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纳米硅薄膜场发射压力传感器特性研究
纳米硅薄膜场发射压力传感器特性研究 山东师范大学研究生学位论文
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-02-17
文件大小:2097152
提供者:
tomatoes1986
不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质
不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质,宋超,陈谷然,采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米
所属分类:
其它
发布日期:2020-03-12
文件大小:324608
提供者:
weixin_38557515
PECVD沉积参数对硅薄膜生长速率的影响
PECVD沉积参数对硅薄膜生长速率的影响,王志辉,强颖怀,高效、稳定、廉价的多晶硅薄膜太阳电池有可能替代非晶硅薄膜太阳电池成为新一代无污染民用太阳能电池。传统等离子体化学汽相沉积
所属分类:
其它
发布日期:2020-03-10
文件大小:443392
提供者:
weixin_38716556
硅薄膜的制备及光学性能研究
硅薄膜的制备及光学性能研究,马胜利,王利,本文采用磁控溅射技术,通过改变溅射功率制备了系列非晶硅薄膜,并研究了薄膜的光学性能。结果发现,随着溅射功率的提高,硅薄膜
所属分类:
其它
发布日期:2020-03-05
文件大小:553984
提供者:
weixin_38711740
掺硼非晶硅薄膜性能研究
掺硼非晶硅薄膜性能研究,朱魁鹏,吴志明,用等离子体增强化学气相沉积法制备了掺硼氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率和均匀性进行了研究.结果表明,掺硼a-Si:H薄膜的电阻率随
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-23
文件大小:306176
提供者:
weixin_38558054
光热退火的光量子效应对富硅氮化硅薄膜特性的影响
光热退火的光量子效应对富硅氮化硅薄膜特性的影响,陈小波,杨培志,采用双极脉冲和射频磁控共溅射沉积法,在单晶硅衬底和石英衬底上制备富硅SiNx薄膜.为了比较,在氮气氛围中,于950-1100℃温度下分别�
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-17
文件大小:803840
提供者:
weixin_38701640
非晶硅薄膜太阳能光伏电池的SWOT分析
非晶硅薄膜太阳能光伏电池的SWOT分析,张健,张呈琮,太阳能光伏电池的应用技术分为两大类,即晶硅太阳能光伏电池和非晶硅薄膜太阳能光伏电池。与晶硅太阳能光伏电池相比,非晶硅薄膜
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-09
文件大小:191488
提供者:
weixin_38596879
DBD-HWCVD沉积硅薄膜的研究
DBD-HWCVD沉积硅薄膜的研究,张春丽,刘艳红,介质阻挡放电(DBD)等离子体增强热丝化学气相(HWCVD)沉积技术延承了PE-HWCVD技术沉积速率高的特点,同时降低了其中高能离子对薄膜的损
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-07
文件大小:349184
提供者:
weixin_38564990
氮化硅薄膜力学性能的纳米压痕测试与分析
氮化硅薄膜力学性能的纳米压痕测试与分析,张良昌,许向东,纳米压入法在薄膜材料力学性能测试领域中有着广泛的应用。本文利用纳米压入技术对PECVD氮化硅(SiNx)薄膜的力学性能进行了测量与分
所属分类:
其它
发布日期:2020-01-08
文件大小:264192
提供者:
weixin_38618521
掺硼非晶硅薄膜的性能研究
掺硼非晶硅薄膜的性能研究,朱魁鹏,吴志明,摘要:用等离子体增强化学气相沉积法制备了掺硼氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率和均匀性进行了研究.结果表明,掺硼a-Si:H薄膜的电�
所属分类:
其它
发布日期:2020-01-08
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38623272
热丝化学气相沉积(HWCVD)中热丝直径对非晶硅薄膜沉积的影响
热丝化学气相沉积(HWCVD)中热丝直径对非晶硅薄膜沉积的影响,孟翔宇,刘艳红,利用热丝化学气相沉积法,采用0.2mm与0.3mm两种直径的钨丝,通过对氢气稀释的乙硼烷与硅烷的分解,在玻璃衬底上沉积硼掺杂氢化非晶�
所属分类:
其它
发布日期:2019-12-29
文件大小:198656
提供者:
weixin_38592848
PECVD制备氢化非晶硅薄膜
PECVD制备氢化非晶硅薄膜的氢含量研究_王祖强.pdf
所属分类:
专业指导
发布日期:2014-05-17
文件大小:461824
提供者:
u010823500
非晶硅薄膜太阳能电池.ppt
非晶硅薄膜太阳能电池.ppt 非晶硅薄膜太阳能电池.ppt
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-06-19
文件大小:197632
提供者:
airpsj
新型非硅薄膜网格压力传感器的研究
新型非硅薄膜网格压力传感器的研究,高端的薄膜压力传感器,
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-06-11
文件大小:239616
提供者:
linhahalin
工业电子中的利用快速退火法控制非晶硅薄膜中纳米硅粒尺寸
薛 清,李冠成,王秉坤 (淮海工学院数理科学系, 江苏 连云港 222005) 摘要:报道了利用快速退火法控制膜中纳米硅粒大小的方法,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅粒大小的关系。 关键词:纳米硅;快速热退火;非晶硅 中图分类号:TN305 文献标识码: A 文章编号:1003-353X(2004)10-0020-02 1 引言 单晶硅在近红外区发出很弱的光致发光[1]。改变纳米硅的大小可以改变纳米硅的光学性质。本文报道了利用快速退火法控制非晶硅薄膜中纳米硅粒大小。实验结果表明,纳
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:71680
提供者:
weixin_38604330
基于光子晶体的硅薄膜太阳能电池背反射器的设计与仿真
基于光子晶体的硅薄膜太阳能电池背反射器的设计与仿真
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-18
文件大小:737280
提供者:
weixin_38680664
PIN型和NIP型硅薄膜太阳电池中绒面陷光结构和陷光性能研究
PIN型和NIP型硅薄膜太阳电池中绒面陷光结构和陷光性能研究
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-17
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38720390
基于一维光子晶体的新型背反射器及其在非晶硅薄膜太阳电池中的应用
基于一维光子晶体的新型背反射器及其在非晶硅薄膜太阳电池中的应用
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-17
文件大小:519168
提供者:
weixin_38557838
飞秒激光刻蚀增强非晶硅薄膜太阳电池性能的研究
飞秒激光刻蚀增强非晶硅薄膜太阳电池性能的研究
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-14
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38743602
不同退火温度下锡氧化硅薄膜晶体管的稳定性
不同退火温度下锡氧化硅薄膜晶体管的稳定性
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-11
文件大小:655360
提供者:
weixin_38739942
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