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搜索资源列表

  1. 模拟CMOS集成电路设计1

  2. 本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和锁相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2009-07-15
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：brucezhan

  1. PT22622272编解码集成电路介绍

  2. 编码解码芯片PT2262/PT2272芯片原理简介： PT2262/2272是台湾普城公司生产的一种CMOS工艺制造的低功耗低价位通用编解码电路，PT2262/2272最多可有12位(A0-A11)三态地址端管脚(悬空,接高电平,接低电平),任意组合可提供531441地址码,PT2262最多可有6位(D0-D5)数据端管脚,设定的地址码和数据码从17脚串行输出，可用于无线遥控发射电路。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-10-06
    • 文件大小：736256
    • 提供者：feysans

  1. [模拟CMOS集成电路设计].Design.Of.Analog.CMOS.Integrated.Circuits.-.Behzad.Razavi

  2. 介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-07-12
    • 文件大小：42991616
    • 提供者：a370690317

  1. VLSI 超大规模集成电路制造-01 前言

  2. VLSI 超大规模集成电路制造 前言,课程设计到基层电路制造的工艺和原理。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-10-28
    • 文件大小：13631488
    • 提供者：wuxinghui0373

  1. 集成电路制造工艺原理

  2. 集成电路制造工艺原理 第一章 外延及CAD－－ －－－－4学时 第二章 氧化、扩散及离子注入－8学时 第三章 光刻－－－－－－－－－4学时 第四章 刻蚀－－－－－－－－－2学时 第五章 金属化、封装与可靠性－2学时 第六章 N阱CMOS工艺流程－－2学时 第七章 硅器件制造的关键工艺－4学时

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2008-12-21
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：jucaiju

  1. 基于L4970A大功率单片集成的开关电源原理与应用

  2. 本文叙述了L4970A 系列大功率单片集成开关电源是ST 公司继L4960 系列之后推出的第二代产品。电路的特点是：采用DMOS 开关功率管、混合式CMOS/ 双极型晶体管等集成电路制造新工艺研制而成;输出电压在5. 1V～40V 范围内连续可调;通过自举电容可获得大电流输出;利用掉电复位电路能实时地向微机发出信号，监视系统电源的工作状态。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-07
    • 文件大小：287744
    • 提供者：weixin_38685832

  1. 光刻技术工艺及应用

  2. 单的说用一定波长的波刻蚀材料就是光刻技术,集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：79872
    • 提供者：weixin_38686245

  1. 集成电路制造技术——原理与工艺---第八章物理气相淀积

  2. 集成电路制造技术——原理与工艺---第八章物理气相淀积 8.1 PVD概述 8.2 真空系统及真空的获得 8.3真空蒸镀 8.4溅射 8.5 PVD金属及化合物薄膜

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-08-24
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：zhifj86

  1. 集成电路制造技术——原理与工艺---第七章化学气相淀积

  2. 集成电路制造技术——原理与工艺---第七章化学气相淀积 7.1 CVD概述 7.2 CVD工艺原理 7.3 CVD工艺方法 7.4 二氧化硅薄膜的淀积 7.5 氮化硅薄膜淀积 7.6 多晶硅薄膜的淀积 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-08-24
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：zhifj86

  1. 集成电路制造技术——原理与工艺---第六章离子注入

  2. 集成电路制造技术——原理与工艺---第六章离子注入 6.1 概述 6.2离子注入原理 6.3注入离子在靶中的分布 6.4注入损伤 6.5退火 6.6离子注入设备与工艺 6.7离子注入的其它应用

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-08-24
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：zhifj86

  1. 集成电路制造技术——原理与工艺---第五章扩散

  2. 集成电路制造技术——原理与工艺---第五章扩散 5.1扩散机构 5.2晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程 5.3杂质的扩散掺杂 5.4热扩散工艺中影响杂质分布的其它因素 5.5扩散工艺条件与方法 5.6 扩散工艺质量与检测 5.7 扩散工艺的发展

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-08-24
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：zhifj86

  1. 集成电路制造技术——原理与工艺----第四章热氧化

  2. 集成电路制造技术——原理与工艺----第四章热氧化 4.1二氧化硅薄膜概述 4.2 SiO2的掩蔽作用 4.3 氧化机理 4.4 氧化系统、工艺 4.5 影响氧化速率的各种因素 4.6 杂质再分布 4.7 SiO2/Si界面特性 4.8 氧化层的检测

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-08-24
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：zhifj86

  1. 集成电路制造技术——原理与工艺----第三章外延

  2. 集成电路制造技术——原理与工艺----第三章外延 3.1 概述 3.2 气相外延 3.3 分子束外延 3.4 其它外延 3.5 外延层缺陷及检测

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-08-24
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：zhifj86

  1. 在计数器上随机单输入跳变测试序列生成原理

  2. 前言 　　随着超大规模集成电路和系统级芯片(SoC)的发展，集成电路的测试面临越来越多的困难，尤其在测试模式下的功耗大大高于工作模式时的问题已经引起了研究人员的重视。随着IC工作频率、集成度、复杂度的不断提高，IC的功耗也快速增长。以Intel处理器为例，其最大功耗大约每4年增加1倍。而随着制造工艺特征尺寸的降低，CMOS管的静态功耗急剧增加，并且呈指数增长趋势。由此带来了一系列的现实问题，因为过大的功耗会引起IC运行温度上升，导致半导体电路的运行参数漂移，影响IC的正常工作，降低了芯片的成品

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：141312
    • 提供者：weixin_38666823

  1. 电源技术中的L4970A大功率单片集成开关电源原理与应用

  2. 摘要： 介绍L4970A 大功率单片集成开关电源芯片的内部结构、电路特点、工作原理和应用电路。 　　L4970A 系列大功率单片集成开关电源是ST 公司继L4960 系列之后推出的第二代产品。电路的特点是：采用DMOS 开关功率管、混合式CMOS/ 双极型晶体管等集成电路制造新工艺研制而成；输出电压在5. 1V～40V 范围内连续可调；通过自举电容可获得大电流输出；利用掉电复位电路能实时地向微机发出信号，监视系统电源的工作状态。 　　1 　工作原理 　　L4970A 的原理框图如图1 所示

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：366592
    • 提供者：weixin_38688550

  1. 传感技术中的基于一种新型CMOS图像传感器原理及设计

  2. 金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应用于较低影像品质的产品中。 　　由于CCD器件有光照灵敏度高、噪音低、像素小等优点，所以在过去15年里它一直主宰着图像传感器市场。与之相反，CMOS图像传感器过去存在着像素大，信噪比小，分辨率低这些缺点，一直无法和CC

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：156672
    • 提供者：weixin_38519619

  1. 隔离工艺与原理

  2. §7.1 隔离 1学时 课程内容： 1 隔离 1.1 隔离的必要性-集成电路的构成特点 1.1.1 各元器件制作于同一芯片上 1.1.2 若干元器件通过布线连接构成电路性能 1.1.3 电路性能要求各元器件不处于同一电性状

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38688890

  1. 集成电路制造工艺原理

  2. 在这里，整理发布了集成电路制造工艺原理，只为方便大家用于学习、参考，喜欢集成电路制造工艺...该文档为集成电路制造工艺原理，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-14
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38556737

  1. 用万用表检测数字集成电路

  2. 数字电路分为分立元件电路和集成电路两大类。集成电路则是将晶体管、电阻、电容等元件和导线通过半导体制造工艺做在一块硅片上而成为一个不可分割的整体电路。在这里，主要介绍利用万用表对集成电路进行检测原理和一般方法，然后再介绍数字电路好坏的具体检测方法。     一、检测原理和一般方法      1.检测非在路集成电路本身好坏的准确方法      非在路集成电路是指与实际电路完全脱开的集成电路。按照厂家给定的测试电路、测试条件，逐项进行测试，在大多数情况下既不现实，也往往是不必要的。在家电修理或一般性电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：105472
    • 提供者：weixin_38564718

  1. 数控振荡器的基本结构以及电路原理解析

  2. 随着数字信号处理越来越广泛的应用，数字锁相环DPLL（Digital Phase Lock Loop）在现代集成电路设计中也越来越普遍，特别是在数字信号处理器DSP和微处理器这类高性能数字电路应用中，数字锁相环更是一种必不可少的电路。与传统的模拟锁相环（Analog Phase-Locked Loop）相比，由于数字锁相环较少采用高阻值电阻、电容以及电感等非线性器件，可以采用与高速数字逻辑电路相兼容的制造工艺来设计和制造，也更加容易在数字系统中应用。 　　一个典型的数字锁相环结构如图1所示，数

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：499712
    • 提供者：weixin_38617413
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