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  1. multisim12清华大学本科教育所用的例子

  2. 本人亲测，都可以用。自己也是学电子的，所以好的资料就分享出来，希望对你有用。 主要包括： 模拟部分： MD1 1-1 二极管加正向电压 1-2 二极管加反向电压 1-3 IV法测二极管伏安特性 1-4 用万用表检测二极管 1-5 例1.2.1电路 1-6 直流和交流电源同时作用于二极管 1-7 半波整流电路 1-8 全波整流电路 1-9 单向限幅电路 1-10 双向限幅电路 1-11 底部钳位电路 1-12 顶部钳位电路 1-13 振幅解调电路 1-14 振幅调制电路 1-15 稳压二极管稳压

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-03-29
    • 文件大小：39845888
    • 提供者：xmlizzy

  1. ewb multisim 仿真实例电路图全集

  2. 多年收集的ewb和multisim电子电路仿真实例文件，压缩后有50多兆。 文件列表 ├─仿真实验 │ 555.ms10 │ Circuit1.ms10 │ Circuit2.ms10 │ CLOCK.ms10 │ FileList.txt │ 实验2.ms10 │ 实验3-一阶有源低通滤电路.ms10 │ 实验3-减法运算电路.ms10 │ 实验3-反相加法运算电路.ms10 │ 实验3-反相比例运算电路.ms10 │ 实验3-反相积分运算电路.ms10 │ 实验3-微分运算电路.ms10

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-10-21
    • 文件大小：55574528
    • 提供者：freedom366

  1. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）.pdf

  2. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）pdf,UCC3809设计反激变换器（50W）在反激变换器中,变压器实际上是一个多绕组的耦和电感,变压器磁芯提 供耦合及隔离,而电感量给出储能大小,储存在空气隙中的电感的能量如下式 E Lp·(PEAK 2 (2) 此处,E为焦耳,Lp为初级电感,单位为享利。 Ipeak为初级电流,单位安 培。当开关导通时,D1反向偏置,没有电流流过二次绕组,初级绕组中流过斜 率如下式的电流 IN(min)v Rds(on) △t P (3) 此处,V1N(min)与

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真.pdf

  2. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38744435

  1. NMOS和PMOS有什么区别？.pdf

  2. NMOS和PMOS有什么区别？pdf,NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。在GS,GD之间存在寄生电容,而MS管的驱动,实际上就是对电容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：206848
    • 提供者：weixin_38744207

  1. MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？

  2. 1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 图1 左边是N沟道的MOS管，右边是P沟道的MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？**它的判断规则就是对于N沟道，由S极指向D极；对于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：389120
    • 提供者：weixin_38520275

  1. nmos高端驱动自举电路

  2. 一、电容自举驱动NMOS电路 VCC经过二极管D2、电容C2、电阻R1到地，所以加载在电容C2两端的电压约为14V。 图1电容自举驱动NMOS电路 （1） 当V1输入高电平时，Q1、Q4导通，B通道输出高电平，Q2截止，C通道输出高电平，Q3导通，D通道输出高电平48V，由于C2两端电压14V，所以Q3的导通使电容抬升了VDD的电压，即电容C2的正极电压位62V左右，经过三极管Q4、二极管D1到达Q3的栅极，电容C2起到了自举抬升电压的作用，使Q3持续导通。 （2） 当V1输

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：230400
    • 提供者：weixin_38668225

  1. 浅谈MOS管的高端驱动和低端驱动

  2. 低端驱动：MOS管相对于负载在电势的低端，其中D通过负载接电源，S直接接地。对于NMOS，只有当Vgs大于开启电压时，MOS管才能导通。所以当未导通时，S处于一个不能确定的电位。若让Vgs大于开启电压，则DS导通，S确定为地电位，此时仍可以保证Vgs大于开启电压，保持DS导通。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：101376
    • 提供者：weixin_38742656

  1. 模拟技术中的一种新颖的D类音频功率放大器驱动电路

  2. 1 引言 　　由于集成D类音频功率放大器效率较高，体积相对较小，同时大部分情况下不需要散热片或者只需要很少面积的散热片，大大减小了整体体积，使得它在音频电子产品中成为首选。但由于在D类功放设计中占用相同版图面积的情况下，pMOS管的导通电阻远大于nMOS管的导通电阻，为了减小版图面积，降低D类功率放大器的输出级H桥导通电阻，H桥采用nMOS管。为了使H桥高端和低端的LDNMOS管过驱动电压相等，这就需要外部增加一个额外的高电平电源去驱动H桥高端，因此有必要采用基于电荷泵的电容自举电路产生一个高

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38714637

  1. 多单元压电陶瓷类变形镜高压驱动电源

  2. 针对变形镜压电陶瓷类驱动器单元数多的特点，设计一种高带宽适合扩展成多通道输出的压电陶瓷驱动电源，它利用光耦分相隔离从源极驱动功率NMOS管，简化了电路结构并保证了功率带宽。该驱动电源驱动100 nF容性负载时，可实现单端到地-300～+300 V双极性高压输出，电压增益35．5 dB，信号不失真情况下，小信号响应频率达10 kHz，大信号响应频率2 kHz，瞬时充放电电流可达400 mA。实验表明该驱动电源的性能能够满足变形镜驱动的要求且电路结构简单。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：185344
    • 提供者：weixin_38592502

  1. Linear推出具备有源输出放电功能的低压差电压线性稳压器

  2. 导读：凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具备有源输出放电功能的高压、低噪声、低压差电压线性稳压器 LT3063。     该 IC 提供高达 200mA 的连续输出电流，在满负载时具备 300mV 压差电压。LT3063 包含一个内部 NMOS 下拉电阻，如果 SHDN 引脚由低电平驱动或输入电压被关断，那么下拉电阻就给输出电压放电。这种快速输出放电有助于在高端成像传感器等在启动和停机时都需要电源调节的应用中保护负载。 具备有源输出放电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38631282

  1. 凌力尔特新推45V 输入100mA电压线性稳压器

  2. 凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出具有源输出放电的高压、低噪声、低压差电压线性稳压器LT3061.该器件在满负载时，以 250mV 压差电压提供高达 100mA 的连续输出电流。LT3061 包含一个内部 NMOS 下拉电路，如果 SHDN 引脚被驱动至低电平或输入电压被关断，那么该下拉电路就给输出电压放电。这种快速输出放电有助在需要电源调理的应用中于启动和停机时保护负载，例如在高端成像传感器的应用。 　　LT3061 具备 1.6V 至 45V

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：79872
    • 提供者：weixin_38575536

  1. Linear推出具备有源输出放电功能的低压差电压线性稳压器

  2. 导读：凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具备有源输出放电功能的高压、低噪声、低压差电压线性稳压器 LT3063。     该 IC 提供高达 200mA 的连续输出电流，在满负载时具备 300mV 压差电压。LT3063 包含一个内部 NMOS 下拉电阻，如果 SHDN 引脚由低电平驱动或输入电压被关断，那么下拉电阻就给输出电压放电。这种快速输出放电有助于在高端成像传感器等在启动和停机时都需要电源调节的应用中保护负载。 具备有源输出放电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38710566

  1. 凌力尔特新推45V 输入100mA电压线性稳压器

  2. 凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出具有源输出放电的高压、低噪声、低压差电压线性稳压器LT3061.该器件在满负载时，以 250mV 压差电压提供高达 100mA 的连续输出电流。LT3061 包含一个内部 NMOS 下拉电路，如果 SHDN 引脚被驱动至低电平或输入电压被关断，那么该下拉电路就给输出电压放电。这种快速输出放电有助在需要电源调理的应用中于启动和停机时保护负载，例如在高端成像传感器的应用。 　　LT3061 具备 1.6V 至 45V

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38752907

  1. 一种新颖的D类音频功率放大器驱动电路

  2. 1 引言 　　由于集成D类音频功率放大器效率较高，体积相对较小，同时大部分情况下不需要散热片或者只需要很少面积的散热片，大大减小了整体体积，使得它在音频电子产品中成为。但由于在D类功放设计中占用相同版图面积的情况下，pMOS管的导通电阻远大于nMOS管的导通电阻，为了减小版图面积，降低D类功率放大器的输出级H桥导通电阻，H桥采用nMOS管。为了使H桥高端和低端的LDNMOS管过驱动电压相等，这就需要外部增加一个额外的高电平电源去驱动H桥高端，因此有必要采用基于电荷泵的电容自举电路产生一个高电平

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38702931

  1. 浅谈MOS管的高端驱动和低端驱动

  2. 低端驱动：MOS管相对于负载在电势的低端，其中D通过负载接电源，S直接接地。对于NMOS，只有当Vgs大于开启电压时，MOS管才能导通。所以当未导通时，S处于一个不能确定的电位。若让Vgs大于开启电压，则DS导通，S确定为地电位，此时仍可以保证Vgs大于开启电压，保持DS导通。 而对于PMOS，只有到Vgs小于一个值，MOS才能导通。此时S处于一个不确定的电位。若让Vgs小于开启电压，即使导通了，S确定下降到地电位，就不能保证Vgs小于开启电压。 高端驱动：MOS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38551431