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飞兆半导体推出采用SC-75封装的MicroFET功率开关
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z,适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗(<30V)应用。这些功率开关可在低至1.5V的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75%的RDS(ON)和降低66% 的热阻。FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飞兆半导体先进的PowerTrench技术,封装为2.0mm x 1.6mm SC-75,较3 x 3mm SSOT-
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-03
文件大小:81920
提供者:
weixin_38676500
Fairchild推出采用SC-75封装的MicroFET功率开关
飞兆半导体推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z,适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗 (<30V) 应用。这些功率开关可在低至1.5V的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75% 的RDS(ON)和降低66% 的热阻。FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飞兆半导体先进的PowerTrench:registered: 技术,封装为2.0mm x 1.6mm SC-75,较3 x 3mm SSOT-6封装及SC-70封装
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-02
文件大小:54272
提供者:
weixin_38640794
Fairchild新款MicroFET功率开关可降低便携式应...
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z,适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗(<30V)应用。这些功率开关可在低至1.5V的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75%的RDS(ON)和降低66%的热阻。FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飞兆半导体先进的PowerTrench技术,封装为2.0mm×1.6mm SC-75,较3×3mm SSOT-6封装及S
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-02
文件大小:75776
提供者:
weixin_38576922
MicroFET功率开关(飞兆)
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z,适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗 (<30V) 应用。这些功率开关可在低至1.5V的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75% 的RDS(ON)和降低66% 的热阻。FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飞兆半导体先进的PowerTrench:registered: 技术,封装为2.0mm x 1.6mm SC
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-01
文件大小:54272
提供者:
weixin_38731979
飞兆推MicroFET功率开关降低便携应用热阻和Rds(on)
兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z,适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗 (<30V) 应用。这些功率开关可在低至1.5V的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75% 的和降低66% 的热阻。FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飞兆半导体先进的PowerTrench 技术,封装为2.0mm x 1.6mm SC-75,较3 x 3mm SSOT-6封
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-30
文件大小:51200
提供者:
weixin_38687343
飞兆半导体推出降低便携式应用热阻的功率开关
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z,适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗(<30V)应用。这些功率开关可在低至1.5V的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其他解决方案降低75%的RDS(ON)和降低66%的热阻。 FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飞兆半导体先进的PowerTrench技术,封装为2.0mm×1.6mm SC-75,较3×3mm SSOT-6
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-29
文件大小:49152
提供者:
weixin_38651445