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搜索资源列表

  1. Nand ECC校验和纠错 详解(转)

  2. ECC 的全称是 Error Checking and Correction，是一种用于 Nand 的差错检测和修正算 法。如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NAND Flash 出错的时候一般不会造成整 个 Block 或是 Page 不能读取或是全部出错，而是整个 Page（例如 512Bytes）中只有一个或 几个 bit 出错。ECC 能纠正 1 个比特错误和检测 2 个比特错误，而且计算速度很快，但对 1 比特以上的错误无法纠正，对 2 比特以上的错误不保证能检测。

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-04-18
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：SOSO222

  1. TI NAND FLASH WRITE GUIDE

  2. 基于TI的DSP程序烧写及BOOTLOADER的使用U-BOOT等，主要用于linux系统

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-03-08
    • 文件大小：252928
    • 提供者：andrew_hxp

  1. NAND+Flash控制器的设计与验证

  2. NAND+Flash控制器的设计与验证,用于flash的读写操作。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-04-16
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：wwyy2010

  1. nand flash读写程序（实验）

  2. 该实验程序完成了land flash的读写测试，包括串口打印输出功能，适用于fl2440，ok2440上的k9f**（2K） nand falsh读写实验代码

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-06-15
    • 文件大小：75776
    • 提供者：zhongli_csdc

  1. nand flash仿真模型

  2. nand flash仿真模型，应用于nand flash的控制器

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-09-08
    • 文件大小：52224
    • 提供者：adu5229543

  1. init.bin J-LINK V8间接烧录 2440 NAND需要这个文件

  2. 配合特制的u-boot.bin文件，用于J-LINK V8间接烧录2440开发板NAND

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-08-22
    • 文件大小：6144
    • 提供者：bravegen

  1. u-boot.bin_openjtag和init.bin（用于nand flash实验）

  2. u-boot.bin_openjtag和init.bin（用于nand flash实验）

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2013-01-04
    • 文件大小：88064
    • 提供者：arsenalwinner

  1. 　　Nand ECC校验和纠错详解(转)

  2. ECC的全称是Error Checking and Correction，是一种用于Nand的差错检测和修正算法。如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有一个或几个bit出错。ECC能纠正1个比特错误和检测2个比特错误，而且计算速度很快，但对1比特以上的错误无法纠正，对2比特以上的错误不保证能检测。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2013-08-27
    • 文件大小：374784
    • 提供者：u011761524

  1. 大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系统中的设计与实现

  2. 存储空间是按照块和页的概念来组织的，一个芯片分为1 024个块，每个块有32页，每一页有528 B。528 B中分为512 B的数据区和16个字节的空闲区，空闲区用于存放ECC代码、坏块信息和文件系统相关代码。一个528 B的数据寄存器作为数据缓冲单元，用来实现I/0缓冲和存储器之间的数据传输。芯片的存储阵列组织如图2所示。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2008-10-15
    • 文件大小：367616
    • 提供者：xxxiun

  1. 一个用于NAND flash上的文件系统--YAFFS文件系统

  2. 一个用于nand flash上的文件系统，且是专门针对nand闪存设计的嵌入式文件系统，目前有YAFFS和YAFFS2两个版本。

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2009-02-20
    • 文件大小：32768
    • 提供者：xiaoqiang2080

  1. NAND flash仿真模型

  2. flash的仿真模型，用于flash控制器的验证

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2009-03-13
    • 文件大小：849920
    • 提供者：u010206565

  1. 3D Nand FTL映射管理方案

  2. 一种使用于3D Nand Flash的映射管理方案，做FTL的可以进行参考。

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2018-02-04
    • 文件大小：266240
    • 提供者：ibanezjem

  1. 存储/缓存技术中的三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘

  2. 三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。 　　三星（Samsung）早在2015年8月就发布其256Gb的3位元多级单元（MLC） 3D V-NAND快闪存

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：601088
    • 提供者：weixin_38659248

  1. 美光推出行业密度最高的块抽象化NAND闪存产品系列

  2. 美光科技股份有限公司日前公布其高密度系列的块抽象化(BA) NAND闪存，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决方案，使用美光业内领先的34纳米工艺技术 - 将MLC NAND与一个内存控制器相结合，无需对控制器/系统进行费力的重设计即可采用后续世代的NAND。 　　当前，多数NAND闪存的主控制器的任务是管理关键的NAND功能，例如块管理和损耗均衡算法，以及提供足够的错误校正代码(ECC)覆盖以确保系统稳定性。但是，由于这些功能随着每一代的NAND变得更加先进，设计者

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38552305

  1. 东芝推出业界最高容量（64GB）的嵌入式NAND闪存模块

  2. 东芝近日宣布推出64GB嵌入式NAND闪存模块，该容量是目前业内的最高容量。64GB模块是一系列6款新型嵌入式NAND闪存模块的旗舰产品。该系列产品完全符合最新的 e·MMCTM 标准，可用于各种数字消费产品，包括智能电话、手机、笔记本和数码摄像机。64GB样品于今日推出，量产从2010年第1季度开始。 　　64GB模块收纳了16枚采用东芝32nm 制程技术的32Gbit (=4GB) NAND芯片和一个专用控制器。东芝是第一家成功组合16枚32Gbit NAND芯片的公司。通过先进的芯片薄化

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：137216
    • 提供者：weixin_38630091

  1. 三星电子推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器

  2. 近日，三星电子(SAMSUNG)有限公司宣布推出业界首个20纳米级(nm)NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32Gb MLC NAND产品采用尖端技术，扩展三星电子公司的存储器卡解决方案,用于智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡。 　　与30纳米级MLC NAND相比，三星电子的20纳米级MLC NAND提高50%的生产水平。基于20纳米级、8GB和更高密度、SD卡的写入性能比30纳米级 NAND提高30%，器件提供10级额定速度(读取速度为20MB/s，写入

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38751177

  1. TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI

  2. TDK 公司近日宣布开发出GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI，该产品计划于九月份开始销售，生产能力预计为100,000单元/月。GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，与2K字节/页和4K字节/页的NAND闪存兼容。该控制器支持单级单元 (SLC) 和多级单元(MLC) NAND 闪存，实现了从128M字节到1 G字节(SLC) 和256M字节到32G字节(MLC)的高速闪存存储容量，因而该控制器适用的应用领域非常广泛。此外，该控制器具有128针

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：71680
    • 提供者：weixin_38506852

  1. 东芝推出行业内最大容量＊1的嵌入式NAND闪存

  2. 东芝宣布推出多款最大容量为32GB的嵌入式NAND闪存模块，并宣布这些产品完全符合e-MMC＊2和eSD＊3标准。这些嵌入式产品用于移动数码消费产品，包括手机和数码相机。样品将于2008年9月出厂，从第四季度开始量产。 　　该款32GB嵌入式新产品采用东芝先进的43nm制程技术，收纳了8枚32Gbit（=4GB）的NAND芯片和一个专用控制器。新产品完全符合JEDEC/MMCA Ver 4.3＊4和SDA Ver 2.0＊5标准以及MultiMediaCard Association（多媒体

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：47104
    • 提供者：weixin_38667207

  1. NAND闪速存储器的ID读操作

  2. ID代码是为了主机自动识别与总线连接的器件的制造商名称／器件型号而设置的。ID读指令用于读取该ID代码。  　　图1图示了ID读操作的流程。图2图示了发送ID读指令的操作。 　　图1 ID读指令的躁作流程 　　图2 ID读指令的操作 　　在读取ID时，发送ID读指令（90h）之后，写人00h作为地址。由于90h是指令，所以虽然将OLE设为有效（高电平），但由于紧跟着的00h是地址值，所以CLE无效（低电平），而ALE有效（高电平）。  　　完成这样的流程后，通过下面2次的读取，可以

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：79872
    • 提供者：weixin_38598213

  1. NAND闪速存储器的复位操作

  2. 复位操作通过指令代码FFh的写人来进行。一旦发出该指令，内部用于编程／擦除的升压电路将断开，编程／擦除电压放电直至电压为0V。在放电这段时间内，R／B信号维持为Busy状态（低电平）。 　　利用复位指令，地址寄存器的各个位全部为“0”，数据寄存器中的位都为“1”。 　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）  来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：24576
    • 提供者：weixin_38706747
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