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  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题,还讲解了关于面试的问题该如何解答,对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2019-10-12
    • 文件大小:664576
    • 提供者:fromnewword
  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电,因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题,希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截
  3. 所属分类:讲义

    • 发布日期:2019-08-18
    • 文件大小:628736
    • 提供者:maosheng007
  1. 微纳电子器件期末考试复习思考题.docx

  2. 本资源包括微纳电子器件课程的全部课后思考题,包括等比例缩小(Scaling-down)定律、CMOS器件的“Heat death”、MOS中绝缘层减薄带来的负效应、EOT的概念 、“HKMG”、 窄沟道效应 、热载流子(HCE)效应、源漏穿通及次开启抑制措施、 迁移率的退化和漂移速度饱和、小尺寸MOS器件的物理效应对阈值电压的影响、漏工程、沟道工程、栅工程、SOI器件、3D集成、TSV的原理、MCP,3D IC, SIP、SOP、SOC、碳纳米管、引线的电迁移现象等内容,总结非常详细,内容十分
  3. 所属分类:讲义

    • 发布日期:2019-07-06
    • 文件大小:11534336
    • 提供者:weixin_41222105
  1. MOS器件的窄沟道效应

  2. 描述的mos器件窄沟道效应形成的物理原因以及产生的影响
  3. 所属分类:讲义

    • 发布日期:2015-05-19
    • 文件大小:970752
    • 提供者:qq_20626263
  1. 电源技术中的集成电路中的MOS晶体管模型

  2. MOS模型 MOS的一级模型是SPICE的MOSFET模型中最简单的一种。该模型适于沟长大于5微米,栅氧化层厚度大于500埃的MOSFET。计算速度快但不精确。 MOSFET的二级模型是基于几何图形的分析模型。在MOSFET的二级模型中,考虑了小尺寸器件的一些二级效应的影响。该模型适于沟长大于2微米,沟道宽度在6微米左右,栅氧化层厚度大于250埃的MOSFET。考虑的主要的二级效应包括:(1) 短沟和窄沟效应对阈值电压的影响。(2) 表面电场对载流子迁移率的影响。(
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:47104
    • 提供者:weixin_38644168
  1. 按比例缩小理论

  2. 由前面的分析可知,缩小器件的尺寸,可以减小沟道长度L和寄生电容,从而改善集成电路的性能和集成度。器件尺寸的缩小,在集成电路技术发展的历史中,起着十分重要的作用,在今后仍然是集成电路进一步发展的一个关键因素。 MOS集成电路的缩小尺寸,包括组成集成电路的MOS器件的缩小尺寸以及隔离和互连线的缩小尺寸三个方面。MOS器件尺寸缩小后,会引入一系列的短沟道和窄沟道效应。 MOS集成电路器件缩小尺寸的理论就是从器件物理出发。研究器件尺寸缩小之后,尽可能减少
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:92160
    • 提供者:weixin_38518668