兹频率进行波前处理

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38688969

  1. 二氧化钒薄膜光致绝缘体-金属相变的太赫兹时域光谱研究

  2. 二氧化钒薄膜在光的照射下,会从绝缘体相变为金属,伴随有电导率的剧变,该现象称之为光致绝缘体-金属相变。二氧化钒薄膜的这种相变对于太赫兹波段的调制器或者其他功能器件有重要应用。利用太赫兹时域光谱技术研究了二氧化钒薄膜光致绝缘体-金属相变前后的透射光谱变化,分析了该薄膜的这种光致相变在太赫兹波段的特性。实验中二氧化钒薄膜相变成金属的过程分别通过连续激光照射和飞秒激光照射实现。两种照射方式下,均观察到了明显的太赫兹波形变化,并且随着照射光功率的增大,信号的幅度衰减以及时域波形畸变逐渐加剧。进而通过对透

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38656400

  1. 高调制度光致相变特性氧化钒薄膜太赫兹时域频谱研究

  2. 基于太赫兹 （ＴＨｚ）时域频谱技术研究了飞秒激光激发下氧化钒纳米薄膜的光致绝缘体金属相变特性。利用直流磁控溅射法在不同条件下制备了一系列蓝宝石基底上的氧化钒薄膜，通过测量薄膜发生光致相变后太赫兹波的透射率来评估成膜质量，得出在溅射时间６０ｍｉｎ不变的情况下，退火时间和退火温度分别为６０ｓ和５６０ ℃时可以得到性能非常良好的氧化钒薄膜。在上述最佳条件下制备的氧化钒薄膜的相变深度可达８０％。利用薄膜近似计算了太赫兹波段氧化钒薄膜在光致相变过程中电导率的变化，计算结果表明电导率实部在１０３ Ω－１·ｃ

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-20
    • 文件大小：917504
    • 提供者：weixin_38721398

  1. 基于混合石墨烯-二氧化钒超材料的太赫兹可调宽带吸收器

  2. 提出了一种基于混合石墨烯-二氧化钒超材料的可切换多功能太赫兹宽带吸收器的有效设计。由于单元结构的对称性,该吸收器在电磁波垂直入射时具有极化不敏感特性,并且在宽入射角范围内仍能保持良好的吸收性能。数值仿真结果表明:利用相变材料二氧化钒独特的从绝缘体到全金属态的过渡特性,通过调节其电导率可以动态地调谐宽频吸收谱的幅值。通过施加外部偏置电压来调整石墨烯的费米能级,可将宽频吸收光谱的峰值吸收率从0.226调整至0.992。通过同时改变两个独立可控的参数(二氧化钒的电导率和石墨烯的费米能级),所提出的器件

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：13631488
    • 提供者：weixin_38610657

  1. 快速热处理对磁控溅射VO2薄膜光电特性的影响

  2. 采用反应磁控溅射法制备二氧化钒(VO2)薄膜，并对其进行快速热处理(RTP)。主要研究500 ℃快速热处理10、15、20 s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化。在20 ℃~80 ℃温区内，应用四探针薄膜电阻测试方法和太赫兹时域频谱技术(THz-TDS)测量了各样品的电学相变特性和光学相变特性。结果表明，经过快速热处理的样品电学相变幅度均达到了2个数量级以上；THz波的透射率在半导体金属相变前后的最大变化达到了57.9%。同时发现，热处理500 ℃，10 s时VO2的电学和光学相变幅度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38537941

  1. 高调制度光致相变特性氧化钒薄膜太赫兹时域频谱研究

  2. 基于太赫兹(THz)时域频谱技术研究了飞秒激光激发下氧化钒纳米薄膜的光致绝缘体金属相变特性。利用直流磁控溅射法在不同条件下制备了一系列蓝宝石基底上的氧化钒薄膜，通过测量薄膜发生光致相变后太赫兹波的透射率来评估成膜质量，得出在溅射时间60 min不变的情况下，退火时间和退火温度分别为60 s和560 ℃时可以得到性能非常良好的氧化钒薄膜。在上述最佳条件下制备的氧化钒薄膜的相变深度可达80%。利用薄膜近似计算了太赫兹波段氧化钒薄膜在光致相变过程中电导率的变化，计算结果表明电导率实部在103 Ω-1·

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38663452