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  1. N沟道增强型MOSFET IRF640

  2. N沟道增强型MOSFET，耐压值200V，可用来驱动电磁阀

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-07-22
    • 文件大小：139264
    • 提供者：kingjason2009

  1. N沟道增强型mos管特性曲线及参数

  2. 本文主要讲了N沟道增强型mos管特性曲线及参数，希望对你的学习有所帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-15
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38751512

  1. N沟道mos管工作原理

  2. 本文图文结合的讲了N沟道mos管工作原理，下面一起来学习一下

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：270336
    • 提供者：weixin_38502814

  1. 模拟技术中的LTC4446：N沟道MOSFET驱动器

  2. 描述 　　LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 0.55Ω 的输出阻抗。 　　LTC4446 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：104448
    • 提供者：weixin_38604620

  1. 元器件应用中的Vishay推出业内最低导通电阻N沟道MOSFET

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的。 　　额定电压12V的SiR494DP在10V和4.5V栅极驱动下的最大导通电阻分别为1.2mΩ和1.7mΩ。导通电阻与栅电荷的乘积是*价用于DC-DC转换器应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)，该器件在4.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：44032
    • 提供者：weixin_38550459

  1. 元器件应用中的安森美推出24款新的30伏、N沟道沟槽MOSFET

  2. 全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、?8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。 　　新系列的MOSFET利用安森美半导体获市场验证的沟槽技术，提供优异的导通阻抗[RDS(on)]及更高的开关性能，用于个人计算机(PC)、服务器、游戏机、处理器稳压电源(VRM)

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：47104
    • 提供者：weixin_38750007

  1. 电源技术中的Zetex 推出三款N 沟道增强模式MOSFET

  2. Zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的N 沟道增强模式 MOSFET。 　　这三款新产品分别为 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封装）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（两者均为SOT23封装）。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2V 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。　　三款新 MOSFET可确保1.8VGS 条件下的导通电阻 (RDS(ON) ) 分别低于75毫欧（m?）、100毫欧（m?）和20

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：36864
    • 提供者：weixin_38718690

  1. 显示/光电技术中的飞兆半导体推出N沟道MOSFET 为等离子体显示板优化空间

  2. 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(PDP)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的PowerTrench工艺技术，这些MOSFET比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗RDS(on)(FDB2614的典型值为22.9毫欧；FDB2710的典型值为36.3毫欧)。超低的RDS(on) 加上极低的栅极电荷(Qg)，使得该器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38676851

  1. 电源技术中的100V高速同步N 沟道3A MOSFET驱动器用于高效DC/DC 转换器

  2. 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高输入电源电压 (100V) 同步 MOSFET 驱动器 LTC4444，该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 N 沟道 MOSFET。这个驱动器可与功率 MOSFET 以及凌力尔特公司的很多 DC/DC 控制器一起组成完整的高效率同步转换器。　　这个强大的驱动器可采用 1.2Ω 的下拉阻抗和提供高达 2.5A 的电流以驱动高端 MOSFET，而采用 0.55Ω 下拉阻抗可提供 3A 电流以驱

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38712908

  1. 安森美半导体将推出后稳压、双N沟道MOSFET驱动器

  2. 全球领先的电源转换解决方案供应商安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布，将推出NCP4330——后稳压、双N沟道MOSFET驱动器，能提高常用于ATX和高功率开关电源（SMPS）的正激转换器的效率。　　NCP4330为串联FET和续流同步FET驱动输出，提供比通常使用的硅整流器更高的效率。此器件与传统磁放大器控制电路解决方案相比，它更为小巧，性价比更高。能有效的从5V 功率序列产生3.3V或其他输出，但电源的变压器上无需额外的绕组和终端。次级交流（A

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38596413

  1. 元器件应用中的VN系列N沟道V-MOS功率场效应管

  2. VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。　　VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：186368
    • 提供者：weixin_38741244

  1. 元器件应用中的N沟道结型开关场效应管

  2. 表列出了一些N沟道结型开关场效应管的主要特性参数。　　一些N沟道结型开关场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38674223

  1. Linear推出高端/低端N沟道高速MOSFET驱动器LTC4446

  2. 凌力尔特公司(Linear)推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET驱动器 LTC4446，用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司的DC/DC控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 DC 开关。 　　这个强大的驱动器以 1.2Ω 下拉阻抗驱动高端 MOSFET 时可以提供高达 2.5A 的电流，而以 0.55Ω 下拉阻抗驱动同步 MOSFET 时可

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38700240

  1. 元器件应用中的凌力尔特LTC4355用N沟道MOSFET取代肖特基二极管

  2. 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出的双路理想二极管“或”控制器LTC4355允许在高可用性系统中用N沟道MOSFET取代肖特基二极管，并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电源二极管“或”电路可降低功耗、减小热耗散及所占用的印刷电路板面积。该器件9V至80V的宽工作电压范围支持具有两个正电源的二极管“或”应用，如12V分布式总线架构，或两个负电源的返回通路，如-48V AdvancedTCA(ATCA)应用。另外，LTC4355监

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38707342

  1. 电源技术中的飞兆N沟道MOSFET系列产品可提供90％的ESD性能

  2. 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的Power Trench工艺，这些低导通阻抗(RDS(ON)) MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，确保电池组在意外的电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38748769

  1. Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC4442/-1

  2. 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多DC/DC控制器组合使用时，可组成完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC 转换器。 　　 　　这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 电流和提供高达 2.4A 电流，非常适用于驱动大栅极电容、大电流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38691739

  1. 电源技术中的Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC444

  2. 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多DC/DC控制器组合使用时，可组成完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC 转换器。     这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 电流和提供高达 2.4A 电流，非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4442/-1 还可以为较大电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38634323

  1. 电源技术中的Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器

  2. 凌力尔特推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多 DC/DC 控制器组合使用时，可组成完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC 转换器。 　　这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 电流和提供高达 2.4A 电流，非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4442/-1 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动 3000pF 负

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38556985

  1. 凌力尔特公司高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

  2. 凌力尔特公司推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多 DC/DC 控制器组合使用时，可组成完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC 转换器。 这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 电流和提供高达 2.4A 电流，非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4442/-1 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动 3000pF 负载

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38519763

  1. 电源技术中的Fairchild推出全新高效N沟道MOSFET系列产品提供高达8kV的ESD电压保护

  2. 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV 的ESD (HBM) 电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用 (如笔记本电脑和手机) 的最新架构。利用飞兆半导体的Power Trench工艺，这些低导通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON) 低于5mOhm的FDS8812NZ) 能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38745891
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