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  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题，还讲解了关于面试的问题该如何解答，对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-10-12
    • 文件大小：664576
    • 提供者：fromnewword

  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电，因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题，希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-08-18
    • 文件大小：628736
    • 提供者：maosheng007

  1. 模拟技术中的硅-硅直接键合的工艺模拟

  2. 硅-硅直接键合工艺是一个复杂的过程，受许多客观的工艺条件和工艺水平的限制。硅-硅直接键合工艺还没有象IC工艺发展的那样成熟，对工艺的各项单项工艺的结果进行计算模拟，为设计工艺条件提供可靠的依据。本章主要工作是建立硅-硅直接键合单项工艺的物理数学模型，根据实际的工艺条件推导出它们的理论结果，对硅片键合的结果进行预测，并且与实际其它测量设备的测量结果进行比较，改进和完善工艺的物理数学模型，建立一套完整的键合工艺IP库，使键合工艺象IC工艺一样可以直接模拟。目前，主要进行了三方面的工作：（1）硅-硅直

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：35840
    • 提供者：weixin_38728555

  1. 硅-硅直接键合杂质分布模型

  2. 硅-硅直接键合杂质分布模型 在键合过程中，为了使两抛光硅片在室温下良好地贴合在一起，先对硅片进行表面处理，使表面生成一薄层本征二氧化硅以吸附OH集团，界面上的羟基（－OH）发生聚合反应生成二氧化硅，Si－OH+OH－Si→Si－O－Si+H2O。因此键合硅片界面有氧化层存在。实验证明，氧化层厚度在200－600℃范围内随温度升高而降低，600-1200℃范围内，厚度恒定[2] 。因此，硅-硅直接键合的物理模型如图3.5所示，两硅片中间存在厚度一定的本征二氧化硅层。设两键合硅片初始时为均匀掺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：40960
    • 提供者：weixin_38690275

  1. 界面本征氧化层对杂质分布的影响

  2. 根据§3.1.2界面氧化层模型给出的非化学计量比的SiOw给出的杂质扩散系数D(w)和分凝系数m(w)，把它们带入§3.1.4硅-硅直接键合杂质分布模型，可以得出通过界面本征氧化层后杂质在各区的分布： 硅-硅直接键合的硅片中间存在一层很薄的氧化层，其化学成分是非化学计量比的氧化物SiOw（0 < w < 2）。杂质在界面氧化层SiOw中的扩散系数与其化学组成成分有关，即与w有关。利用杂质在硅和二氧化硅中扩散的激活能的线性近似，推导出杂质在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38559569

  1. 硅－硅直接键合工艺机理和模拟的研究

  2. 硅-硅直接键合技术是一项重要的技术，可广泛应用于SOI、MEMS和大功率器件。对于大功率器件，由于键合界面通过大电流并要承受高压，界面的杂质分布、界面本征氧化层、空洞等对器件的击穿电压、串联电阻等电学性能有很大的影响，要求杂质分布陡、无界面本征氧化层和空洞。所以，用于大功率器件的疏水硅-硅直接键合技术是要求最高、难度最大、也是非常重要的键合技术之一，具有重要的研究意义。 本论文的研究工作是围绕大功率器件的硅-硅直接键合技术展开的：研究键合工艺机理以消除界面空洞，研究工艺模型以模拟键合过程中杂质分

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38696590