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  1. 离子注入技术在试制E_D型MOS集成电路中的应用

  2. 离子注入技术在试制E_D型MOS集成电路中的应用 ,挺稀缺的资源
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2011-05-12
    • 文件大小:354304
    • 提供者:niuyanhua813
  1. MOSFET管在点击控制中的应用

  2. IR2136是功率MOSFET和IGBT专用栅极驱 动集成电路,独有的HVIC(High voltage integrated circuit)技术使得它可用作驱动工作在母线电压高 达600V的电路中的功率MOS器件。其内部采用自 举技术,使得功率驱动元件驱动电路仅需输入一 个直流电源,使其实现对功率MOSFET和IGBT的 最优驱动。它还具有完善的保护功能,它们的应用 可提高系统的集成度和可靠性,并可大大缩小线 路板的尺寸。
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2011-11-27
    • 文件大小:138240
    • 提供者:sjh810732
  1. CMOS集成电路电阻的应用分析

  2. 目前,在设计中使用的主要有3种电阻器:多晶硅、MOS管以及电容电阻。在设计中,要根据需要灵活运用这3种电阻,使芯片的设计达到最优。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-17
    • 文件大小:84992
    • 提供者:weixin_38652636
  1. 场效应管与晶体管的比较

  2. 场效应管与晶体管的比较 (1)场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,在信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。 (2)场效应管是多子导电,而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感,因此,对于环境变化较大的场合,采用场效应管比较合适。 (3)场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外,还可作压控可变线性电阻使用。 (4)场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管的栅—
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-12
    • 文件大小:120832
    • 提供者:weixin_38698927
  1. 探析CMOS集成电路电阻的应用

  2. 导读: 集成电路的设计中,电阻器不是主要的器件,却是必不可少的。如果设计不当,会对整个电路有很大的影响,并且会使芯片的面积很大,从而增加成本。电阻在集成电路中有极其重要的作用。他直接关系到芯片的性能与面积及其成本。讨论了集成电路设计中多晶硅条电阻、MOS管电阻和电容电阻等3种电阻器的实现方法。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-27
    • 文件大小:90112
    • 提供者:weixin_38698863
  1. 元器件应用中的MOS 集成电路防静电预防方法

  2. 以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性,MOSIC得到迅速发展。与双极型集成电路相比,MOSIC具有以下优点:①制造结构简单,隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。③MOS管为双向器件,设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高,宜用作数字集成电路;双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-11
    • 文件大小:79872
    • 提供者:weixin_38658982
  1. 元器件应用中的关于MOSFET的双峰效应量化评估研究

  2. 金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后,MOSFET快速的发展,并且成为微处理器与半导体记忆体(memory)等先进集成电路中最重要的元件。随着超大型集成电路(VLSI)的快速发展,浅沟槽隔离(STI)技术在MOSFET制成中得到了广泛的应用。当MOSFET的有效通道长度
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-10
    • 文件大小:234496
    • 提供者:weixin_38677306
  1. 元器件应用中的怎样正确使用MOS集成电路

  2. 所有 MOS 集成电路 (包括 P 沟道 MOS, N 沟道 MOS, 互补 MOS — CMOS 集成电路) 都有一层绝缘栅,以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护,虽然如此,器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD),实验指出,在高电压放电时器件会失效,器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。 按损伤的严重程度静电损害有多种形式,最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-09
    • 文件大小:76800
    • 提供者:weixin_38549721
  1. 元器件应用中的IX系列IX0773CE集成电路实用检测数据

  2. IX0773CE是红外线发射专用C-MOS型集成电路,为20脚双列直插式塑料封装,可用LR3710M直接代换。该电路在夏普C-2108V1型彩电上的正常工作电压典型检测数据如表所列,用MF14型三用表测得(DC挡)。  表 IX0773CE在夏普C-2108V1型彩电上的检测数据   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-20
    • 文件大小:50176
    • 提供者:weixin_38719643
  1. 元器件应用中的MOS场效应晶体管使用注意事项

  2. MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则:   1.MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装。   2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。   3.焊接用的电烙铁必须良好接地。   4.在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再MOS器件焊接完成后在分开。   5.MOS
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-19
    • 文件大小:43008
    • 提供者:weixin_38518638
  1. 元器件应用中的MOS 集成电路使用操作准则

  2. 所有 MOS 集成电路 (包括 P 沟道 MOS, N 沟道 MOS, 互补 MOS — CMOS 集成电路) 都有一层绝缘栅,以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护,虽然如此,器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD),实验指出,在高电压放电时器件会失效,器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。   按损伤的严重程度静电损害有多种形式,最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-18
    • 文件大小:76800
    • 提供者:weixin_38715879
  1. 元器件应用中的利用自旋电子学技术实现待机时零耗电的集成电路

  2. 日本东北大学电气通信研究所与日立制作所利用自旋电子学技术和硅技术,试制成功了运算功能和非易失性内存功能一体化的集成电路。在嵌入MOS晶体管的硅芯片上,通过层叠基于自旋电子学技术的元件之一的磁性隧道结(Magnetic Tunnel Junction,MTJ)元件而实现。除能够实现硅芯片上运算区域与内存区域之间数据的高速传送之外,还可实现集成电路的小型化。   另外,如果使用了MTJ元件,就可以实现非易失性内存,因此无需为保持存储数据而一直通电,这样就可将CPU待机状态时耗电量减至零。集成电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-18
    • 文件大小:98304
    • 提供者:weixin_38747144
  1. 元器件应用中的正确使用MOS 集成电路

  2. 所有 MOS 集成电路 (包括 P 沟道 MOS, N 沟道 MOS, 互补 MOS — CMOS 集成电路) 都有一层绝缘栅,以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护,虽然如此,器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD),实验指出,在高电压放电时器件会失效,器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。 按损伤的严重程度静电损害有多种形式,最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-18
    • 文件大小:74752
    • 提供者:weixin_38526751
  1. 基础电子中的场效应晶体管放大器的使用概述

  2. 场效应晶体管好坏的判断及使用时注意事项    MOS场效应晶体管使用注意事项     MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则:     1.MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装。     2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。     3.焊接用的电烙铁必须良好接地。     4.在
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-17
    • 文件大小:56320
    • 提供者:weixin_38679651
  1. 基础电子中的MOS微电子技术简介

  2. MOS场效应晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的简称,它通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力。MOS场效应晶体管不仅具有双极型三极管体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点,而且还具有输入阻抗高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。   与双极型三极管不同,MOS晶体管是电压控制元件,参与导电的只有一种载流子,因此称其为单极型器件。MOS晶体管可以分为增强型晶体管与耗尽型晶体管两种。根据沟道掺杂不同,又
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-13
    • 文件大小:198656
    • 提供者:weixin_38712416
  1. 基础电子中的双极型微电子技术简介

  2. 双极型制造工艺是早期集成电路产品所应用的唯一工艺。随着微电子工艺的发展,双极型工艺逐渐被MOS工艺所代替。在20世纪70年代,CMOS工艺逐渐成为主流微电子制造工艺。在过去的30多年中,CMOS工艺有了很大的发展,但是双极型工艺始终没有较大的进步。由于双极型工艺过程复杂、成本高、集成度低,在现代的超大规模集成电路中己经很少单独使用。但是,双极型工艺速度快、较大的电流驱动能力等特点是CMOS工艺所达不到的。在某些情况下,作为CMOS工艺的补充,双极型工艺仍然被少量地使用。   双极型三极管是双极
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-13
    • 文件大小:161792
    • 提供者:weixin_38697471
  1. 元器件应用中的开关电容滤波器频域分析

  2. 摘要:介绍了利用频域方法对一种常用的开关电容滤波器的传输特性进行理论分析,得出了其等效噪声带宽,并给出了仿真结果。所得结果与参考文献中时域方法分析的结果相一致,但是分析过程要简洁得多,而且更容易理解。 关键词:开关电容 滤波器 频域 随着集成电路技术的发展和工艺的改进,高质量的MOS电子开关和电容可以集成在体积很小的芯片上,从而使开关电容滤波器(SCF)得到广泛应用。SCF中既有模拟电路,又有开关电路,其分析和综合方法往往比较复杂,已见报道的有阻抗变换法、双线性z变换法、时域分析方法等。本文
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-10
    • 文件大小:65536
    • 提供者:weixin_38735790
  1. 离子注入技术在IC制造中的应用

  2. 随着离子注入技术的发展,它的应用也越来越广泛,尤其是在集成电路中的应用发展最快。由于离子注入技术具有很好可控性和重复性,这样设计者就可根据电路或器件参数的要求,设计出理想的杂质分布,并用离子注入技术实现这种分布。 离子注入技术在IC制造中的应用 1) 对MOS晶体管阈值电压的控制 2)自对准金属栅结构 3)离子注入在CMOS结构中的应用   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-10
    • 文件大小:24576
    • 提供者:weixin_38730821
  1. 元器件应用中的集成电容器

  2. 在集成电路中,电容也是一个重要的元件。IC中应尽量避免使用电容器,因电容器占面积大。在双极型模拟集成电路中,集成电容器用作频率补偿以改善电路的频率特性。在MOS模拟集成电路中,由于在工艺上制造集成电容比较容易,并且容易与MOS器件相匹配,故集成电容得到较广泛的应用。普通pn结电容的容量较小,有较大的温度系数和寄生效应等缺点,故应用不多。在双极型和MOS模拟集成电路中的电容大多采用MOS结构或其相似结构。由于在MOS工艺中实现的MOS电容,匹配精度比电阻好,一般约为0.1%~5%,因此在D/A、A
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:41984
    • 提供者:weixin_38555350
  1. RFID技术中的一种宽输入范围的Gillbert模拟乘法器设计

  2. 引言  在集成电路系统中,模拟乘法器在信号调制解调、鉴相、频率转换、自动增益控制和功率因数校正控制等许多方面有着非常广泛的应用。实现模拟乘法器的方法有很多,按采用的工艺不同,可以分为三极管乘法器和CMOS乘法器。   CMOS模拟乘法器的工作原理有三种:基于MOS管在饱和区工作时的平方法则,这种模拟乘法器性能好,但结构复杂;基于MOS管在线性区工作时的电流电压法则,这种模拟乘法器比较适宜低压运用;采用Gillbert单元实现的模拟乘法器。本文详细分析了采用Gillbert单元实现的模拟乘法器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-04
    • 文件大小:156672
    • 提供者:weixin_38598703
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