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  1. occam一维反演

  2. C----------------------------------------------------------------------- program runocc C----------------------------------------------------------------------- c C OCCAM 2.0: Steven Constable IGPP/SIO La Jolla CA 92093-0225 c Program Revision 2.01,
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2013-04-21
    • 文件大小:56320
    • 提供者:u010380504
  1. germanium-p-channel-qwfet-cmos-paper.pdf

  2. 锗(旧译作鈤 )是一种化学元素,它的化学符号是Ge,原子序数是32,原子量72.64。在化学元素周期表中位于第4周期、第IVA族。锗单质是一种灰白色准金属,有光泽,质硬,属于碳族,化学性质与同族的锡与硅相近,不溶于水、盐酸、稀苛性碱溶液,溶于王水、浓硝酸或硫酸,具有两性,故溶于熔融的碱、过氧化碱、碱金属硝酸盐或碳酸盐,在空气中较稳定,在自然界中,锗共有五种同位素:70,72,73,74,76,在700℃以上与氧作用生成GeO2,在1000℃以上与氢作用,细粉锗能在氯或溴中燃烧,锗是优良半导体,可
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2019-10-13
    • 文件大小:745472
    • 提供者:uhhhhhhh
  1. Silicon Processing for the VLSI Era, Vol. 4_

  2. 集成电路工艺:Deep-submicron process technology Describe such deep-submicron process technology and intended to provide semiconductor engineers and researchers with a comprehensive , state-of-the-art reference about these emerging and leading-edge process.C
  3. 所属分类:电信

    • 发布日期:2019-07-05
    • 文件大小:83886080
    • 提供者:yingjunjun01
  1. Ge离子注入Ge纳米晶体/ SiO2纳米复合薄膜的介电工程:建模与测量

  2. 利用离子注入技术合成了Ge纳米晶(nc-Ge)嵌入的SiO2纳米复合薄膜。 可以通过改变锗离子注入过程中的注入能量和剂量来调整nc-Ge在SiO2基体中的分布曲线。 因此,可以设计nc-Ge / SiO2纳米复合薄膜的有效介电常数。 纳米复合薄膜的有效金属氧化物半导体导通(MOS)电容已使用子层模型和Maxwell-Garnett有效介质近似值进行了计算,并考虑了与nc-Ge纳米尺寸相对应的降低的介电常数。 另一方面,已经对基于nc-Ge / SiO 2薄膜的MOS结构进行了电容电压测量,以通过
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-06
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38526780
  1. 基于组合Fabry-Perot 膜系的中波红外双色滤光片设计

  2. 双色滤光片的膜系设计方法有多种,如自动优化设计、缓冲层和组合膜系设计、加厚间隔层的Fabry-Perot(F-P)膜系、双峰结构F-P 膜系的多次重复,以及具有分形结构的F-P 膜系设计等方法。但它们在特定通道带宽和通道间距要求的膜系设计中,或者在膜系的工艺可实施性方面存在一定的局限性。运用目标光谱拟合优化后的两个具有增透带的F-P 膜系相组合的设计方法,有效解决了较宽通道带宽和较大通道间距的双色滤光片的设计问题。采用Ge和SiO 两种材料,利用有限的38层薄膜,在中波红外波段设计出了波形良好的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-23
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_38688969
  1. 红外仿真系统短中波能量调节滤波器的研制

  2. 红外仿真作为一种新型仿真手段,以其仿真可信度高、重复性好、实验成本低等优点在军事领域得到越来越广泛的应用。为满足红外仿真系统的要求,调节红外短、中波段能量的比例,对系统中的滤波器进行研制。选择Ge和SiO作为高低折射率材料,利用Ge在可见光和近红外的吸收特性,通过叠加膜堆展宽反射带,采用TFCalc软件的变度量(variable metric)法对双波段能量调节、超宽截止带滤波器进行优化设计。并针对不同材料的特性,分别采用电子束蒸发和电阻蒸发技术,制备了相应的滤波器。通过逆向工程方法分析消光系数
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-12
    • 文件大小:10485760
    • 提供者:weixin_38551205
  1. Ge:SiO

  2. 研究了Ge:SiO2光敏缺陷的特性,分别在488 nm Ar离子激光与193 nm ArF准分子激光作用下,由紫外吸收带、激光荧光的测量实验及电子自旋共振实验,发现光纤中5.1 eV锗缺陷吸收带实际上是由5.06 eV可光致漂白带与5.17 eV不可漂白带组成;295 nm的激发荧光与5.06 eV的缺氧锗缺陷对应,随5.06 eV缺陷吸收带的漂白而衰减;而395 nm的激发荧光与5.17 eV的缺陷有关,随紫外光作用荧光强度保持为常数;提出了这两种缺陷的结构模型,讨论了吸收带漂白与曝光剂量的关
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-11
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38717579
  1. Dependency of photoluminescence from SiO<sub>2</sub> thin f ilms containing Si<sub&am

  2. SiO2 thin films containing Si1-xGex quantum dots (QDs) are prepared by ion implantation and annealing treatment. The photoluminescence (PL) and microstructural properties of thin films are investigated. The samples exhibit strong P
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-10
    • 文件大小:362496
    • 提供者:weixin_38691641
  1. (Ge/SiO)膜堆红外滤光片退化机理及其改进研究

  2. 本文根据(Ge/SiO)膜堆红外滤光片特性退化的实验,讨论了特性退化机理,从而找到了改进特性退化的方法,并制备出能经受水、盐水和酸溶液浸泡的优质(Ge/SiO)膜堆红外滤光片。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-09
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_38581405
  1. 3.5~4.0 μm低温光谱带通滤光片的设计与研制

  2. 新一代气象卫星对红外带通滤光片的光谱控制提出了很高的要求:滤光片在工作温度(92 K)下的光谱曲线被严格限定在一个由内、外框组成的区域之内。分别采用Ge和SiO作为高低折射率膜层材料,设计了含有4个谐振腔的带通膜系来提升通带边缘的陡度;对带通膜系中反射膜层的光学厚度进行了优化调整,压缩了通带内的波纹;根据膜层材料的折射率温度变化特性,设计出了低温条件下符合光谱要求的带通滤光片。采用真空蒸发和光学极值监控的方法,研制出了92 K低温下符合内、外框限制要求的带通滤光片,其通带内的峰值透射率达到93.
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-09
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38522106