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  1. 基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

  2. 详细分析基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-07-12
    • 文件大小：172032
    • 提供者：y297374507

  1. 模拟电路200问.docx

  2. 1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点? 答：频率特性好、体积小、功耗小，便于电路的集成化产品的袖珍化，此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出；但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。 2、什么是本征半导体和杂质半导体？ 答：纯净的半导体就是本征半导体，在元素周期表中它们一般都是中价元素。在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。 3、空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗? 答：不是，但是在它的运动中可以将其等效为载流子。空穴导电时等电量

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-04-11
    • 文件大小：35840
    • 提供者：wzjemb

  1. 半导体变流技术.pdf

  2. 半导体变流技术pdf,半导体变流技术2.晶涧管承受正向阳极电压时,只有门极也承受正间电压晶闸管才能导通 3.晶闸管在导通情况下,只要仍承受一定的正向阳极电压,不论门极电压有无也不管是 正向还是反向,品闸管仍然导通。 λ·品管在导通情况下,当主电路的忠流减小到一定程度时(通过滑线电阻RP达到)晶 闸管就关断。 实验表明,品闸管具有单向导电性和正向导诵的可控性。单向导电性是指品闸管导通时, 电流只能从阳极流到阴极。欲使晶阐管导通,需要同时具螽两个条俨:晶阐管的阳极-阴极之 间加正向电压,②门极加正向

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-14
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 2013年安邦信产品推荐书.pdf

  2. 2013年安邦信产品推荐书pdf,2013年安邦信产品推荐书AIB 安邦兴国·诚信天下 1在积交频控制系统拉丝机上的应用 5.2在直边式拉丝机中的应用… 50 石化行业 6.1在油团注水上的应用… F道 6.2在油抽油机上的应用. 56 6.3在三次采油技术上的应用 ..·:: 57 7、塑料行业 59 7.1在挤出机械上的应用… 7.2在全自动圆盘式塑胶类射比成型机上的应用. 8、化纤行业 65 8.1在高速卷绕头上的应用 9、印刷包装行业 9.1在分切机上的应用 67 9.2在折页机上的应用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-12
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38744153

  1. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）.pdf

  2. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）pdf,UCC3809设计反激变换器（50W）在反激变换器中,变压器实际上是一个多绕组的耦和电感,变压器磁芯提 供耦合及隔离,而电感量给出储能大小,储存在空气隙中的电感的能量如下式 E Lp·(PEAK 2 (2) 此处,E为焦耳,Lp为初级电感,单位为享利。 Ipeak为初级电流,单位安 培。当开关导通时,D1反向偏置,没有电流流过二次绕组,初级绕组中流过斜 率如下式的电流 IN(min)v Rds(on) △t P (3) 此处,V1N(min)与

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 矽瑞微科-MOS-CR12N65.pdf

  2. 矽瑞微科-MOS-CR12N65pdf,场效应管 CR12N65的规格书，介绍了包含特点、应用、参数、特性尺寸、机械封装等维度的信息。然深圳面微科电千有眼公 TEL0755-83953497 FA:0755-83953597 N沟道功率Mos管 N-CHANNEL POWER MOSFET ●特性曲线 150 30V V=10y sc.am:45￥ 十口!二二+二 子十 二二二+1 s叶一 1250PT 2T=2c ′ce:T=25c Drain arren Vre, Drain- Source

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：330752
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 矽瑞微科-MOS-CR8N65.pdf

  2. 矽瑞微科-MOS-CR8N65pdf,场效应管CR8N65的规格书深础瑞微利:币行眼 TEL0755-83953497 FA075583953597 N沟道功率Mos管/ N-CHANNEL POWER MOSFET ●特性曲线 35 T 5 m:55v Vre, Drain Souroe votage M Drain arret四 图1输出特性曲线,Tc=25℃ 图2导通电阻与漏极电流和栅极电压曲线 Figl Typical Output Characteristics, Tc-25C Fig

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：387072
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 采用UC3842的单端反激式开关电源设计方案.pdf

  2. 采用UC3842的单端反激式开关电源设计方案pdf,采用UC3842的单端反激式开关电源设计方案馈电采用精密穩匚溟TI431和线性咒耦PC817。利用TL431可周精密穩压器构成误差屯工放大郡,再通过线性光耦 对输出进行精确的调整。如图2所示,R4、R5是精密稳压源的外接控制电在,它们决定输出电压的高低,和TL431一并组成外 部误芹放大器。当输出电压升高,取样电压VR7中随之升高,设定电压大于草准电压TL431m基淮丰压为2.5V),使TL431 内的误差放大器的输出电氐于高。致使片内驱动三极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：759808
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 新手必看 L6562完全中文详细解释.pdf

  2. 新手必看 L6562完全中文详细解释pdf,新手必看 L6562完全中文详细解释压用来给芯片内供电,但是输出驱动M0STT是由vcc直接供电。另外,一个 苧隙电路产生一个精准的2.5V内部参考电压(2.5V+1%),用于环路控制,以此 来获得—一个稳定的调节。 在图片2中可以看到,一个欠电压锁死迟滞比较器,用来保证只有当输入电压足 够高,芯片才运行,以此保证芯片运行在可靠的条件下。 图片2.内部供电模块 UVLO REF D773 差分放大器和过压检测模(见图片3和4) 差分放大器(EA)的反向

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 对推挽逆变器中变压器漏感尖峰有源钳位研究.pdf

  2. 对推挽逆变器中变压器漏感尖峰有源钳位研究pdf,对推挽逆变器中变压器漏感尖峰有源钳位研究/UPS性能的彖景响和开关管Q1,Q2的威胁是不言而喻的,这里就不多 说了。 二Q1,Q2两管漏极产生尖峰的成因分析 从图1中可以看出,主电路功率元件是开关管Q1,Q2和变压器 们1。Q1,Q2的漏极引脚到T初级两边走线存在分布电感,T1初级 存在漏感,当然T存在漏感是主要的。考虑到漏感这个因素我们画 出推挽电路主电路等效的原理图如图4所示: 图4 从图4中可以看出L1,L2就等效于变器初级两边的漏感,我们

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：568320
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 基于Boost变换器的DC-DC可调电源设计.pdf

  2. 基于Boost变换器的DC-DC可调电源设计pdf,提供电子工程最新解决方案和设计趋势 oFweek Ec, ofweek. com 电子工程网 中国领先的电子工程专业媒体 EE.ofweek. com 图2主电路及UC3842控制电路图 以UC3842为基础构成的电压申流双环控制的 Boost变换器当脉冲占空比 人于0.5时,存在不稳定现象。为使系统稳定,要么降低控制环的低频増益, 要么采取斜坡补偿的办法,前者使输岀电压的控制精度降低,后者实现上要求比 较严格。鉴于系统已设置单片机以满足监测显

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 基于UC3843 组成的小功率开关电源.pdf

  2. 基于UC3843 组成的小功率开关电源pdf,使用UC3843 组成小功率开关电源UC3843得到启动电压后即开始工作,输岀一定宽度的脉冲控制驱动功率管的导通和截 止。山绕组N2获得的髙频电压经整流滤波后作为UC3843的工作电源,同时采样电压也 取自这个绕组的电压ε从而省去了光电耦合的负反馈控制电路,使电路更加简洁。R2、C3 月于改善误差放大器的频盗响应,R1是斜波补偿电容,R10和C5是UC3843的定时电阻 和电容,如果R10=10kQ,C5=4700p,开关频约为40KHz。R11是过

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：679936
    • 提供者：weixin_38744153

  1. pin对pin替代VIPER22A-AP8022H Datasheet 中文版Rev.A.1702.pdf

  2. pin对pin替代VIPER22A-AP8022H Datasheet 中文版Rev.A.1702.pdf电气特性 (T=25°℃C,V=15V:特殊情况另行说明) 表功率部分 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大单位 B VDSS 功率管耐压 ISw-250uA 750 800 关态漏电流 Ⅴsw=550v 100 uA R - DSON 功率管导通电阻 Isw=400mA,T.=25°C 表控制部分 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大单位 欠压保护部分 VSTART欠压保护后动电压 V

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：352256
    • 提供者：weixin_38744207

  1. 关于mos管参数解读

  2. mos管基本参数 Coss：输出电容Coss=CDS+CGD。 Ciss：输入电容Ciss=CGD+CGS（CDS短路）。 Tf：下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。 Td（off）：关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其关断电压时10%的时刻。 Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻。 Td（on）：导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。 Qgd：栅漏充电（考虑到Miller效应）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38724106

  1. 有关mos管的参数解读

  2. mos管基本参数 Coss：输出电容Coss=CDS+CGD。 Ciss：输入电容Ciss=CGD+CGS（CDS短路）。 Tf：下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。 Td（off）：关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其关断电压时10%的时刻。 Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻。 Td（on）：导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。 Qgd：栅漏充电（考虑到Miller效应）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38727579

  1. 基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

  2. 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。开关过程中，功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时，功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列，线性增加。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38687218

  1. 功率Mosfet参数介绍

  2. 该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。定义IDM的目的在于：线的欧姆区。对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-10
    • 文件大小：217088
    • 提供者：weixin_38538312

  1. 电源技术中的功率MOS管的五种损坏模式详解

  2. 第一种：雪崩破坏     如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。     在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。     典型电路：     第二种：器件发热损坏     由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：352256
    • 提供者：weixin_38727825

  1. 工业电子中的用深度反转层反馈晶体管测量场效应管阈值电压

  2. 传统上，采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区。由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄，而凹形衬底又是高度掺杂的，因此场阈值(25伏或更高)变得比栅极氧化区的击穿电压(15伏或更低)还要高。为了可在薄的栅极氧化层不被击穿的情况下测量场效应管阈值电压，这儿提出了一种新的结构。其中多晶佳栅极限制在薄氧化区，但通过一个金属栅极产生的场感应沟道连接源区和漏区(图2)。这一器件是一个金属栅和多晶硅栅极复合晶体管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38537689

  1. 具有衬底偏置的高压硅功率器件结构

  2. 报告了具有衬底偏置的新型高压硅LDMOS结构（SB S-LDMOS）。 当将正衬底偏压施加到SB S-LDMOS时，垂直导电路径被双p（-）/ n（+）层衬底阻挡。 漂移区中的整体电场由于衬底偏置而重新分布，并且漏极下的耗尽区所维持的垂直电压显着降低，这对于薄型漂移区功率器件而言尤其重要。 数值结果表明，与传统的LDMOS相比，该器件的击穿电压提高了94％，同时保持了较低的导通电阻。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：373760
    • 提供者：weixin_38523618
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