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  1. 基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制

  2. 碳化硅半导体材料与器件，主要研究了4H-SiC利用终端扩展技术制作肖特基势垒二极管的相关内容

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-12-23
    • 文件大小：380928
    • 提供者：u013256033

  1. AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的阴极荧光特性

  2. AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的阴极荧光特性，吴军，韩平，本工作利用化学气相淀积（CVD）方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功异质外延生长了4H-SiC薄膜；用X射线衍射（XRD）、拉曼散射（Raman）、阴极�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-29
    • 文件大小：316416
    • 提供者：weixin_38516863

  1. 4H-SiC无线无源高温压力传感器设计

  2. 高温压力传感器研制的主要目的是解决高温恶劣环境下的压力测量问题，SiC是制造高温压力传感器的理想材料，结合薄膜技术与陶瓷厚膜技术，提出了一种新型的4H-SiC无线无源电容式高温压力传感器设计方案。应用Ansys有限元分析软件进行仿真， 600 ℃时灵敏度为2.65 MHz/bar，说明传感器在高温下具有较高的灵敏度，对制备过程中的关键工艺——SiC深刻蚀进行了验证，刻蚀深度达到124 m，满足传感器制备要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：587776
    • 提供者：weixin_38748555

  1. 带有线性梯度场限制环的高压4H-SiC结势垒肖特基整流器的实验和数值分析

  2. 带有线性梯度场限制环的高压4H-SiC结势垒肖特基整流器的实验和数值分析

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：576512
    • 提供者：weixin_38649356

  1. 4H-SiC功率UMOSFET的制备与表征

  2. 4H-SiC功率UMOSFET的制备与表征

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：395264
    • 提供者：weixin_38717156

  1. 具有高电流能力的单片4H-SiC结势垒肖特基二极管的制作

  2. 具有高正向能力的单片4H-SiC结型势垒肖特基（JBS）二极管引起了人们的极大兴趣当前用于工业电源应用。 在本文中，我们报告了在掺杂至6×1015cm3的10μm4H-SiC外延层上制造的大面积单片4H-SiC JBS二极管。 有效面积为30 mm2的JBS二极管在5 V的正向电压下具有330A的正向电流，这对应于1100 A / cm2的电流密度。 通过使用最佳的多重浮动保护环（MFGR）终端，对于高达100A的反向电流，也实现了接近1.6kV的接近理想击穿电压，约为理论值的87.2％。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38629362

  1. 铝注入4H-SiC的表面形貌和离子活化研究

  2. 将多能铝（Al +）注入4H-SiC（0001）外延层并通过石墨封装进行活化退火本文对层进行了研究。 测量结果表明，已形成了Al +掺杂盒掺杂曲线，并具有较高的掺杂浓度。 使用水平化学气相沉积（CVD）在1600°C下退火40分钟，可实现78％的离子活化率React堆。 与高温植入后活化退火（PIA）Craft.io相关的阶梯聚束效应通过使用石墨包封层可以显着地抑制Al 2 O 3。 PIACraft.io后注入的4H-SiC的表面光滑，平均表面粗糙度（RMS）值小，约为1.16 nm。 结果表

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：742400
    • 提供者：weixin_38679178

  1. 4H-SiC功率MOSFET的低温和高温性能

  2. 4H-SiC功率MOSFET的低温和高温性能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：174080
    • 提供者：weixin_38502915

  1. 具有高电压和高电流增益的新型4H-SiC横向双极结型晶体管结构

  2. 本文提出了一种新型的4H-SiC横向双极结型晶体管（LBJT）的结构，该晶体管在漂移区内具有基极场板和双RESURF。 基极区的集电极-基极结耗尽区扩展受到基极场板的限制。 因此，在雪崩击穿的条件下，可以实现LBJT的薄基极掺杂和低基极掺杂。 仿真结果表明，获得了0.32μm的薄基极和3 x 10（17）cm（-3）的基极掺杂，并且当漂移区长度为3309 V时，雪崩击穿电压为3309 V，对应的电流增益高达247。 30亩此外，对击穿电压（3357 V）可比的4H-SiC垂直BJT（VBJT）进

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：658432
    • 提供者：weixin_38740827

  1. 4H-SiC中拉曼散射的温度和掺杂依赖性

  2. 4H-SiC中拉曼散射的温度和掺杂依赖性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38677255

  1. 新型4H-SiC横向JFET结构的高温物理建模和验证

  2. 本文研究了一种新颖的4H-SiC LJFET结构的独特性能，该结构具有常开侧向沟道与常闭垂直沟道的串联连接。 建立了新颖的结构的综合物理模型，以说明其在室温和高温（300 C）下与传统LJFET结构不同的静态和动态特性。 进行了有限元数值模拟和实验测量，以验证所建立物理模型的有效性。 在这三组结果之间已经达成了良好的协议。 建模工作首次研究了详细的工作机制，并为温度高达300 C的SiC LJFET器件提供了有价值的设计指南。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-11
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38691970

  1. 铂触点与4H-SiC的势垒不均匀性

  2. 铂触点与4H-SiC的势垒不均匀性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-09
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38502183

  1. 金属/ p型4H-SiC界面两步表面预处理的费米能级脱钉

  2. 金属/ p型4H-SiC界面两步表面预处理的费米能级脱钉

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-09
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38691055

  1. Analytical-Modeling-of-4H-SiC-MESFET-for-High-Power-and-High-Frequency-Response:这是对4H-SIC（碳化硅）MESFETS的分析模型的仿真。 考虑到不同的制造参

  2. 高功率和高频响应的4H-SiC-MESFET的分析建模 这是对4H-SIC（碳化硅）MESFETS的分析模型的仿真。 考虑到不同的制造参数（例如离子剂量，离子能量，离子范围和退火效应参数），已开发出该模型以获取阈值电压，漏极-源极电流，固有参数（如栅极电容，漏极-源极电阻和跨导）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：9216
    • 提供者：weixin_42117150

  1. 不同载流子浓度的块状4H-SiC中拉曼散射的温度依赖性

  2. 不同载流子浓度的块状4H-SiC中拉曼散射的温度依赖性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-02
    • 文件大小：916480
    • 提供者：weixin_38688550

  1. 4H-SiC金属-半导体-金属结构紫外探测器的模拟与分析

  2. 用MEDICI软件对金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外(UV)探测器的I-V特性以及光谱响应等特性进行了模拟与分析,并探讨了金属电极的宽度、电极间距以及外延层厚度对探测器响应度的影响。结果表明,室温下该探测器的暗电流线性密度达到10-13 A/μm,且在不同电压下光电流至少比暗电流大两个数量级; 探测器的光谱响应范围为200～400 nm,在347 nm处响应度达到极大值; 增大指宽或者减小指间距可以提高探测器的响应度; 当波长小于峰值波长时外延层厚度对探测器的响应度基本没影响,而

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38609571

  1. LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性

  2. LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：152576
    • 提供者：weixin_38565480

  1. 偏4°4HSiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究

  2. 利用水平热壁CVD方法，基于SiH4C3H8H2生长系统在n型4HSiC偏4°衬底上进行同质外延生长。通过Nomarski光学显微镜、激光共聚焦显微镜和拉曼散射光谱(Raman)，对外延层中的新形貌三角形缺陷——顶端有倒金字塔结构的三角形缺陷(IPRTD)的表面形貌、结构进行了表征，并根据表征结果提出了该新形貌三角形缺陷的产生机理。研究结果表明，IPRTD由3CSiC晶型构成；在外延生长中，位于IPRTD生长方向上游的位错缺陷所引起的表面吸附原子的2D成核生长是导致3CSiC晶型出现的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-21
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38558054

  1. Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应

  2. Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-20
    • 文件大小：240640
    • 提供者：weixin_38640674

  1. 4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

  2. 4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-20
    • 文件大小：473088
    • 提供者：weixin_38566318
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