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  1. 氮气气氛不同时氧化钒薄膜时间退火特性研究

  2. 对磁控溅射法制备的氧化钒(VOx)薄膜在N2气氛中进行了不同时间的450 ℃退火实验,并研究了其退火前后的形貌、结构、成分和电学特性的变化。电阻温度特性测试表明,退火后薄膜的电阻(R)和电阻温度系数(TCR)都明显增大。从扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)图像可以观察到,薄膜在退火后其晶粒尺寸和粗糙度都大大增加。由X射线衍射(XRD)分析得知薄膜退火前是非晶的,而在退火后出现V2O5(0 0 1)和VO2(0 1 1,1 -1 0)以及V2O3(1 1 3)结晶相。X射线电子谱(X
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-04
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:weixin_38752459
  1. 高调制度光致相变特性氧化钒薄膜太赫兹时域频谱研究

  2. 基于太赫兹 (THz)时域频谱技术研究了飞秒激光激发下氧化钒纳米薄膜的光致绝缘体金属相变特性。利用直流磁控溅射法在不同条件下制备了一系列蓝宝石基底上的氧化钒薄膜,通过测量薄膜发生光致相变后太赫兹波的透射率来评估成膜质量,得出在溅射时间60min不变的情况下,退火时间和退火温度分别为60s和560 ℃时可以得到性能非常良好的氧化钒薄膜。在上述最佳条件下制备的氧化钒薄膜的相变深度可达80%。利用薄膜近似计算了太赫兹波段氧化钒薄膜在光致相变过程中电导率的变化,计算结果表明电导率实部在103 Ω-1·c
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-20
    • 文件大小:917504
    • 提供者:weixin_38721398
  1. 磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究

  2. 磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-20
    • 文件大小:327680
    • 提供者:weixin_38735544
  1. 快速热处理对磁控溅射VO2薄膜光电特性的影响

  2. 采用反应磁控溅射法制备二氧化钒(VO2)薄膜,并对其进行快速热处理(RTP)。主要研究500 ℃快速热处理10、15、20 s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化。在20 ℃~80 ℃温区内,应用四探针薄膜电阻测试方法和太赫兹时域频谱技术(THz-TDS)测量了各样品的电学相变特性和光学相变特性。结果表明,经过快速热处理的样品电学相变幅度均达到了2个数量级以上;THz波的透射率在半导体金属相变前后的最大变化达到了57.9%。同时发现,热处理500 ℃,10 s时VO2的电学和光学相变幅度
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-09
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_38537941
  1. 磁控溅射功率对光学氧化钒薄膜结构和性能的影响

  2. 采用射频磁控溅射法制备氧化钒(VOx)薄膜,研究溅射功率对氧化钒薄膜结构、光学及力学性能的影响。利用表面轮廓仪、X 射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计、椭偏仪及纳米压痕仪分析在不同溅射功率下制备的氧化钒薄膜的沉积速率、物相结构、表面形貌、紫外-近红外光透射率、折射率、吸光度以及硬度和弹性模量。结果表明,各功率参数下沉积的氧化钒薄膜的光透射率基本都大于80%,属于弱吸收透明膜。随溅射功率的增大,薄膜的沉积速率、硬度和可见光范围内的折射率都单调增大,而表面粗糙度则出现先增大后减小的变化。溅射功率对
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-07
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38607554
  1. 高调制度光致相变特性氧化钒薄膜太赫兹时域频谱研究

  2. 基于太赫兹(THz)时域频谱技术研究了飞秒激光激发下氧化钒纳米薄膜的光致绝缘体金属相变特性。利用直流磁控溅射法在不同条件下制备了一系列蓝宝石基底上的氧化钒薄膜,通过测量薄膜发生光致相变后太赫兹波的透射率来评估成膜质量,得出在溅射时间60 min不变的情况下,退火时间和退火温度分别为60 s和560 ℃时可以得到性能非常良好的氧化钒薄膜。在上述最佳条件下制备的氧化钒薄膜的相变深度可达80%。利用薄膜近似计算了太赫兹波段氧化钒薄膜在光致相变过程中电导率的变化,计算结果表明电导率实部在103 Ω-1·
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-05
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_38663452
  1. 氧分压对溅射氧化钒薄膜结构和透光性能的影响

  2. 采用射频磁控溅射法,在K9 抛光玻璃基底上沉积氧化钒(VOx)薄膜,研究在其他参数保持不变时氧分压参量对薄膜的结构、表面质量及透光性能的影响。利用表面轮廓仪、X 射线衍射仪、原子力显微镜及分光光度计分别对样品的沉积速率、物相结构、表面形貌和紫外-近红外光透射率进行分析。结果表明,制备的VOx薄膜的晶相随氧分压不同发生改变,调整氧分压在可见-近红外光区域可获得弱吸收的光学膜,但氧分压过高只能获得低的薄膜沉积速率,氧分压对薄膜表面粗糙度及晶体生长模式也有不同程度的影响。本文对实验结果进行了分析和讨论
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-05
    • 文件大小:613376
    • 提供者:weixin_38736562