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掺硼非晶硅薄膜性能研究
掺硼非晶硅薄膜性能研究,朱魁鹏,吴志明,用等离子体增强化学气相沉积法制备了掺硼氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率和均匀性进行了研究.结果表明,掺硼a-Si:H薄膜的电阻率随
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-23
文件大小:306176
提供者:
weixin_38558054
非晶硅薄膜太阳能光伏电池的SWOT分析
非晶硅薄膜太阳能光伏电池的SWOT分析,张健,张呈琮,太阳能光伏电池的应用技术分为两大类,即晶硅太阳能光伏电池和非晶硅薄膜太阳能光伏电池。与晶硅太阳能光伏电池相比,非晶硅薄膜
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-09
文件大小:191488
提供者:
weixin_38596879
掺硼非晶硅薄膜的性能研究
掺硼非晶硅薄膜的性能研究,朱魁鹏,吴志明,摘要:用等离子体增强化学气相沉积法制备了掺硼氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率和均匀性进行了研究.结果表明,掺硼a-Si:H薄膜的电�
所属分类:
其它
发布日期:2020-01-08
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38623272
热丝化学气相沉积(HWCVD)中热丝直径对非晶硅薄膜沉积的影响
热丝化学气相沉积(HWCVD)中热丝直径对非晶硅薄膜沉积的影响,孟翔宇,刘艳红,利用热丝化学气相沉积法,采用0.2mm与0.3mm两种直径的钨丝,通过对氢气稀释的乙硼烷与硅烷的分解,在玻璃衬底上沉积硼掺杂氢化非晶�
所属分类:
其它
发布日期:2019-12-29
文件大小:198656
提供者:
weixin_38592848
PECVD制备氢化非晶硅薄膜
PECVD制备氢化非晶硅薄膜的氢含量研究_王祖强.pdf
所属分类:
专业指导
发布日期:2014-05-17
文件大小:461824
提供者:
u010823500
非晶硅与单晶硅光谱响应
非晶硅与单晶硅光谱响应图片,下载以备急需。
所属分类:
其它
发布日期:2013-03-15
文件大小:1048576
提供者:
liwwaanngg
非晶硅和串联硅太阳能电池实际应用的比较
现在,太阳能电池被广泛用作产生电能的清洁方法。 在各种类型的太阳能电池中,我们通过同时运行测试比较了非晶硅和串联(非晶和多晶硅)太阳能电池的能力。 这种比较在实践中很重要,因为仅固有特性的比较不能完全包括温度等环境参数。 结论是,两种类型的太阳能电池在一年中提供的能量几乎相同。 非晶硅太阳能电池在夏天提供更多的能量,而串联太阳能电池在冬天是有利的。 这是由于在串联太阳能电池中在较高的电池温度下能量转换的降低更为明显的事实。
所属分类:
其它
发布日期:2020-06-05
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38645379
化学气相沉积a-Si(非晶硅)
高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的基础原料,在未来的50年里,还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏产业主要原材料。 a-Si(非晶硅)光电池一般采用高频辉光放电方法使硅烷气体分解沉积而成。由于外解沉积温度低,可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积约1μm厚的薄膜,易于大面积化(05rn×l.0m),成本较低,多采用p in结构。为提高效率和改善稳定性,有时还制成三层P in等多层叠层式结构,或是插入一些过渡层。其商品化产量连续增长,年产能力45MW/a,10MW生产
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-12-15
文件大小:59392
提供者:
ygwang001
非晶硅薄膜太阳能电池.ppt
非晶硅薄膜太阳能电池.ppt 非晶硅薄膜太阳能电池.ppt
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-06-19
文件大小:197632
提供者:
airpsj
非晶硅电池效率的提高方法
首先我们确定一个思路:先分析并列举光子经过非晶硅电池时主要损失,然后就各点得出相应的对策以避免或减少损失
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-27
文件大小:66560
提供者:
weixin_38687343
非晶硅反熔丝FPGA提升系统可靠性
现场可编程门阵列(FPGA)技术因其提供的设计灵活性,已为系统设计人员广泛采用。非晶硅反熔丝FPGA技术尤其有用,它可以提供一种高电路密度与低功耗,以及非易失性编程和高可靠性的组合。为了充分发挥其可靠性,FPGA厂商需要考虑反熔丝的崩溃(wear-out)机制,并通过一种设计、测试、软件工具和编程控制的组合来避免崩溃。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:149504
提供者:
weixin_38724349
元器件应用中的非晶硅电池效率的提高方法
首先我们确定一个思路:先分析并列举光子经过非晶硅电池时主要损失,然后就各点得出相应的对策以避免或减少损失。 1.欠能和过能损失: 即能量低于带隙的光子和能量高出带隙的光子。在晶硅电池里,仅这两项损失就损失掉百分之六十几的光照能量——相当可观的数字;在非晶硅电池里,这个数字应该略有不同,但相信差不了多少,道理是一样的。所以个人认为,把提升效率的主要注意力放在这里,在这两项中寻找突破,那将是跳跃式的进步。 2.串联电阻分压损失和并联电阻分流损失,而串联电阻主要是包括电极在内的各区体
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-05
文件大小:68608
提供者:
weixin_38606041
显示/光电技术中的NEC新推8.4英寸VGA非晶硅TFT-LCD模块
NEC电子美国公司(NEC Electronics America)推出8.4英寸(21cm)VGA非晶硅TFT-LCD模块,具有更高的成本效益。 该产品基于NEC LCD专有的UA-SFT技术,具有超宽的视角、高亮度、宽色域和高对比度,该VGA LCD模块具有与XGA型相同的亮度,但可节省功耗约45%,且具有更高的工作温度范围-10℃至70℃。 VGA LCD模块具有更高的透射率(180%来自于先进的SFT技术,120%来自于UA-SFT技术),提供的亮度达40
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-21
文件大小:34816
提供者:
weixin_38683930
显示/光电技术中的卡西欧368ppi非晶硅TFT液晶面板
卡西欧计算机成功开发出了2.2英寸、分辨率640×240、精度为368ppi的VGA格式非晶硅TFT液晶面板。“希望消除人们只有低温多晶硅TFT液晶才能达到如此高的精细度的误解。”(卡西欧计算机) 过去人们一直普遍认为,提高TFT液晶面板精度时最好采用易于缩小TFT元件的低温多晶硅TFT液晶。其实“通过对元件结构等进行改进,未必只有低温多晶硅才能满足要求。”(卡西欧计算机)此次虽未公布详情,不过该公司表示,通过改进结构设计,“在2.2英寸VGA格式下能够实现与老式2.2英寸QVGA格式相同
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-29
文件大小:31744
提供者:
weixin_38699830
工业电子中的利用快速退火法控制非晶硅薄膜中纳米硅粒尺寸
薛 清,李冠成,王秉坤 (淮海工学院数理科学系, 江苏 连云港 222005) 摘要:报道了利用快速退火法控制膜中纳米硅粒大小的方法,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅粒大小的关系。 关键词:纳米硅;快速热退火;非晶硅 中图分类号:TN305 文献标识码: A 文章编号:1003-353X(2004)10-0020-02 1 引言 单晶硅在近红外区发出很弱的光致发光[1]。改变纳米硅的大小可以改变纳米硅的光学性质。本文报道了利用快速退火法控制非晶硅薄膜中纳米硅粒大小。实验结果表明,纳
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:71680
提供者:
weixin_38604330
电源技术中的非晶硅太阳电池的发展
引 言 一九七六年卡尔松和路昂斯基报告了无定形硅(简称a-Si)薄膜太阳电池的诞生。当时,小面积样品的光电转换效率为2.4人时隔二十多年,a-Si太阳电池现在已发展成为最用廉价的太阳电池品种之一。非晶硅科技已转化为一支大规模的产业。世界上总组件生产力在每年五十兆瓦以上。组件及相关产品销售额在十亿美元以上,应用范围小到手表、计.器电源大到10儿瓦级的独立电站。涉及诸多品种的电子消费品、照明和家用电源、衣牧,抽水、广播通讯台站电源及中小型联网电站等。a-Si太阳电池成了光伏能源的一支生力对整个
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:179200
提供者:
weixin_38655987
周期性纳米柱NIP非晶硅光伏电池使用碳纳米管支架。
周期性纳米柱NIP非晶硅光伏电池使用碳纳米管支架。
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-19
文件大小:651264
提供者:
weixin_38621250
在n层中包含纳米级硅微晶,以增强非晶硅太阳能电池的开路电压
在n层中包含纳米级硅微晶,以增强非晶硅太阳能电池的开路电压
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-18
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38593738
基于结构化导电光子晶体背反射器的高效光捕获方案,用于改善非晶硅太阳能电池的性能
基于结构化导电光子晶体背反射器的高效光捕获方案,用于改善非晶硅太阳能电池的性能
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-18
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38695773
采用二维光子晶体周期性绒面结构提高非晶硅锗太阳电池效率
采用二维光子晶体周期性绒面结构提高非晶硅锗太阳电池效率
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-18
文件大小:677888
提供者:
weixin_38644168
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