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  1. 半导体测试各种项目简介

  2. 目录:www.2ic.cn#O/t'N:I6X 1, 测量可重复性和可复制性(GR&R) 2, 电气测试可信度(Electrical Test Confidence) 3, 电气测试的限值空间(Guardband):r1S/K4S%A7D)~!r 4, 电气测试参数 CPK半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA ,p
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2009-11-09
    • 文件大小:99328
    • 提供者:xiaoyuyu9172
  1. 芯片制造流程(中文)

  2. 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2013-03-27
    • 文件大小:273408
    • 提供者:hechengyong
  1. L-Edit版图制作

  2. ledit软件介绍, 版图  根据逻辑与电路或者器件功能和性能要求以及工艺水平要求来设计光刻用的掩膜版图,实现IC或器件设计的最终输出。版图是一组相互套合的图形,各层版图相应于不同的工艺步骤,每一层版图用不同的图案来表示。版图与所采用的制备工艺紧密相关。 平面工艺 all processing steps act on a very thin surface layer of the wafer.所有的IC在一个晶片上同时被制造出来,大大降低了制造成本。
  3. 所属分类:讲义

    • 发布日期:2015-08-17
    • 文件大小:934912
    • 提供者:qq_30667535
  1. 晶体硅片切割技术在太阳能光伏电池制造中的应用(英文).pdf

  2. Wafer slicing, also called wafering, is a key part of the solar photovoltaic (PV) cell manufacturing process. The proces
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-05
    • 文件大小:670720
    • 提供者:weixin_38743506
  1. 芯片测试的几个术语及解释.docx

  2. CP是把坏的Die挑出来,可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把坏的chip挑出来;检验封装的良率。 现在对于一般的wafer工艺,很多公司多把CP给省了;减少成本。 CP对整片Wafer的每个Die来测试 而FT则对封装好的Chip来测试。 CP Pass 才会去封装。然后FT,确保封装后也Pass。 WAT是Wafer Acceptance Test,对专门的测试图形(test key)的测试,通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定; CP是wafer le
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:18432
    • 提供者:weixin_38744207
  1. What‘s after FinFET.pdf

  2. 半导体制造技术发展到FinFET以后节点继续scaling的方向,如GAA、NanoSheet等。benefits will be high performance, Jones said. At 5nm, it will cost $476 million to design a mainstream chip, compared to $349.2 million for 7nm and $62.9 million for 28nm, according to IBS 5525M s476.
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2019-10-15
    • 文件大小:794624
    • 提供者:u010155987
  1. 探秘芯片制造的四道工序

  2. (更多芯片知识,请参看维库技术资料网 http://www.dzsc.com/data)       芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。   1、晶圆处理工序   本工序的主要工作是在晶圆
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:61440
    • 提供者:weixin_38729399
  1. 显示/光电技术中的LED芯片的制造工艺流程简介

  2. LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test andFinal Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。   1、晶圆处理工序   本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-03
    • 文件大小:126976
    • 提供者:weixin_38703866
  1. 传感技术中的基于系统级封装技术的车用压力传感器

  2. 1、引言   经过几十年的研究与开发,MEMS器件与系统的设计制造工艺逐步成熟,但产业化、市场化的MEMS器件的种类并不多,还有许多MEMS仍未能大量走出实验室,充分发挥其在军事与民品中的潜在应用,还需要研究和解决许多问题,其中封装是制约MEMS走向产业化的一个重要原因之一[1,2]。   为了适应MEMS技术的发展,人们开发了许多新的MEMS封装技术和工艺,如阳极键合,硅熔融键合、共晶键合等,已基本建立起自己的封装体系。现在人们通常将MEMS封装分为以下几个层次:即裸片级封装(Die Le
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-11
    • 文件大小:164864
    • 提供者:weixin_38676500
  1. 铝的沉积和去除

  2. 大多数金属系统用铝或铝合金来作为主要的互联层。铝的导电能力几乎和铜或银一样好,并且它能快速沉积在覆盖在半导体制造中所有的物质的薄膜上。经过一段时间的加热,铝和硅形成低电阻的contact合金。 铝通常靠和与图2.25相似的设备蒸发来沉积。Wafer被装在架子上,他们曝光的面都朝着一个盛有小量铝的坩锅。当坩锅被加热后,一些铝会蒸发并在硅表面沉积。为了防止铝蒸汽在wafer上沉积之前氧化,整个蒸发系统都处于高真空状态下。图示的蒸发系统只能处理纯铝,但一些更复杂的系统也能蒸发铝合金。 740)t
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:64512
    • 提供者:weixin_38520258
  1. 芯片装配

  2. 沉积保护层后,wafer的制作就算完成了,但离完成集成电路还有一些制造步骤。由于多数操作不需要像wafer制作一样严格的洁净度,他们通常都在一个叫做assembly/test site的地方完成。 图2.30 是一幅典型的完成的wafer的图片。Wafer上的每一个小方块就是一个完整的集成电路。这个wafer上大概有300个继承电路dice,他们都在一个个的矩形方块里。在这里面有些地方是由工艺控制结构和测试dice而不是实际集成电路占据的。 740)this.width=740" borde
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:67584
    • 提供者:weixin_38702047
  1. 扩散的一些效应分析

  2. 扩散的过程有很多限制。扩散只能在wafer表面进行,限制了能制造的几何图案。杂质扩散不均衡,所以最终的diffusion没有稳定的掺杂特性。接下来的高温过程继续drive先前沉积的杂质,所以在这个过程中太早形成的结在后面的步骤里被driven的更深了。杂质扩散到氧化层窗口边缘以下,扩大了diffusion的图案。由于隔离机制,diffusion和氧化互相作用,结果形成耗尽区或加强表面掺杂程度。Diffusion之间甚至相互作用,因为一种掺杂的存在会影响其他的扩散速度。这些和其他复杂的因素使扩散过
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:66560
    • 提供者:weixin_38667849
  1. wafer的制造

  2. Wafer的制造涉及到一系列的机械工艺。Ingot两头的锥形末端会被切掉。剩下的就被磨成圆柱体,它的直径就决定了最后的wafers的尺寸。研磨后就没有看得见的晶体方向标志了。晶体的方向是由实验确定的,沿着ingot的某个边会磨出一个平面。每个从它上面切下来的wafer就会有一个刻面,或flat,这样就明白无误的指出了晶体的方向。 研磨出flat后,制造商就用带钻石嘴的锯子把ingot切成wafers。这道工艺中,有大于三分之一的宝贵的硅晶体就这样变成了没用的粉尘。由于要经过切割工艺,wafe
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:34816
    • 提供者:weixin_38624183
  1. 什么是Patterning?

  2. 曝光过的wafer会用一种合适的developer喷射,通常都是有机溶液的混合液。Developer会溶解部分resist而露出wafer的表面。沉积或蚀刻只影响这些暴露出的区域。一旦选定的工艺完成,光刻胶就能用溶液洗掉。或者,也可以用有氧环境下的反应式离子蚀刻(节2.3.2)来把光刻胶去掉。这个过程叫做ashing。 许多重要的制造工艺都要求masking层能经受高温。由于大多数实用的光刻胶都是有机化合物,很明显他们都不适合。两种普遍的高温masking物质是二氧化硅和氮化硅。适合的气体和
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:34816
    • 提供者:weixin_38740130
  1. 单片机与DSP中的Predictions发力DUF工艺,校准良品率模型获TSMC导入

  2. Predictions Software Ltd.公司日前宣布,其DFM一体化支持(DUF)工艺即校准良品率模型将被台湾半导体制造公司TSMC导入。 定义每片晶片总模子数Gross Die Per Wafer(GDPW)的二个因子是每片晶片的芯片良品率和芯片数(由设计区域定义)。当一旦设计完成后良品率充当主要角色时,设计区域和良品率在设计阶段可得到平衡。DFM允许使用譬如通过复制(via duplication),导线优化(wire optimizations),和基于瑕疵的间距调整(defe
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:45056
    • 提供者:weixin_38682518
  1. 晶圆测试

  2. 在晶圆制造完成之后,是一步非常重要的测试。这步测试是晶圆生产过程的成绩单。在测试过程中,每一个芯片的电性能力和电路机能都被检测到。晶圆测试也就是芯片测试(die sort)或晶圆电测(wafer sort)。 在测试时,晶圆被固定在真空吸力的卡盘上,并与很薄的探针电测器对准,同时探针与芯片的每一个焊接垫相接触(图4.18)。电测器在电源的驱动下测试电路并记录下结果。测试的数量、顺序和类型由计算机程序控制。测试机是自动化的,所以在探针电测器与第一片晶圆对准后(人工对准或使用自动视觉系统)的测试工作
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:47104
    • 提供者:weixin_38702844
  1. 晶圆生产的目标

  2. 芯片的制造,分为四个阶段:原料制作、单晶生长和晶圆的制造、集成电路晶圆的生产、集成电路的封装。前两个阶段已经在本书的第三章涉及。本章讲述的是第三个阶段,集成电路晶圆生产的基础知识。 集成电路晶圆生产(wafer fabrication)是在晶圆表面上和表面内制造出半导体器件的一系列生产过程。整个制造过程从硅单晶抛光片开始,到晶圆上包含了数以百计的集成电路芯片(图4.1)。   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:21504
    • 提供者:weixin_38644168
  1. LED芯片的制造工艺流程简介

  2. LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test andFinal Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。   1、晶圆处理工序   本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-19
    • 文件大小:145408
    • 提供者:weixin_38562026
  1. 基于系统级封装技术的车用压力传感器

  2. 1、引言   经过几十年的研究与开发,MEMS器件与系统的设计制造工艺逐步成熟,但产业化、市场化的MEMS器件的种类并不多,还有许多MEMS仍未能大量走出实验室,充分发挥其在军事与民品中的潜在应用,还需要研究和解决许多问题,其中封装是制约MEMS走向产业化的一个重要原因之一[1,2]。   为了适应MEMS技术的发展,人们开发了许多新的MEMS封装技术和工艺,如阳极键合,硅熔融键合、共晶键合等,已基本建立起自己的封装体系。现在人们通常将MEMS封装分为以下几个层次:即裸片级封装(Die Le
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-19
    • 文件大小:189440
    • 提供者:weixin_38691970