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  1. 基于FPGA的F-RAM防掉电设计

  2. 本文介绍了F-RAM的基本读写时序，并着重说明了基于FPGA实现防掉电的设计思路。设计利用数据帧头信息作为标志位，简化了逻辑复杂度。该方法已应用于相关项目中，为实验数据记录分析及查找问题提供了方便。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-28
    • 文件大小：349184
    • 提供者：weixin_38740848

  1. 为何电子式电能表需要使用铁电存储器(F-RAM)

  2. 为何电子式电能表需要使用铁电存储器(F-RAM),自从1889年匈牙利工程师OttoBlathy发明全世界第一个电能表(瓦特瓦时表)原型之后，电能表经过一个世纪多的演进：由机械式电表到今日的各种不同型式的电子电能表，包含新的预付费电能表(pre-paid)复费率电能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：224256
    • 提供者：weixin_38624556

  1. 赛普拉斯F-RAM添加新的封装方式和温度选项

  2. 赛普拉斯半导体公司日前宣布，其铁电随机存取存储器（F-RAM）产品系列中的1Mb并行异步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封装方式，其2 Mb串行外设接口（SPI）F-RAM的温度范围扩展为-40℃至 +105℃。 　　新封装方式可在替代标准的电池供电的SRAM时实现管脚兼容，应用于工业自动化、计算、网络和汽车电子应用中的关键任务系统中。F-RAM与生俱来的非易失性可以实现瞬间数据捕获，无需电池即可实现长达百年的保存时间。弃用电池可以降低系统成本和复杂性。2 Mb SPI F-RAM

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38729607

  1. 电子测量中的Ramtron带有集成F-RAM存储器的事件数据记录仪

  2. 世界领先的非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出半导体业界首款基于F-RAM的事件数据记录仪(EDR)——FM6124，这是集成式的事件监控解决方案，能够连续监控状态的变化，将数据存储在F-RAM中并向系统提出有关变化的报警。FM6124与可编程逻辑控制器(PLC)类似，具有简单的器件设置和资料检索功能，便于系统集成和缩短设计周期。 　　Ramtron战略市场拓展经理DavidLee称：“FM6124

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38640830

  1. Ramtron推出8Mb并口非易失性F-RAM存储器

  2. Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态 RAM (SRAM) 引脚兼容，主要针对工业控制系统如机器人技术、网络RAID存储解决方案、多功能打印机、自动导航系统，以及各种基于SRAM的系统设计。 　　Ramtron 市场推广经理Mike Peters

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38733333

  1. Ramtron推出新款的平行F-RAM内存

  2. Ramtron International公司宣布推出新款的平行F-RAM内存FM14C88，它可满足磁盘阵列(RAID)储存服务器及主机总线适配卡(HBA card)等应用需求。 　　与nvSRAM相较，FM14C88的读写速度更快，工作电压更低。FM14C88的容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，采用工业标准300mil宽度的32脚SOIC封装，具有高速存取、无延迟写入、几乎无限的读写次数及低功耗等特点，是取代BBSRAM (电池供电的SRAM)或非挥发性SRAM (nvSRAM

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38556541

  1. 电子测量中的Ramtron带有集成F-RAM存储器的事件数据记录仪FM6124问世

  2. 非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出半导体业界首款基于F-RAM的事件数据记录仪(EDR)--FM6124，这是集成式的事件监控解决方案，能够连续监控状态的变化，将数据存储在F-RAM中并向系统提出有关变化的报警。FM6124与可编程逻辑控制器 (PLC) 类似，具有简单的器件设置和资料检索功能，便于系统集成和缩短设计周期。 　　Ramtron战略市场拓展经理David Lee称：“FM6124是

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    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38500572

  1. 高速读/写性能、低电压的F-RAM存储器（Ramtron）

  2. Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速访问、无延迟(NoDelay:trade_mark:) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1

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    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38606897

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的Ramtron推出高速和低电压的F-RAM存储器

  2. Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位 （Mb）、2.0至3.6V、具有串行外设接口 （SPI） 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速访问、无延迟（NoDelay?） 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1Mb串行闪存和串行EE

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：61440
    • 提供者：weixin_38645379

  1. 汽车电子中的Ramtron扩展其用于引擎罩下的Grade 1汽车F-RAM存储器产品

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其符合Grade 1 AEC-Q100 规范的汽车存储器产品系列，新增一款4Kb F-RAM存储器，使其符合125℃应用的产品增至五款。FM25040A-GA 是4Kb、5V F-RAM，具有高速串行外设接口(SPI)，并合乎125℃工作规范要求，保证在极端温度条件下可保持数据达9,000小时。FM25040A-GA具有快速写入、几乎无限次的擦写次数及低功耗

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38673738

  1. 电子测量中的Ramtron推出基于F-RAM的事件数据记录仪FM6124

  2. Ramtron推出基于F-RAM的事件数据记录仪(EDR)--FM6124，这是集成式的事件监控解决方案，能够连续监控状态的变化，将数据存储在F-RAM中并向系统提出有关变化的报警。FM6124与可编程逻辑控制器(PLC)类似，具有简单的器件设置和资料检索功能，便于系统集成和缩短设计周期。 　　FM6124是针对工业控制、医疗和计量等广泛的工业应用而设计。EDR能够实现众多应用，包括移动/设备/环境监控、检修时间安排、动力系统管理、汽车/工业自动事件记录、车辆/行人流量记录和监视系统。 　　FM

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    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38599231

  1. 汽车电子中的Ramtron64千位串行F-RAM存储器达到汽车电子AEC-Q100标准

  2. 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM存储器产品，FM24CL64 64千位 (Kb) 串行F-RAM已通过认证，可在 -40至 +85℃ 的Grade 3汽车温度范围内使用。FM24CL64是Ramtron不断扩充的通过Grade 1 (+125℃) 和Grade 3 AEC-Q100认证的汽车存储器产品的一部分。 　　FM24CL64已设计

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    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38742656

  1. 首款2兆位串行F-RAM存储器

  2. Ramtron International Corporation推出业界首款2兆位 (Mb) 串行F-RAM存储器，采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20 采用先进的130纳米 (nm) CMOS工艺生产，是高密度的非易失性F-RAM存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口 (SPI)。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入，具有几乎无限的耐用性，通过微型封装提供更大的数据采集能力，使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：56320
    • 提供者：weixin_38527987

  1. Ramtron推出2兆位串行F-RAM存储器

  2. 非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出业界首款2兆位 (Mb) 串行F-RAM存储器，采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20 采用先进的130纳米 (nm) CMOS工艺生产，是高密度的非易失性F-RAM存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口 (SPI)。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入，具有几乎无限的耐用性，通过微型封装提供更大的数据采集能力

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38711333

  1. RAMTRON推出2兆位器件全面扩展高密度F-RAM产品系列

  2. RAMtron推出2兆位 (Mb) 并行存储器产品，进一步扩展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44脚TSOP-II封装的3V、2Mb并行非易失性RAM，具有访问速度快、NoDelay:trade_mark: 无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。FM21L16与异步静态RAM (SRAM) 管脚兼容，其目标应用是以SRAM为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。　　Ramtron 全球市场策划部经理Duncan Bennett称：“这是Ramtron与德州仪器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38725531

  1. 汽车电子中的Ramtron扩展+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容，推出新品FM25L04-GA

  2. 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求，可在-40℃至+125℃的汽车工作温度范围内工作，并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。 　　FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经常及快速地保存数据的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：92160
    • 提供者：weixin_38752907

  1. RAMTRON的4兆位非易失性F-RAM存储器荣获EDN CHINA创新奖

  2. RAMTRON宣布荣获业界知名的《电子设计技术》杂志EDN China颁发2007年度创新奖之优秀产品奖。Ramtron的FM22L16产品是半导体行业首款4兆位 (Mb) 非易失性F-RAM存储器，获评委会及数以千计《电子设计技术》的读者选为数据IC与可编程逻辑类别的优秀产品。 　　Ramtron亚太区域总监徐梦岚称：“我们非常高兴获得业界知名的《电子设计技术》杂志颁发的奖项。对于产品得到中国电子设计团体的认同，我们深感荣幸。这款4兆位F-RAM实现了技术的突破，将引领Ramtron与F-R

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：73728
    • 提供者：weixin_38653664

  1. Ramtron 推针对智能动力传动应用的+125℃ F-RAM存储器

  2. 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其 +125℃ 汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA 这款3V、4Kb并具有串行外设接口 (SPI) 的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求，可在 -40℃ 至 +125℃ 的汽车工作温度范围内工作，并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。 　　FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：96256
    • 提供者：weixin_38747978

  1. Ramtron推针对智能动力传动应用的+125℃ F-RAM存储器

  2. 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其 +125℃ 汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA 这款3V、4Kb并具有串行外设接口 (SPI) 的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求，可在 -40℃ 至 +125℃ 的汽车工作温度范围内工作，并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。        FM25L04-GA现已用于需要

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：98304
    • 提供者：weixin_38636577

  1. 赛普拉斯F-RAM添加新的封装方式和温度选项

  2. 赛普拉斯半导体公司日前宣布，其铁电随机存取存储器（F-RAM）产品系列中的1Mb并行异步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封装方式，其2 Mb串行外设接口（SPI）F-RAM的温度范围扩展为-40℃至 +105℃。 　　新封装方式可在替代标准的电池供电的SRAM时实现管脚兼容，应用于工业自动化、计算、网络和汽车电子应用中的关键任务系统中。F-RAM与生俱来的非易失性可以实现瞬间数据捕获，无需电池即可实现长达百年的保存时间。弃用电池可以降低系统成本和复杂性。2 Mb SPI F-RAM

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38733367
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