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  1. 表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管

  2. 表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管，林广庆，李鹏，分别采用六甲基二硅胺(HMDS, Hexamethyldisilazane)和聚苯乙烯/氯硅烷复合材料修饰聚乙烯基苯酚(PVP)绝缘层制备了底接触的有机薄膜晶体管并�

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    • 发布日期：2020-03-10
    • 文件大小：903168
    • 提供者：weixin_38518518

  1. 磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管

  2. 磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管，张莹莹，王雄，采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜。该薄膜具有（111）晶面择优取向，晶粒尺寸达到33 nm。利用光刻工艺制作了以In2O3晶

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-29
    • 文件大小：323584
    • 提供者：weixin_38559727

  1. 石墨烯电极的有机薄膜晶体管研究

  2. 石墨烯电极的有机薄膜晶体管研究，陈世琴，陈梦婕，利用化学气相沉积法（CVD）生长的高性能的层状石墨烯，通过转移和图案化后用作电极，制备了底接触的并五苯有机薄膜晶体管（OTFTs）�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-20
    • 文件大小：736256
    • 提供者：weixin_38514322

  1. 溶液法制备基于苯并二噻吩衍生物的空气稳定的n-型有机薄膜晶体管

  2. 溶液法制备基于苯并二噻吩衍生物的空气稳定的n-型有机薄膜晶体管，陈仕艳，徐秋舒，本文合成了N-氰亚胺取代的π-共轭体系苯并二噻吩化合物。这类化合物有望作为在空气中稳定的，可用溶液法制备的n型有机薄膜晶体管的

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    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：568320
    • 提供者：weixin_38528180

  1. 谈谈有机薄膜晶体管液晶显示技术

  2. TFT-LCDTFT-LCD是薄膜晶体管液晶显示器。TFT-LCD技术是微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的一种技术。人们利用在Si上进行微电子精细加工的技术，移植到在大面积玻璃上进行TFT阵列的加工

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-10
    • 文件大小：107520
    • 提供者：weixin_38681147

  1. 薄膜晶体管液晶显示器技术

  2. TFT-LCD结构。薄膜晶体管液晶显示器由显示屏、背光源及驱动电路三大核心部件组成。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-11
    • 文件大小：106496
    • 提供者：weixin_38751905

  1. 谈谈有机薄膜晶体管液晶显示技术

  2. TFT-LCDTFT-LCD是薄膜晶体管液晶显示器。TFT-LCD技术是微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的一种技术。人们利用在Si上进行微电子精细加工的技术，移植到在大面积玻璃上进行TFT阵列的加工

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-10
    • 文件大小：107520
    • 提供者：weixin_38675232

  1. 元器件应用中的TDK新型超薄软性RFID标签运用高性能的薄膜晶体管

  2. TDK株式会社和株式会社半导体能源研究所宣布成功携手开发出用于贴装在软性基板上的RFID标签集成电路（UHF波段和13.56MHz）的技术。该技术运用了高性能的薄膜晶体管来实现RFID集成电路和软性基板的整合。 　　近年来，网络信息处理技术的发展日益迅猛，RFID系统也日益普及。RFID是一项使用无线电波来发送和接受数据的非接触式的技术，将在生产过程合理化及其提速等方面发挥重大作用。 　　使用传统硅片生产出来的LSI芯片问题重重，例如厚度过厚，或无法承受弯曲之类的物理压力。两家公司携手开发了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38656395

  1. 显示/光电技术中的谈谈有机薄膜晶体管液晶显示技术

  2. TFT-LCD          TFT-LCD是薄膜晶体管液晶显示器。TFT-LCD技术是微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的一种技术。人们利用在Si上进行微电子精细加工的技术，移植到在大面积玻璃上进行TFT阵列的加工，再将该阵列基板与另一片带彩色滤色膜的基板，利用与业已成熟的LCD技术，形成一个液晶盒相结合，再经过后工序如偏光片贴覆等过程，最后形成液晶显示器（屏）。    OTFT-LCD     OTFT-LCD是有机薄膜晶体管液晶显示器。传统的TFT-LCD受材料的影响，只能以平

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    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：110592
    • 提供者：weixin_38528086

  1. 具有湿法腐蚀电极的反交错非晶InGaZnO薄膜晶体管的Craft.io开发

  2. 具有湿法腐蚀电极的反交错非晶InGaZnO薄膜晶体管的Craft.io开发

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-23
    • 文件大小：658432
    • 提供者：weixin_38644233

  1. 沟道层厚度对SnSiO薄膜晶体管的影响

  2. 沟道层厚度对SnSiO薄膜晶体管的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-23
    • 文件大小：166912
    • 提供者：weixin_38717171

  1. 退火温度对固溶铝掺杂IZO薄膜晶体管的影响

  2. 退火温度对固溶铝掺杂IZO薄膜晶体管的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-23
    • 文件大小：189440
    • 提供者：weixin_38637918

  1. 具有不同含氧活性层的非晶InGaZnO薄膜晶体管的热稳定性

  2. 具有不同含氧活性层的非晶InGaZnO薄膜晶体管的热稳定性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-23
    • 文件大小：297984
    • 提供者：weixin_38625559

  1. 包含尾态和深态的非晶IGZO薄膜晶体管的基于表面势的显式模型

  2. 包含尾态和深态的非晶IGZO薄膜晶体管的基于表面势的显式模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：515072
    • 提供者：weixin_38725450

  1. 铜酞菁薄膜晶体管用于硫化氢检测

  2. 制造了使用沉积在硅片上的SiO2介电层的底部接触有机薄膜晶体管（OTFT），用于气体传感器应用。 酞菁铜（CuPc）用作OTFT器件的有源层，以测试该器件的电流-电压特性和气敏特性。 当器件在室温下暴露于硫化氢（H2S）气氛中时，在适当的栅极电压和漏极电压下，源极-漏极电流在几分钟之内发生变化。 研究了传感特性对绝缘层厚度的依赖性。 结果表明，与其他基于125 nm和300 nm绝缘层的器件相比，具有195 nm绝缘层的器件表现出最佳的电子和感测性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：1027072
    • 提供者：weixin_38747126

  1. 插入Mn掺杂的TiO“ 2层以提高并五苯有机薄膜晶体管的性能

  2. 插入Mn掺杂的TiO“ 2层以提高并五苯有机薄膜晶体管的性能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38682076

  1. 结合三重O2退火的高度稳定原子层沉积的氧化锌薄膜晶体管

  2. 结合三重O2退火的高度稳定原子层沉积的氧化锌薄膜晶体管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38548507

  1. 基于物理的非晶氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压模型

  2. 基于物理的非晶氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38725119

  1. 氮掺杂非晶InGaZnO薄膜晶体管的瞬态响应特性

  2. 氮掺杂非晶InGaZnO薄膜晶体管的瞬态响应特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38678172

  1. 非密封腔室内非晶InGaZnO薄膜晶体管的环境降解研究

  2. 非密封腔室内非晶InGaZnO薄膜晶体管的环境降解研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：786432
    • 提供者：weixin_38626179
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