您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. 多叉树做的实现字典功能

  2. rie树通常作为一种索引树,这种结构对于大小变化很大的关键字特别有用。利用Tire树实现一个音域单词辅助记忆系统,完成相应的建表和查表程序。 程序主要实现对单词的插入、删除和查找。其中查找部分又分精确查找和模糊查找。 利用文件对单词进行保存和读取操作以增强程序的可用行性。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-05-25
    • 文件大小:202752
    • 提供者:taojie8710
  1. HTC RIE 0.5.0.12

  2. HTC ROM Image Editor 0.5.0.12 直接打开NBH文件,ROM里的文件一目了然,可进行提取、替换、添加、删除文件等操作; 最后根据自已的机型保存就可以了
  3. 所属分类:Java

    • 发布日期:2010-04-08
    • 文件大小:565248
    • 提供者:juncke
  1. looknstop规则包大全

  2. looknstop电骡规则emule.rie
  3. 所属分类:网络安全

    • 发布日期:2011-08-13
    • 文件大小:4096
    • 提供者:bigstone88
  1. MEMS_制造中反应离子刻蚀工艺的模型及仿真

  2. MEMS_制造中反应离子刻蚀工艺的模型及仿真,反应离子刻蚀(RIE)的二维物理模型,包括各向同性和各向异性 两部分.该速率公式的参数由实验提取,随RIE工艺参数而变化
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2018-10-23
    • 文件大小:286720
    • 提供者:duanyu1992
  1. 正面钝化的RIE制绒晶体硅电池.pdf

  2. 正面钝化的RIE制绒晶体硅电池
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-05
    • 文件大小:123904
    • 提供者:weixin_38743602
  1. 奥普特双向高均匀漫射光源RIE系列(OPT-RIE系列).pdf

  2. 奥普特双向高均匀漫射光源RIE系列(OPT-RIE系列)pdf,奥普特双向高均匀漫射光源RIE系列:采用设计独特的漫射板,将光线经过反射和散射形成双向、高均匀的圆对称光场,可以将物体表面细微差异造成的干扰过滤掉,凸显坡度急剧变化特征。 应用:主要应用于金属器件边缘定位、尺寸测量、碰伤检测等,也可替代普通环形光实现更高均匀性照明。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-17
    • 文件大小:995328
    • 提供者:weixin_38744207
  1. OP7100 Smart Screen.pdf

  2. OP7100 Smart Screenpdf,OP7100 Smart ScreenTABLE OF CONTENTS About This manual Chapter 1: Overview Introduction ·····················“··· 12 Feat 13 options 13 Development and evaluation tools 14 Software.… 14 CE Compliance ∴15 Chapter 2: Getting Star
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-20
    • 文件大小:794624
    • 提供者:weixin_38744207
  1. rich 利佳ei-9001英文说明书.pdf

  2. rich 利佳ei-9001英文说明书pdf,rich 利佳ei-9001英文说明书,EDVE∥ TRANSSTORZED INVERTER PT是 EED CYNTROLLE置 &. OPRATION After power o, the keypad displays on Drive Mode, Drive light on. 3,I· DPYMODE USER GUIDI ◇ DANGER While switch copy mode, the oontrol circuit termi
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-19
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38744270
  1. 萨姆森SAMSON HART手持通信器用于3780型HART通信功能定位器操作手册(英文版).pdf

  2. 萨姆森SAMSON HART手持通信器用于3780型HART通信功能定位器操作手册(英文版)pdf,萨姆森SAMSON HART手持通信器用于3780型HART通信功能定位器操作手册(英文版)Operation 2. Operation Before you can start operating the SAMSON Positioner, you have to load the samson ap plication program which can be ordered via the
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-11
    • 文件大小:207872
    • 提供者:weixin_38743481
  1. 基础电子中的RIE的质量控制指标

  2. (1)刻蚀速率:影响因素有刻蚀气体种类、活性基团的密度(例如HDP的刻蚀速率很高)、鞘层电压(通过功率、气体压力、流速、频率、浓度等工艺参量改变)。   (2)选择性:RIE主要用于图形转移,因而一般要面对刻蚀两种材料  已开窗口的掩模及其下方待刻蚀的材料。要求Plasma对掩模材料的刻蚀速率低于对衬底材料的刻蚀速率。这就是选择性的意思。   (3)边缘剖面的控制———些因素干扰了准确地复制图形。   ①钻蚀(Undercutting)。由于离子几乎垂直地入射到衬底表面,因此片子正底面接收
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-13
    • 文件大小:61440
    • 提供者:weixin_38620893
  1. Al-Si合金RIE参数选择

  2. 李希有,周 卫,张 伟,仲 涛,刘志弘(清华大学微电子学研究所,北京 100084)摘要:采用正交试验法对二手RIE刻Al设备A-360进行工艺参数选择试验,并以均匀性、刻蚀速率、 对PR选择比为评价指标。试验中发现RF功率是影响各评价指标的最主要因素。通过进一步优化工艺,制定出了均匀性小于3%,刻蚀速率高于300nm/min,对PR选择比好于1.8的刻Al实用工艺。关键词:反应离子刻蚀;正交试验;Al刻蚀;刻蚀速率 中图分类号: TN305.2文献标识码: A 文章编号:1003-353X(2
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:101376
    • 提供者:weixin_38699352
  1. 反应离子蚀刻(RIE)

  2. 本文介绍了玻璃微加工的工艺,包括喷砂,湿法蚀刻,反应离子蚀刻(RIE)和玻璃回流技术。根据实验介绍并讨论了每种方法的优缺点。喷砂和湿法蚀刻技术是简单的工艺,但是在小而高纵横比的结构中却面临困难。演示了喷砂处理过的2 cm×2 cm Tempax玻璃晶片,其蚀刻深度约为150 µm。通过湿蚀刻工艺观察到具有蚀刻深度和侧面约20μm的Tempax玻璃结构。这项工作最重要的方面是开发RIE和玻璃回流焊技术。这些方法的当前挑战在此得到解决。深Tempax玻璃柱,表面光滑,垂直,通过RIE技术获得了直径为
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2021-01-06
    • 文件大小:555008
    • 提供者:jfkj2021
  1. rie-hugo-starter-源码

  2. 雨果·诺瓦拉(Hugo Novela)林业初学者 的端口的盖茨比主题 先决条件 此入门程序将主题导入为 转到> 1.12 雨果> 0.65.0 内容管理 该启动器已准备好导入 :sparkles: 。 您保存在CMS中的所有更改都将被提交回您的Git存储库。 在Netlify上部署 在导入您的存储库 在Netlify中创建一个新站点并导入您的存储库。 将构建命令设置为: hugo --gc --minify 将发布目录设置为: public 将GO_VERSION设置为1.12或更高
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-20
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_42128015
  1. oop-2020:2020年至2021年俄罗斯革命纲领(Riešeniaúlohzobjektovéhoprogramovania)-源码

  2. oop-2020:2020年至2021年俄罗斯革命纲领(Riešeniaúlohzobjektovéhoprogramovania)
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-17
    • 文件大小:67584
    • 提供者:weixin_42118770
  1. Projeto-adi-os-rie-源码

  2. Projeto-adi-os-rie
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-25
    • 文件大小:201728
    • 提供者:weixin_42149145
  1. AIC和RIE法制备的黑硅纳米林

  2. AIC和RIE法制备的黑硅纳米林
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-24
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38517212
  1. Improving sidewall roughness by combined RIE-Bosch process

  2. Improving sidewall roughness by combined RIE-Bosch process
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-22
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38697808
  1. 基于RIE技术的倾斜表面SOI功率器件制备技术

  2. 对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出了多窗口反应离子刻蚀法来形成倾斜表面漂移区的新技术,建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,TCAD工具的2D工艺仿真证实了该技术的可行性,最终优化设计出了倾斜表面漂移区长度为15μm的SOI LDMOS。数值仿真结果表明,其最优结构的击穿电压可达350 V,导通电阻可达1.95Ω·mm~2,同时表现出良好的源漏输出特性。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-20
    • 文件大小:380928
    • 提供者:weixin_38689113
  1. webconf-rie-stats:法语国家的网络会议统计-源码

  2. 法国统计局网络会议RIE 收集统计资料。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-10
    • 文件大小:115712
    • 提供者:weixin_42126749
  1. Fabrication of high aspect ratio silicon micro‑structures based on aluminum mask patterned by IBE and RIE processing

  2. Fabrication of high aspect ratio silicon micro‑structures based on aluminum mask patterned by IBE and RIE processing
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-07
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38544152
« 12 3 »