注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 【分享】模拟电路设计的九个级别，摘录于此，鼓励和我一样的初级硬件工程师分享】模拟电路设计的九个级别，摘录于此，鼓励和我一样的年轻人

  2. 在某网站上看到的某大神的经验之谈，特此分享给各位，你还在等什么，抓起青春的尾巴，向着自己目标迈进吧 一段 你刚开始进入这行，对PMOS/NMOS/BJT什么的只不过有个大概的了解，各种器件的特性你也不太清楚，具体设计成什么样的电路你也没什么主意，你的电路图主要看国内杂志上的文章，或者按照教科书上现成的电路，你总觉得他们说得都有道理。你做的电路主要是小规模的模块，做点差分运放，或者带隙基准的仿真什么的你就计算着发文章，生怕到时候论文凑不够。总的来说，基本上看见运放还是发怵。你觉得spice是一个

  3. 所属分类：电子政务

    • 发布日期：2012-07-31
    • 文件大小：25600
    • 提供者：jackor_cheng

  1. 一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25~＋120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38618746

  1. 0.13 μm CMOS电流模式高精度基准源设计

  2. 为提升基准源的精度，降低功耗，设计了一种新型带曲率补偿的低功耗带隙基准电路。该电路根据MOS管亚阈值区固有指数关系去补偿PNP型晶体管发射结电压的高阶温度特性，在只增加两股镜像电流下，该带隙基准电路与传统一阶低压带隙基准电路相比，具有低功耗和更低的温漂系数。基于中芯国际130 nm COMS工艺，仿真表明，温度在-20 ℃～80 ℃范围内，温漂为4.6 ppm/℃，电源抑制比为60 dB，输出基准电压为610 mV，整体电路功耗为820 nW。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38528459

  1. 一种低功耗高精度带隙基准的设计

  2. 基于UMC 0.25 μm BCD 工艺，在传统带隙基准结构的基础上，设计了一种具有低功耗、高精度的基准，同时利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性，对基准温度特性曲线进行二阶补偿。仿真结果表明，电源电压5 V时，静态电流功耗为3.16 μA；电源电压2.5 V~5.5 V，基准电压变化53 μV；温度在-40 ℃~130 ℃内，电路的温度系数为 0.86×10-6/℃；三种工艺角下，低频时电路电源抑制比都小于-95 dB。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：496640
    • 提供者：weixin_38672800

  1. 一种带有软启动的精密CMOS带隙基准设计

  2. 本文结合工程实际的要求设计了一款具有低噪声、高精度且可快速启动的CMOS带隙基准源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M标准CMOS工艺模型库进行仿真，HSPICE的仿真结果表明该基准在温度特性、电源抑制比、功耗和启动时间方面有着良好的性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：225280
    • 提供者：weixin_38554193

  1. 电源技术中的一种高精度低电源电压带隙基准源的设计

  2. 摘 要： 设计了一种可在低电源电压下工作，具有较高电源电压抑制比、低温度系数和低功耗的带隙基准电压源。电路基于对具有正负温度系数的两路电流加权求和的原理，对传统电路做出了改进。采用UMC 0.25 umCMOS工艺模型，使用Hspice 进行模拟，设计的基准源输出电压为900 mV，电源电压可降低到1.1 V，温度系数为8.1*10-6/°C。 　　输出不随温度、电源电压变化的基准电压源，在模拟和混合集成电路中应用广泛，特别是在高精度的场合，基准电压源是整个系统设计的前提。 　　由于带隙基准

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：331776
    • 提供者：weixin_38694023

  1. 一种带有软启动的精密CMOS带隙基准设计

  2. 引 言 　　带隙基准是所有基准电压中最受欢迎的一种，由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，所以被广泛地应用于高精度的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其他许多模拟集成电路中。带隙基准的主要作用是在集成电路中提供稳定的参考电压或参考电流，这就要求基准对电源电压的变化和温度的变化不敏感。 　　本文结合工程实际的要求设计了一款具有低噪声、高精度且可快速启动的CMOS带隙基准源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M标准CMOS工艺模型库进行仿真，HSPICE的仿真结果

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：143360
    • 提供者：weixin_38629801