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  1. p_SiTFT栅绝缘层用SiN_x薄膜界面特性的研究.pdf

  2. 以NH3 和SiH4 为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD) 法在多晶硅(p2Si) 衬底上沉积了SiNx 薄膜。系

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：379904
    • 提供者：weixin_38744207

  1. PECVD沉积参数对硅薄膜生长速率的影响

  2. PECVD沉积参数对硅薄膜生长速率的影响，王志辉，强颖怀，高效、稳定、廉价的多晶硅薄膜太阳电池有可能替代非晶硅薄膜太阳电池成为新一代无污染民用太阳能电池。传统等离子体化学汽相沉积

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-10
    • 文件大小：443392
    • 提供者：weixin_38716556

  1. 化学气相沉积a－Si（非晶硅）

  2. 　高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的基础原料，在未来的50年里，还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏产业主要原材料。 　a－Si（非晶硅）光电池一般采用高频辉光放电方法使硅烷气体分解沉积而成。由于外解沉积温度低，可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积约1μm厚的薄膜，易于大面积化（05rn×l.0m），成本较低，多采用p in结构。为提高效率和改善稳定性，有时还制成三层P in等多层叠层式结构，或是插入一些过渡层。其商品化产量连续增长，年产能力45MW／a，10MW生产

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-12-15
    • 文件大小：59392
    • 提供者：ygwang001

  1. 交互氧化物，交互氮化物和保护层

  2. 交互氧化物，交互氮化物和保护层 图2.29显示了一个典型的现代金属系统的截面图。硅上的第一层物质是热生长氧化物。在这层氧化物上面的是多晶硅层，它最终会形成MOS晶体管的gate。在这层多晶层上的是叫做multilevel oxide（MLO）的一薄层沉积的氧化物层，它能隔离多晶并加厚热生长氧化物层。穿过MLO和热生长氧化物层蚀刻的是contact opening，它能接触silicon，也穿过MLO来接触多晶。跟着reflow后，contact opening被硅化来降低接触电阻。在MLO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38596117

  1. 多晶硅的沉积

  2. 如果硅是沉积在不定形的物质上，那么就没有底下的结构能调整晶体的生长。最终的硅薄膜由小的愈合晶体的集合体组成。这种多晶薄膜有粒状结构，它的粒子尺寸取决于沉积条件和接下来的热处理。多晶的粒子boundaries就好像lattice defects，它能为漏电流提供秘密通道。因此，PN结通常不是由多晶造的。多晶通常用来生产self-aligned MOS晶体管的gate电极，因为，不像铝，它能承受退火source/drain植入所需的高温。另外，由于磷掺杂的多晶能固定离子杂质，多晶的使用能更好的控制M

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38673235

  1. 镀金属基础知识介绍

  2. 集成电路的主动成分由diffusion，离子植入和外延层在硅衬底上的生长组成。当这个步骤结束，用一层或多层连线，最终的部分被连接起来形成集成电路。连线包括金属层和由绝缘物质，通常是沉积氧化物，隔离开的多晶硅。同样这些物质也可以被用来制作被动元件，比如电阻和电容。 图2.24说明了一个典型的单层金属互联系统的形成。最后的植入和扩散后，在整个wafer上生长或沉积一层氧化物，某些区域被蚀刻来做出曝光硅的氧化物窗口。这些窗口将成为金属和底下硅的contact，一旦这些contact被打开，一薄层金

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38693589

  1. 晶圆制造实例

  2. 集成电路的生产从抛光硅片的下料开始。图4.16的截面图按顺序展示了构成一个简单的MOS栅极硅晶体管结构所需要的基础工艺。每一步工艺生产的说明如下： 第一步：增层工艺。对晶圆表面的氧化会形成一层保护薄膜，它可作为掺杂的屏障。这层二氧化硅膜被称为场氧化层。 第二步：光刻工艺。光刻制程在场氧化层上开凹孔以定义晶体管的源极、栅极和漏极的特定位置。 第三步：增层工艺。接下来，晶圆将经过二氧化硅氧化反应加工。晶圆暴露的硅表面会生长一层氧化薄膜。它可作为栅极氧化层。 第四步：增层工艺。在第四步，晶圆上沉积一层

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38502916

  1. 显示/光电技术中的低温p-Si薄膜的制备研究

  2. 引言 近年来，有源液晶显示技术在液晶显示产业和研究领域都独占鳌头。在有源液晶显示技术中，多晶硅薄膜因高迁移率展现出独特的优势，它的器件尺寸小，可以获得更高的开口率和分辨率；由于迁移率的提高可以将周边驱动集成于显示板内部，可以有效降低材料成本，同时LCD 整体的重量和厚度将会大幅度的减少。 目前，人们对多晶硅薄膜技术的研究主要集中在降低晶化温度和减少晶化时间上，金属诱导晶化是一项很有潜力的新技术方案，晶化温度可降低到500℃，晶化时间可以缩短。例如Al, Cu, Au, 或 Ni 等沉

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：91136
    • 提供者：weixin_38648037

  1. 光伏多晶硅专题报告：硅料需求景气回升

  2. 多晶硅是光伏行业的基础原材料。光伏产业链分为上游多晶硅，中游硅片、电池片、组件，以及下游光伏发电系统三大环节。其中，多晶硅作为光伏产品制造的基础原材料，有产能投资金额大、技术工艺复杂、投产周期长等特点，具备较高的进入壁垒，行业附加值较高。 目前多晶硅生产技术主要有改良西门子法和硅烷流化床法，其中改良西门子法生产工艺相对成熟，国内市占率达 96%以上，市场主流地位难以撼动。改良西门子法的原理是在 1100℃左右的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上，产品形态为棒状硅。改良西

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38678406

  1. MONOS型非易失性存储器中作为电荷存储层的ZnO量子点的特性

  2. 长期以来，人们一直在研究以量子点（QD）作为电荷存储层（CSL）的MONOS型非易失性存储设备，以取代传统的多晶硅浮栅存储器，因为它具有以下优点：工作电压较小，编程/擦除速度更快，更小的尺寸，更好的耐用性以及更高的位存储密度。 作为关键部分，已经广泛研究了不同类型的半导体量子点，例如GeError！ 找不到参考源。，SiCError！ 找不到参考源。，SiGeError！ 找不到参考源。InP和ZnO。 在这项工作中，已研究了不同的溅射厚度和沉积后退火（PDA）温度对ZnO QDs形成尺寸的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-25
    • 文件大小：460800
    • 提供者：weixin_38611877

  1. 光伏设备行业报告

  2. 上游：生产多晶硅材料，由原料硅砂（二氧化硅）经纯化过程冶炼出太阳能发电级的多晶硅接着将 多晶硅材料加工成硅晶片；中游：包括制造太阳能电池和电池组件。电池片环节中PERC工艺路线包括清洗制绒、扩散、蚀刻、 镀膜、网印和烧结等步骤，而HJT路线仅需清洗制绒、非晶硅膜沉积、TCO膜沉积、网印四大步骤。 把太阳能电池片组装成一块太阳能电池板，即为电池组件；下游：系统、零部件行业，将太阳能电池组件与转换器、连接器等零部件组合，制作成发电设备。从单晶硅片及切片设备投资构成看，最核心是单晶炉和切片机。单晶炉约

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38609693

  1. 使用等离子体增强化学气相沉积技术制备的原位掺杂磷的多晶硅钝化接触剂有效吸杂

  2. 使用等离子体增强化学气相沉积技术制备的原位掺杂磷的多晶硅钝化接触剂有效吸杂

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-02
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38582716

  1. NH

  2. SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用, 越来越广泛地应用于晶硅太阳电池的制造工艺中。用等离子体化学气相沉积(PECVD)法, 通过改变流量比、气体总量及基底温度等工艺参数沉积SiN薄膜, 研究了流量比对在多晶硅太阳电池上所沉积的氮化硅薄膜性能的影响。实践表明, NH3/SiH4气体流量比为11.5∶1时电池材料具有最佳的光电性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38509656

  1. 平顶绿光晶化制备多晶硅薄膜

  2. 利用倍频Nd∶YAG激光器使玻璃基底上沉积的非晶硅薄膜成功实现了晶化。YAG激光器的倍频绿光经蝇眼透镜阵列整形后得到一光强均匀分布的平顶光束, 并用此光束对非晶硅薄膜进行扫描晶化处理。分别测量了激光晶化前后薄膜的拉曼谱和表面形貌。测量结果表明, 非晶硅实现了到多晶硅的相变, 且晶化处理后表面起伏度明显增大。根据拉曼谱的数据计算了不同激光能量密度下薄膜的粒度大小和结晶度。结果表明, 在一定能量密度(400～850 mJ/cm2)范围内, 结晶膜的晶粒粒度和结晶度随激光能量密度升高而增大。然而能量密

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38699784

  1. 基于绝缘体上硅晶片的微机电系统红外光源

  2. 提出了一种利用微机电系统(MEMS)制造工艺技术制备的硅基微型红外光源。该光源使用绝缘体上硅(SOI)晶片作为基底材料,其上沉积多晶硅材料并通过离子注入工艺实现材料的电阻加热发光特性,SOI晶片上的单晶硅层通过重掺杂实现辐射光背向吸收自加热效应。利用SOI晶片中的掩埋二氧化硅层为刻蚀停止层,通过背面深反应离子刻蚀(DRIE)技术制备微米量级的薄膜发光层结构。光源表面工作温度和辐射光谱分别通过红外热像仪和光谱辐射计测量得到。实验结果表明,该光源在表面温度约700 K时,1.3-14.5 μm波长内

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38656226

  1. 多晶硅绕镀层的去除工艺研究

  2. 本文旨在针对TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact背面隧穿氧化钝化接触)晶硅电池制备过程中，背面钝化多晶硅层沉积引起的硅片正面边缘沉积多晶硅绕镀层的去除进行工艺研究，进一步解决了电池外观不良和该多晶硅层对电池正面光的吸收影响。文中分别尝试采用HF-HNO3混酸溶液和KOH碱溶液两种方式进行腐蚀处理，然后通过对处理后硅片正面的工艺控制点监控和电池EL检测等手段评估去除效果。其中HF 1wt%、HNO3 50wt%混合溶液时腐蚀4 min以上可去除该绕镀层，但是

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38537315

  1. 多晶硅太阳电池组件电位诱导衰减效应分析

  2. 电位诱导衰减(PID)能够导致晶体硅太阳电池组件功率大幅衰减，使太阳电池组件的大规模应用受到了限制。实验分析了由不同等离子体增强化学气相沉积(PECVD)镀膜工艺多晶硅太阳电池制作的组件功率衰减问题。结果表明，相比标准工艺多晶硅太阳电池组件(折射率为2.06)，防PID 工艺多晶硅太阳电池(折射率为2.16)制作的组件功率仅有1.65%的衰减，衰减幅度在5%以内，具有一定的耐高压、高温和湿热环境的能力。分析可知，在满足光学薄膜厚度的情况下，制作具有较高折射率SiNx膜的多晶硅太阳电池组件能够更好

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-25
    • 文件大小：863232
    • 提供者：weixin_38605967