您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. DS-TM52M8254_58_64_68_SV094(1).pdf

  2. 十速的芯片资料,也可以在十速官网下载,官网的好像这型号的频率不对。十速 规格书 修改纪录 版次 生效日 修订内容概要 新颁。 1.CRC16位置变更 VP(P3⑦)过零检测参考线路 1.增加MSOP10, TSSOP20 and QFN20封装 2. SFR VBGOUT设置 新增LCD章节 2.增加引脚低电平该唤醒功能批注 修正FRC频率为12.288MHz 更新PWM功能描薤 十速 规格书 目录 使用注意事项 修改纪录 家族 概述 系统框图 基本功能 引脚图 引脚描述 引脚汇总 功能描述
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2019-10-19
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_41593162
  1. 011-FX5用户手册 (MELSEC通信协议).pdf

  2. 本手册中记载了有关MELSEC iQ-F系列的MC协议功能的规格和设定。 在使用之前,请阅读本书以及相关产品的手册,希望在充分理解其规格的前提下正确使用产品。安全方面注意事项 (使用之前请务必阅读。 在安装、运行、保养·检査本产品之前,请务必仔细阅读本使用说明书以及其他相关设备的所有附带资料,正确使用。请在熟 悉了所有关于设备的指示、安全信息,以及注意事项后使用。 在本使用说明书中,安全注意事项的等级用△警告]、[△个注意]进行区分 △警告错误使用时,有可能会引起危险,导致死亡或是重伤事故的发生
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2019-08-23
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:u012253043
  1. FX系列PLC样本.pdf

  2. FX系列PLC样本.pdf巨菱直销WW. OOPLC COM工控论坛 WWNN YMMIFACOM 简介 nevers 基本单元泉述 A-2 选型指南 A-8 25 系统构成 A-12 功能介绍功能一览 A-26 图形操作终端 A-42 World wide. Melsec-F 享誉全球的微型可编程控制器 软件 AS serles ■详细宗述·机型选择 FX1s系列 B FX1N系列 B-2 FXN系列 B-7 FX3系列 B-14 FX3UC系列 2B24 输入输出扩展设备 31 ■模拟量控制
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2019-07-13
    • 文件大小:17825792
    • 提供者:a61650034
  1. 闪速存储器的概要

  2. 闪速存储器的基本存储器单元结构如图1所示。一眼看上去就是n沟道的MOSFET那样的东西,但又与普通的FET不同,特点是在栅极(控制栅)与漏极/源极之间存在浮置栅,闪速存储器利用该浮置栅存储记忆。         图1 闪速存储器的单元结构   浮置栅被设计成可以存储电荷的构造,栅极及主板利用氧化膜进行了绝缘处理,一次积累的电荷可以长时间(10年以上)保持。当然,如果氧化膜存在缺陷,或者由于某种原因使绝缘膜遭到破坏,那么闪速存储器将失去记忆。同时,因为热能必定致使电荷以某概率发生消减,因此
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-14
    • 文件大小:184320
    • 提供者:weixin_38548704
  1. NOR闪速存储器的写周期的概要

  2. 写周期的基本思路如图所示。因为这次是写的方向,所以OE保持高电平,由主机方面赋予数据(DQ0~DQ1)。   图 闪速存储器的写操作   当WE和CE双方都为低电平时,进行写操作的地址被提取到闪速存储器内部。而在WE和瓦双方都变成低电平后,在任何一方上升为高电平阶段(由低电平到高电平的变化中),数据被提取到闪速存储器内部。通过WE进行的写操作称为WE写控制;通过CB进行的写操作称为瓦写控制。一般情况下利用WE写控制的较多,所以图示的也是WE写控制的过程。    写操作时必须要注意的是地址
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-14
    • 文件大小:93184
    • 提供者:weixin_38585666
  1. NOR闪速存储器的读周期的概要

  2. 下面我们来看看闪速存储器读周期的时序。基本的存取方法的思路如图所示。   图  闪速存储器的读操作   将希望访问的地址提供给A0~A16,一旦瓦、醌效(低电平),则由闪速存储器开始读出数据(因为是读操作,所以WE保持高电平)。   数据在何时被确定是由地址.CE.OE各自确定后的延迟时间(存取时间)规定的,是由最迟的时间确定数据的。   例如,Am29F010A-55由地址及GE的存取时间为55ns,由“的存取时间为30ns。如果地址确定了的同时,CE、OE同时有效,则55ns后将出现
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-14
    • 文件大小:71680
    • 提供者:weixin_38699784
  1. EEPROM的概要

  2. EEPROM从大方面分为并行EEPROM和串行EEPROM。并行EEPROM通过与闪速存储器相同的引脚配置可以并行输人输出数据;而串行EEPROM通过8引脚等较小的封装一位一位进行数据传输。表整理并比较了一般闪速存储器、并行EEP-ROM以及串行EEPROM的特点。   表 闪速存储器与EEPROM的比较   并行EEPROM与闪速存储器的不同只是在以1字节为单位进行替换这一点上,其他基本可以进行相同的操作处理。虽然可以连接一般的微型处理器并应用于编程中,但由于前面所叙述的不能增加容量的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-14
    • 文件大小:108544
    • 提供者:weixin_38738783
  1. 单片机与DSP中的PSoC的动态配置能力及其实现方法

  2. 摘要:首先阐述Cypress公司的可编程片上系统(PSoC)的动态配置能力及其实现结构,概要地列出几种对PSoC微控制器在系统编程(ISP)的方法;在此基础上分析CY8C26443-24PI通过。 关键词:可编程片上系统 在系统编程 闪速存储器 非易失性存储器 嵌入式微控制器引言随着集成电路应用的飞速发展,片上系统的结构变的越来越复杂,这对嵌入式微控制器(Embedded MCU)的性能提出了更高的要求。和目前的16位甚至32位的微控制器相比,8位微控制器结构简单、代码密度高,是嵌入式系统
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-10
    • 文件大小:113664
    • 提供者:weixin_38620893