注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 新手必看 L6562完全中文详细解释.pdf

  2. 新手必看 L6562完全中文详细解释pdf,新手必看 L6562完全中文详细解释压用来给芯片内供电,但是输出驱动M0STT是由vcc直接供电。另外,一个 苧隙电路产生一个精准的2.5V内部参考电压(2.5V+1%),用于环路控制,以此 来获得—一个稳定的调节。 在图片2中可以看到,一个欠电压锁死迟滞比较器,用来保证只有当输入电压足 够高,芯片才运行,以此保证芯片运行在可靠的条件下。 图片2.内部供电模块 UVLO REF D773 差分放大器和过压检测模(见图片3和4) 差分放大器(EA)的反向

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真.pdf

  2. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38744435

  1. (TI) 认识开关型电源中的BUCK-BOOST.pdf

  2. (TI) 认识开关型电源中的BUCK-BOOSTpdf,开关电源由功率级和控制电路组成，功率级完成从输入电压到输出电压的基本能量转换，它包括开关和输出滤波器。这篇报告只介绍降压–升压（buck-boost）功率级，不包含控制电路。详细介绍了工作在连续模式和非连续模式下buck-boost功率级的稳态和小信号分析，同时也介绍了标准buck-boost功率级的不同变型，并讨论了功率级对组成部件的要求。中 TEXAS STRUMENTS www.ti.com.cn Buck- Boost级稳态分析 2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38743737

  1. R8103非隔离降压型LED驱动IC.pdf.pdf

  2. R8103非隔离降压型LED驱动IC.pdfpdf,R8103非隔离降压型LED驱动IC.pdfSiRise 功能框图 稳压源 输 出 系统控制器 驱 动 前沿消隐 图 功能框图 典型应用图 DI-ED x火 火 H]3 R810 ENP 数据手册 矽瑞微电子有限公司版权所有 SiRise 应用信息 R8103是非隔离降压型恒流驱动器,内部集成高压600 V MOSFET,采用DIP8封装,LED电流可以输 出高达350mA:R8103采用谷底开关模式,自适应电感感量和输出电压的变化,只需要很

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：829440
    • 提供者：weixin_38744435

  1. 关于MOSFET驱动电阻的选择

  2. 关于开关电源中MOSFET驱动电阻的选择和参数设计，其中有电压电流波形、IC 的 的PWM 输出 、不同PCB走线对MOS驱动的影响。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-01-12
    • 文件大小：564224
    • 提供者：hxt217

  1. 关于MOSFET驱动电阻的选择

  2. L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。 Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。 Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。 VL+VRg+VCgs=12V 计算式 这是个3阶系统，当其极点为3个不同实根时是个过阻尼震荡，有两个相同实根时是临界阻尼震荡，当有虚根时是欠阻尼震荡，此时会在MOSFET栅极产生上下震荡的波形，这是我们不希

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-11
    • 文件大小：196608
    • 提供者：weixin_38669091

  1. 关于MOSFET驱动电阻的选择

  2. L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：235520
    • 提供者：weixin_38653040

  1. 关于MOSFET用于开关电源的驱动电路

  2. MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、电压、电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-12
    • 文件大小：146432
    • 提供者：weixin_38674115