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硅格UD6809和UD6810芯片方案量产工具
硅格UD6809和UD6810芯片主控方案的量产工具
所属分类:
嵌入式
发布日期:2011-01-07
文件大小:1048576
提供者:
lucz8
SiliconGo硅格T20量产工具v1.6.3.0_20120516.rar
软件介绍: 看软件说明,貌似仅支持UD6816、UD6808、T20芯片,其他主控不知道能不能用。设定密码默认为空。扫描设置:高级扫描/低级扫描U盘设置:普通盘、加密盘、Autorun盘(即U盘启动盘)分区类型设置:可移动盘、写保护、拷贝文件。可自定义设置固定容量。其他设置:厂商设定/LED状态设定。注意事项 :如果U盘本身是启动盘、加密盘、AUTORUN盘时,如重新烧录成其他功能盘,需要将U盘格成普通盘后,再量产成其他功能盘。T18/UD6810/UD6809/T19使用1.5.x.x系列版
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-04
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38743481
硅格SG1580/SG1581主控量产工具V1.8.6.1.778.rar
软件介绍: 硅格SG1580/SG1581主控量产工具MPTools V1.8.6.1.778_160509。软件的默认设置密码为空,功能包括设置扫描方式:高级扫描、低级扫描;分区配置功能很有用,在这里可以设置闪存盘模式,比如将普通的U盘转换为加密盘,U盘启动盘等,还可以设置分区磁盘类型与文件系统,设置ISO文件路径与磁盘类型。制作Autorun盘(启动U盘)时,需要将事先准备好的iso文件命名为AutoRun.iso,然后放入量产工具AUTORUN文件夹下,覆盖掉原来的文件即可。
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-04
文件大小:8388608
提供者:
weixin_38743481
最新硅格SG1580-SG1581主控量产工具V20160106.rar
软件介绍: 2016年最新版本的硅格SG1580-SG1581主控量产工具,本工具由硅格官方的Joker研发经理发布,如果你有此芯片U盘,可以使用它来修复U盘,制作加密盘或者U盘启动盘。完全中文化操作界面使用非常简单,需要注意的是,如果要创建ISO启动盘,需要将你的ISO镜像文件替换工具AUTORUN目录下面的AutoRun.iso文件。虽然是16年新版,由于作者没有提供更新文档,所以暂时不清楚更新了什么。
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-05
文件大小:7340032
提供者:
weixin_38743602
硅格T20主控芯片U盘量产工具V1.0.0.6.100_151221.rar
软件介绍: 15年底最新版本的硅格T20主控量产工具,程序来自硅格官方。当你的U盘出现软故障时,或者你想制作U盘启动盘,都可以使用这个工具来完成。还能创建加密型U盘,设置U盘序列号及SCSI客户产品信息,设置USB客户产品信息。如果想制作启动盘,需要将事先准备好的ISO文件命名为AutoRun.iso,并将它放到量产工具目录下的AUTORUN文件夹,替换原来的文件。本软件为硅格的Joker提供,完全原厂工具。
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-05
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38743506
硅格SG1580/SG1581主控量产工具V1.8.6.0.888_151023.rar
软件介绍: 硅格官方放出来的量产工具,用于SG1580/SG1581芯片量产使用,软件的版本号为V1.8.6.0.888。用于设置闪存盘类型:普通盘、加密盘、AUTORUN自动播放盘即U盘启动盘,还可以设置U盘文件系统为默认或FAT32。支持设置写保护及拷贝文件,设置分区1分配容量,可设置SLC模式及扫描模式,高级扫描低格扫描。
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-05
文件大小:7340032
提供者:
weixin_38744375
硅格SG1580-SG1581芯片MPTools V1.8.6.0.332量产工具.rar
软件介绍: 硅格官方放出的SG1580-SG1581芯片U盘量产程序,默认是无设置密码的。可自动检测U盘使用的FLASH闪存类型,可高级/低级扫描U盘,支持配置BIN级别。量产U盘为加密型U盘、普通U盘或者ISO U盘启动盘。支持设置LED空闲及忙碌状态,设置U盘的厂商及VIDPID等信息。
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-05
文件大小:7340032
提供者:
weixin_38744270
硅格SG1580SG1581主控量产工具.zip
硅格SG1580SG1581主控量产工具,可以对相应u盘进行量产。硅格SG1580/SG1581主控量产工具MPTools,制作Autorun盘(启动U盘)时,需要将事先准备好的iso文件命名为AutoRun.iso,然后放入量产工具AUTORUN文件夹下,覆盖掉原来的文件即可。有需要的赶快下载吧!
所属分类:
其它
发布日期:2020-03-11
文件大小:9437184
提供者:
lxl11257
苯乙炔基封端的聚(硅乙炔-4,4‘-二苯醚)的合成和性能
苯乙炔基封端的聚(硅乙炔-4,4‘-二苯醚)的合成和性能,徐金峰,沈永嘉,利用格氏试剂,缩合二氯硅烷和二乙炔基联苯醚,用苯乙炔作为封端剂,我们合成了苯乙炔基封端的聚(硅乙炔-4,4‘-二苯醚){C6H5-C
所属分类:
其它
发布日期:2020-03-01
文件大小:307200
提供者:
weixin_38613330
SiliconGo硅格量产工具MP6105 v1.2.0.9.rar
软件介绍: SiliconGo硅格主控U盘量产工具:MP6105 v1.2.0.9_03252011AIN6105 USB Mass Production Tool v1.2.0.9生产模式:高格 低格 低格/高格ECC扫描设定:0-30频率设定:强制读取频率/强制写入频率记忆体级别设定:一般(速度优先)/容量优先容量模式设定:自动/固定容量/容量分级其他功能:格式化U盘。
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-04
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38744435
硅格6810量产工具MPTool_A1_V1.1.5.rar
软件介绍: 硅格6810量产工具,版本号V1.1.5可以自定设置以下功能:闪存盘设置:普通盘、加密盘、Autorun盘、启动盘登陆区卷标 光盘卷标 启动方式分区类型:可移动盘、本地盘;设置分区一和二的容量;高级用户使用:插入设备自动量产 量产完成后自动弹出设备 打上原厂坏块标记优化容量,设置厂商信息;
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-03
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38743481
silicongo硅格T18量产工具v1.5.4.0.rar
软件介绍: silicongo硅格T18专用量产工具,支持高级扫描/低级格式化U盘,控制LED空闲及忙碌状态,闪存盘可以量产成普通盘、加密盘以及Autorun自动启动盘。还可以优化U盘,设置固定容量。内附help.pdf为操作说明。
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-03
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38743481
种植氮后硅晶片<111>和<004>的特性
在本文中,为了以25 keV的能量,24μA/ cm2的密度和5×1013原子/ cm2、1×1014原子/ cm2的剂量向硅中注入氮离子,进行了不同的工作和实验步骤。以及在室温(缺乏热相)且没有退火的情况下,给出1×1015原子/ cm2(根据种植时的计算和施用时间)。 XRD分析在种植前后进行,以观察晶格的变化以及在这种情况下形成氮化硅结晶相的可能性。 此外,还进行了晶格排列变化的研究和AFM分析,以观察表面的形貌。 此外,由于光学性能的变化,对表面粗糙度和离子注入在表面上引起的变化进行了研
所属分类:
其它
发布日期:2020-06-05
文件大小:3145728
提供者:
weixin_38688855
格科微成功研发TSI图像传感器制造技术
GalaxyCore Inc. (格科电子有限公司,“格科微”),中国内地规模最大、技术最先进的CMOS图像传感器设计公司,日前宣布其在台湾积体电路制造股份有限公司(“TSMC”)的12寸90nm(奈米)逻辑平台上研发的“透硅成像”(Through Silicon Illumination, 简称“TSI”)图像传感器制造技术取得成功,并即将进入量产阶段。 格科微的TSI技术具有全面的自主知识产权,包括电路设计、像素版图设计以及与像素相关的工艺流程技术。该技术可以用于大规模制造1.75μm
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-19
文件大小:53248
提供者:
weixin_38526225
显示/光电技术中的硅中的光调制机制
调制即是通过施加电信号改变光波导中光的相位、强度和偏振等特征,以达到用光来传输信号的目的。硅的调制比较普遍的是利用载流子的注入或耗尽,而不是利用通常的电场效应,下面介绍几种调制机制。 1.普克尔效应 普克尔效应也叫线性电光效应,即材料的实折射率随外加电场变化而变化,它与电场相对于晶轴的方向有关。由于硅晶格的对称性,所以普克尔效应不存在,无法利用它进行调制。 2.克尔效应 克尔效应也叫二阶电光效应,即实折射率与电场平方的关系。硅虽然具有这种效应,IF是十分微弱。Soref等
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-13
文件大小:95232
提供者:
weixin_38623000
显示/光电技术中的硅光波导中损耗的分类
光波导的散射分为两种类型:体散射和界面散射。体散射是由于光波导体材料的缺陷造成的,如空洞、杂质原子和晶格缺陷等。界面散射是由于光波导芯层和包层界面的粗糙度引起的。体散射在硅材料中一般可以忽略。但如离子注入等工艺引入较多的晶格缺陷时,这类损耗也不可忽视。体散射损耗与缺陷数目、传输波长尺寸、沿着光波导的相关长度等参数有关。界面散射损耗研究广泛,相关的计算方法也有不少,我们引入一种比较简单的方法,即Tien等人在1971年提出来的基于表面功率镜面反射的理论囵。条件是相关长度较长,这是在大多数情况下都比
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-13
文件大小:80896
提供者:
weixin_38629362
通过基于硅烯的曲折和扶手椅结的电子传输
使用密度泛函理论和非平衡格林函数技术几种ZAZSiNR结的传输特性的理论研究发现由硅藻土和扶手椅硅碳纳米管结合而成的硅分子连接处。 三个系统的差分电导以5-ZAZ44-ZAZ43-ZAZ的顺序减小。 特别是,负偏置电阻(NDR)可以在不确定的偏置电压下进行观察范围仅在3-ZAZSiNRs中。为了阐明NDR行为的机制, 光谱和分子投影自洽哈密顿(MPSH)状态进行了详细讨论。
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-17
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38741950
纳秒脉冲激光在硅表面产生二维维格纳晶体
纳秒脉冲激光在硅表面产生二维维格纳晶体
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-13
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38565631
尺寸控制的nc-Si:H / a-SiC:H量子点超晶格及其在氢化非晶硅太阳能电池中的应用
尺寸控制的nc-Si:H / a-SiC:H量子点超晶格及其在氢化非晶硅太阳能电池中的应用
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-12
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38660579
使用大晶格失配感应应力控制技术在Si衬底上生长的高迁移率AlGaN / GaN异质结构
具有低Al含量的AlGaN层的大晶格失配引起的应力控制技术具有用于生长4英寸高品质GaN层。 硅衬底。 这项技术的使用允许电子迁移率为2040 cm2 /(Vs)的高迁移率AlGaN / GaN异质结构电荷密度为8.41012cm2。 应变松弛和位错演化机制有被调查了。 结果表明,低铝含量之间存在较大的晶格失配AlGaN层和AlN缓冲层可以有效地促进边缘位错的倾斜相对较大的弯曲角度,因此大大降低了GaN中的位错密度外延层。 我们的结果显示出低成本和高性能制造的巨大潜力GaN-on-Si功率器件。
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-07
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38691194
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