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  1. 南京沁恒资料ch341 ch375

  2. CH372DSK.ZIP 2005-07-10 332KB 1.1 • CH372+MCU的U盘方案，适用于CH372或者CH375， 使用普通的MCS51单片机和SRAM或者串行EEPROM或者闪存 自行设计专用U盘或闪存盘。含源程序及相关技术规范文档， 正式应用建议参考小容量U盘控制芯片CH331的资料 -------------------------------------------------------------------------------- CH341EVT.ZIP

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-01-08
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：annasummer

  1. 计算机组成原理本科复习题1

  2. 本科生期末试卷六 一． 选择题（每小题1分，共10分） 1． 完整的计算机应包括___d___。 A 运算器、存储器、控制器 ； B 外部设备和主机 ； C 主机和实用程序 ； D 配套的硬件设备和软件系统 ； 2． 用64位字长（其中1位符号位）表示定点小数时，所能表示的数值范围是___b___。 A [ 0，264 – 1 ] B [ 0，263 – 1 ] C [ 0，262 – 1 ] D [ 0，263 ] 3． 四片74181ALU和1片74812CLA器件相配合，具有如下进位传递

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-06-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：zlzhoulei

  1. 高级微控制器 AVR 32

  2. AVR32 AP7 应用处理器是专为各种计算密集应用而设计的高级片上系统解决方案。在时钟频率为150MHz、而电压为1.8V (1.4 DMIPS / MHz) 时，可提供210 Dhrystone MIPS (1.4 DMIPS / MHz) 的处理性能，操作功耗为75Ma (500uA/MHz)。此内核拥有内置的DSP、SIMD指令集、跳转预测和存储器管理单元(MMU)。此外，该器件可提供动态频率调整（Dynamic Frequency Scaling, DFS），可在四个片上时钟域 (C

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2012-04-03
    • 文件大小：187392
    • 提供者：wzp2379576

  1. STM32F10xxx参考手册

  2. 目录 1 文中的缩写 24 1.1 寄存器描述表中使用的缩写列表 24 1.2 术语表 24 1.3 可用的外设 24 2 存储器和总线构架 25 2.1 系统构架 25 2.2 存储器组织 27 2.3 存储器映像 28 2.3.1 嵌入式SRAM 29 2.3.2 位段 29 2.3.3 嵌入式闪存 30 2.4 启动配置 33 3 CRC计算单元(CRC) 34 3.1 CRC简介 34 3.2 CRC主要特性 34 3.3 CRC功能描述 34 3.4 CRC寄存器 35 3.4.1

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-10-17
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：lhlvictory

  1. STM32中文参考手册

  2. 目录 STM32F10xxx参考手册 目录 1 文中的缩写 24 1.1 寄存器描述表中使用的缩写列表 24 1.2 术语表 24 1.3 可用的外设 24 2 存储器和总线构架 25 2.1 系统构架 25 2.2 存储器组织 27 2.3 存储器映像 28 2.3.1 嵌入式SRAM 29 2.3.2 位段 29 2.3.3 嵌入式闪存 30 2.4 启动配置 33 3 CRC计算单元(CRC) 34 3.1 CRC简介 34 3.2 CRC主要特性 34 3.3 CRC功能描述 34 3

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2014-02-28
    • 文件大小：16777216
    • 提供者：u010910604

  1. stm32中文参考手册

  2. 目录 stm32f10xxx参考手册 目录 1 文中的缩写 24 1 1 寄存器描述表中使用的缩写列表 24 1 2 术语表 24 1 3 可用的外设 24 2 存储器和总线构架 25 2 1 系统构架 25 2 2 存储器组织 27 2 3 存储器映像 28 2 3 1 嵌入式sram 29 2 3 2 位段 29 2 3 3 嵌入式闪存 30 2 4 启动配置 33 3 crc计算单元 crc 34 3 1 crc简介 34 3 2 crc主要特性 34 3 3 crc功能描述 34 3

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2014-06-08
    • 文件大小：16777216
    • 提供者：lhf0921

  1. 南京沁恒资料ch341 ch375

  2. CH372DSK.ZIP 2005-07-10 332KB 1.1 • CH372+MCU的U盘方案，适用于CH372或者CH375，使用普通的MCS51单片机和SRAM或者串行EEPROM或者闪存自行设计专用U盘或闪存盘。含源程序及相关技术规范文档，正式应用建议参考小容量U盘控制芯片CH331的资料 -------------------------------------------------------------------------------- CH341EVT.ZIP 200

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-08-22
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：yulsan

  1. 完整CH375技术资料

  2. CH372DSK.ZIP 2005-07-10 332KB 1.1 • CH372+MCU的U盘方案，适用于CH372或者CH375， 使用普通的MCS51单片机和SRAM或者串行EEPROM或者闪存 自行设计专用U盘或闪存盘。含源程序及相关技术规范文档， 正式应用建议参考小容量U盘控制芯片CH331的资料 -------------------------------------------------------------------------------- CH341EVT.ZIP

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2008-11-15
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：meranda

  1. 计算机组成原理考研纲要

  2. 8.存储器的基本知识 (1)性能指标：存储容量、存取时间、存储周期、存储器带宽。 (2)存储介质主要为：半导体器件（内存）和磁性材料（外存） ①按存储介质分为磁表面存储器，半导体存储器，光存储器 (3)包括：主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。 (4)易失性RAM，非易失性ROM,FLASH（闪存） (5)多级存储体系结构：寄存器+高速缓冲存储器+主存储器+外存储器。即Cache+主存+辅存，以满足对存储系统的“容量大、速度快、成本低”要求 (6)ROM分为：ROM只读存储器、

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2018-07-17
    • 文件大小：252928
    • 提供者：destiny_forever

  1. 东软载波 ES7P003 Datasheet 中文手册

  2. 东软载波 ES7P003单片机的中文数据手册。ES7P003管脚兼容STM8S003、新唐N76E003，主要性能特点： 工作电压范围：2.3V ~ 5.5V  工作温度范围：-40 ~ 85℃  设计工艺及封装  低功耗、高速FLASH CMOS 工艺  20 个管脚，采用TSSOP封装  内核  ES7P RISC CPU内核  79 条精简指令  系统时钟工作频率最高为16MHz  指令周期为2个系统时钟周期  复位向量位于0000H，默认中断向量位于0004H 

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-03-21
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：wandtor

  1. Luminary Micro Stellaris系列LM3S301微控制器选型指南(周立功翻译).pdf

  2. Luminary Micro Stellaris系列LM3S301微控制器选型指南(周立功翻译)pdf,Luminary Micro Stellaris系列LM3S301微控制器选型指南(周立功翻译)第1章结构概述 第1章结构概述 Luminary micro Stellaris-M系列的微控制器是首款基于 ARM Cortex-M3的控制器, 它将咼性能的32位计算引入到对价格敏感的嵌入式微控制器应用中。这些堪称先锋的器件 拥有与8位和16位器件相同的价格,却能为用户提供32位器件的性能,而且

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-19
    • 文件大小：359424
    • 提供者：weixin_38743481

  1. Luminary Micro Stellaris系列LM3S801微控制器选型指南(周立功翻译).pdf

  2. Luminary Micro Stellaris系列LM3S801微控制器选型指南(周立功翻译)pdf,Luminary Micro Stellaris系列LM3S801微控制器选型指南(周立功翻译)第1章结构概述 第1章结构概述 Luminary micro Stellaris-M系列的微控制器是首款基于 ARM Cortex-M3的控制器, 它将咼性能的32位计算引入到对价格敏感的嵌入式微控制器应用中。这些堪称先锋的器件 拥有与8位和16位器件相同的价格,却能为用户提供32位器件的性能,而且

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-13
    • 文件大小：362496
    • 提供者：weixin_38743968

  1. SN32F249_V10_SC.pdf

  2. 存储器配置 ♦ ♦ 工作电压：1.8V ~ 5.5V 64KB 内置 Flash 可编程存储器 8KB SRAM ♦ ♦ ADC 4KB Boot ROM 14 通道 12 位 SAR ADC 内置温度传感器 ♦ 工作频率高达 50MHzSONY 目录 产品简介 功能特性 系统框图 时钟产生框图 引脚配置 引脚说明 引脚电路结构图 屮央处理器( 存储器 系统定时器 操作 用法说明及技巧 寄存器 系统定时器控制和状态寄存器( 系统定时器重装值寄存器( 系统定时器当前值寄存器( 系统定时器

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：qq_35351713

  1. nvdla 入门翻译文档.pdf

  2. 翻译的NVDLA 加速引擎的文档，学习交流，一块进步！PU cPU Microcontroller DRAM AVULA NVD_A DODI SFAMI Small NVDLA system Large"NVDLA system 小NDLA模型 小型 NVDLA模型在以前不可行的领域开辟了深度学习技术。此模型非常适合对成本因素 比较敏感的物联网(IoT)类设备、A丨以及面向自动化的系统领域。这些系统具有明确的应 用方向,其成本、面积和功率是主要注意事项。通过N√DLA可配置实现资源节约(在成本

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-08-31
    • 文件大小：510976
    • 提供者：weixin_42119147

  1. STM32F105XX中文数据手册

  2. STM32F105XX中文数据手册，详细的介绍STM32F105XX系列单片机。数据手册 典型曲线 负载电容 引脚输入电压 供电方案 电流消耗测量 绝对最大额定值 工作条件 通用工作条件 上电和掉电时的工作条件 内嵌复位和电源控制模块特性 内置的参照电压 供电电流特性 外部时钟源特性 内部吋钟源特性 和的特性 存储器特性 特性 绝对最大值电气敏感性 口注入电流特性 端口特性 引脚特性 定时器特性 通信接口 位特性 电气特性 温度传感器特性 封装特性 封装机械数据 热特性 参考文档 选择产品的温度

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-03-01
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：qq_39870415

  1. 双端□SRAM的读操作

  2. 图表示了双端口SRAM读操作的波形。与异步SRAM相同，确定地址后，在CE0为低电平、CE1为高电平时器件被选择，通过R／W为高电平和面为低电平，确定读操作状态，从而读出数据。而主机方面只要提取该数据即可。             图 双端口SRAM的读周期 　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）  来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38750721

  1. 同步类型的双端口SRAM

  2. 作为同步双端口SRAM，我们以CY7C09199为例进行说明。CY7C09199与CY7C019相同，都是128K×9位结构的双端口存储器，其框图如图所示，由图可知，各个信号引脚都是利用时钟进行采样操作的。 　　图  CY7C09199的内部框图 　　其功能仍然是双端口存储器的功能，只是因为与时钟同步运行，所以不具各异步类型所拥有的仲裁机制。而且信号灯功能也被删除，取而代之的是增加了从最初所赋予的地址开始能够进行一系列读／写操作的计数器功能（Counter／Address Registe

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38574410

  1. 双端口SRAM中断功能

  2. 在利用双端口进行多个处理器间通信的情况下，为了传递开始处理请求以及结束的通知等信息，经常相互间中断某操作。CY7CO19就是为了这个目的而增加了中断功能。  　　说是中断功能，其实与已经描述过的写操作、读操作没有什么不同。  　　图是中断操作的示例。在该示例中，LEFT端口中断了RIGHT端口的操作。如果由LEFT端口向lFFFFh地址写人数据（数据为任意），则RIGHT端的INT输出有效（为低电平）。如果连接于RIGHT端的CPU等接收到该指令，由RIGHT端口读取iFFFFh地址，那么，IN

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38716872

  1. 同步双端口SRAM的读／写搡作

  2. 图中表示了存取操作中的一个例子，该示例中的操作是管道模式（FT／Pipe引脚为高电平）下的操作，它按照读／写／读这样的顺序进行存取。 　　图 同步双端口SRAM的存取操作示例 　　直流模式下的读／写操作，因为数据的输出是被一个个时钟前置的，所以在赋予地址的下一个时钟沿上确定数据。 　　首先，在最初的时钟上CE有效，器件处于被选择的状态。因为R／W为高电平，所以操作是读模式，而又因为ADS有效，因而将A0～A16作为所访问的地址进行提取。在这个例子中，是在下一个时钟中改变地址的，这只是希望

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：111616
    • 提供者：weixin_38582506

  1. 单向双端口SRAM的测试算法

  2. 引 言 　　单向双端口SRAM是一种专用的存储器，它具有独立的写地址总线和读地址总线，不仅可以实现单端口的读写，还可以对不同地址的存储单元进行同时读写操作，提高了SRAM的性能。本文分析了单向双端口SRAM的失效模式，并描述了相应的基于字的检测算法。 存储器模型 　　图1表示了3×3的单向双端口SRAM模块的结构示意图，输入为读地址总线、写地址总线和输入数据总线，输出为输出数据总线。每一个存储单元都有四个端口，分别是数据写入(BW)，数据读出(BR)，写地址端口(WA)和读地址端

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：220160
    • 提供者：weixin_38710198
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