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  1. FPGA 对双口RAM存储器的读写控制

  2. FPGA 对双口RAM存储器的读写控制FPGA 对双口RAM存储器的读写控制FPGA 对双口RAM存储器的读写控制FPGA 对双口RAM存储器的读写控制
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2009-08-05
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:jiajia6254
  1. RAM存储器接口设计与编程.pdf

  2. RAM存储器接口设计与编程.pdf
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2012-07-27
    • 文件大小:243712
    • 提供者:xuwuhao
  1. 电子测量中的Ramtron带有集成F-RAM存储器的事件数据记录仪

  2. 世界领先的非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出半导体业界首款基于F-RAM的事件数据记录仪(EDR)——FM6124,这是集成式的事件监控解决方案,能够连续监控状态的变化,将数据存储在F-RAM中并向系统提出有关变化的报警。FM6124与可编程逻辑控制器(PLC)类似,具有简单的器件设置和资料检索功能,便于系统集成和缩短设计周期。   Ramtron战略市场拓展经理DavidLee称:“FM6124
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-11
    • 文件大小:69632
    • 提供者:weixin_38640830
  1. Ramtron推出8Mb并口非易失性F-RAM存储器

  2. Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM,具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态 RAM (SRAM) 引脚兼容,主要针对工业控制系统如机器人技术、网络RAID存储解决方案、多功能打印机、自动导航系统,以及各种基于SRAM的系统设计。   Ramtron 市场推广经理Mike Peters
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-11
    • 文件大小:65536
    • 提供者:weixin_38733333
  1. 电子测量中的Ramtron带有集成F-RAM存储器的事件数据记录仪FM6124问世

  2. 非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出半导体业界首款基于F-RAM的事件数据记录仪(EDR)--FM6124,这是集成式的事件监控解决方案,能够连续监控状态的变化,将数据存储在F-RAM中并向系统提出有关变化的报警。FM6124与可编程逻辑控制器 (PLC) 类似,具有简单的器件设置和资料检索功能,便于系统集成和缩短设计周期。   Ramtron战略市场拓展经理David Lee称:“FM6124是
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-18
    • 文件大小:69632
    • 提供者:weixin_38500572
  1. 高速读/写性能、低电压的F-RAM存储器(Ramtron)

  2. Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10,是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM,采用8脚SOIC封装,其特点是快速访问、无延迟(NoDelay:trade_mark:) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-17
    • 文件大小:63488
    • 提供者:weixin_38606897
  1. 嵌入式系统/ARM技术中的Ramtron推出高速和低电压的F-RAM存储器

  2. Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10,是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM,采用8脚SOIC封装,其特点是快速访问、无延迟(NoDelay?) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1Mb串行闪存和串行EE
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-16
    • 文件大小:61440
    • 提供者:weixin_38645379
  1. 汽车电子中的Ramtron扩展其用于引擎罩下的Grade 1汽车F-RAM存储器产品

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其符合Grade 1 AEC-Q100 规范的汽车存储器产品系列,新增一款4Kb F-RAM存储器,使其符合125℃应用的产品增至五款。FM25040A-GA 是4Kb、5V F-RAM,具有高速串行外设接口(SPI),并合乎125℃工作规范要求,保证在极端温度条件下可保持数据达9,000小时。FM25040A-GA具有快速写入、几乎无限次的擦写次数及低功耗
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-25
    • 文件大小:52224
    • 提供者:weixin_38673738
  1. 汽车电子中的Ramtron64千位串行F-RAM存储器达到汽车电子AEC-Q100标准

  2. 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM存储器产品,FM24CL64 64千位 (Kb) 串行F-RAM已通过认证,可在 -40至 +85℃ 的Grade 3汽车温度范围内使用。FM24CL64是Ramtron不断扩充的通过Grade 1 (+125℃) 和Grade 3 AEC-Q100认证的汽车存储器产品的一部分。   FM24CL64已设计
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:80896
    • 提供者:weixin_38742656
  1. 首款2兆位串行F-RAM存储器

  2. Ramtron International Corporation推出业界首款2兆位 (Mb) 串行F-RAM存储器,采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20 采用先进的130纳米 (nm) CMOS工艺生产,是高密度的非易失性F-RAM存储器,以低功耗操作,并备有高速串行外设接口 (SPI)。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入,具有几乎无限的耐用性,通过微型封装提供更大的数据采集能力,使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:56320
    • 提供者:weixin_38527987
  1. Ramtron推出2兆位串行F-RAM存储器

  2. 非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出业界首款2兆位 (Mb) 串行F-RAM存储器,采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20 采用先进的130纳米 (nm) CMOS工艺生产,是高密度的非易失性F-RAM存储器,以低功耗操作,并备有高速串行外设接口 (SPI)。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入,具有几乎无限的耐用性,通过微型封装提供更大的数据采集能力
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-21
    • 文件大小:51200
    • 提供者:weixin_38711333
  1. 汽车电子中的Ramtron扩展+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容,推出新品FM25L04-GA

  2. 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容,FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求,可在-40℃至+125℃的汽车工作温度范围内工作,并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。   FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经常及快速地保存数据的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-01
    • 文件大小:92160
    • 提供者:weixin_38752907
  1. RAMTRON的4兆位非易失性F-RAM存储器荣获EDN CHINA创新奖

  2. RAMTRON宣布荣获业界知名的《电子设计技术》杂志EDN China颁发2007年度创新奖之优秀产品奖。Ramtron的FM22L16产品是半导体行业首款4兆位 (Mb) 非易失性F-RAM存储器,获评委会及数以千计《电子设计技术》的读者选为数据IC与可编程逻辑类别的优秀产品。   Ramtron亚太区域总监徐梦岚称:“我们非常高兴获得业界知名的《电子设计技术》杂志颁发的奖项。对于产品得到中国电子设计团体的认同,我们深感荣幸。这款4兆位F-RAM实现了技术的突破,将引领Ramtron与F-R
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-30
    • 文件大小:73728
    • 提供者:weixin_38653664
  1. 电源技术中的fimicro将Ramtron的4Mb F-RAM存储器用于智能I/O模块设计中

  2. F-RAM和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation 宣布位于德国的嵌入式软件和硬件供应商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 PC/104 兼容单板计算机 (SBC) 和智能 I/O 扩展模块中,采用了 Ramtron 的非易失性 F-RAM 存储器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太网和 USB 板的设计中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM,
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-05
    • 文件大小:53248
    • 提供者:weixin_38729438
  1. Ramtron针对智能动力传动应用的4Kb F-RAM存储器

  2. Ramtron宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容,FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求,可在-40℃至+125℃的汽车工作温度范围内工作,并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。   FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经常及快速地保存数据的先进动力传动系统中,使变速度箱能够连续适应不断变化的驾驶者行为和路面状况。F-RAM的No Delay(无延迟)写入、几乎无限次的读写以
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-05
    • 文件大小:55296
    • 提供者:weixin_38709816
  1. Ramtron 推针对智能动力传动应用的+125℃ F-RAM存储器

  2. 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其 +125℃ 汽车F-RAM存储器产品线阵容,FM25L04-GA 这款3V、4Kb并具有串行外设接口 (SPI) 的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求,可在 -40℃ 至 +125℃ 的汽车工作温度范围内工作,并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。   FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-04
    • 文件大小:96256
    • 提供者:weixin_38747978
  1. 3V、4Kb F-RAM存储器(Ramtron)

  2. Ramtron International CORPORATION宣布扩展其 +125℃ 汽车F-RAM存储器产品线阵容,FM25L04-GA 这款3V、4Kb并具有串行外设接口 (SPI) 的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求,可在 -40℃ 至 +125℃ 的汽车工作温度范围内工作,并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。   FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经常及快速地保存数据的先进动力传动系统中,使变速度箱能够连续适应不断变化的驾驶者行为和路
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-04
    • 文件大小:50176
    • 提供者:weixin_38615783
  1. fimicro将Ramtron F-RAM存储器用于fimic

  2. 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation 宣布位于德国的嵌入式软件和硬件供应商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 PC/104 兼容单板计算机 (SBC) 和智能 I/O 扩展模块中,采用了 Ramtron 的非易失性 F-RAM 存储器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太网和 USB 板的设计中使用了 Ramtron 的 FM22
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-03
    • 文件大小:53248
    • 提供者:weixin_38609571
  1. Ramtron推针对智能动力传动应用的+125℃ F-RAM存储器

  2. 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其 +125℃ 汽车F-RAM存储器产品线阵容,FM25L04-GA 这款3V、4Kb并具有串行外设接口 (SPI) 的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求,可在 -40℃ 至 +125℃ 的汽车工作温度范围内工作,并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。        FM25L04-GA现已用于需要
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-03
    • 文件大小:98304
    • 提供者:weixin_38636577
  1. Ramtron带有集成F-RAM存储器的事件数据记录仪

  2. 的非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出半导体业界首款基于F-RAM的事件数据记录仪(EDR)——FM6124,这是集成式的事件监控解决方案,能够连续监控状态的变化,将数据存储在F-RAM中并向系统提出有关变化的报警。FM6124与可编程逻辑控制器(PLC)类似,具有简单的器件设置和资料检索功能,便于系统集成和缩短设计周期。   Ramtron战略市场拓展经理DavidLee称:“FM6124是我们E
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:67584
    • 提供者:weixin_38606300
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