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搜索资源列表

  1. 磁控溅射技术

  2. 磁控溅射设备一般根据所采用的电源的不同又可分为直流溅射和射频溅射两种，等等介绍了磁控溅射技术的发展与原理。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-10-26
    • 文件大小：169984
    • 提供者：yutianhecheng

  1. PVD磁控溅射镀膜工艺理论

  2. PVD磁控溅射镀膜工艺理论

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2017-07-19
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：baidu_39548464

  1. CdCl2退火热处理对磁控溅射CdTe薄膜性能的影响

  2. CdCl2退火热处理对磁控溅射CdTe薄膜性能的影响，霍晓旭，莫晓亮，利用射频磁控溅射方法，以SnO2:F(FTO)为基底制备CdTe薄膜。然后对制备的CdTe薄膜进行湿法CdCl2热处理，退火温度在340 ℃至420 ℃的范围内，�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-13
    • 文件大小：742400
    • 提供者：weixin_38720461

  1. 粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究

  2. 粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究，肖渊渊，黄玉音，采用粉末靶材射频磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si基片上制备了厚度为300 nm的BaSn0.15Ti0.85O3薄膜，薄膜的沉积速度达到40nm/min，比采用传统陶瓷靶�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：379904
    • 提供者：weixin_38656400

  1. 磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管

  2. 磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管，张莹莹，王雄，采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜。该薄膜具有（111）晶面择优取向，晶粒尺寸达到33 nm。利用光刻工艺制作了以In2O3晶

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-29
    • 文件大小：323584
    • 提供者：weixin_38559727

  1. 交替磁控溅射法制备SiC/ZnO纳米颗粒的微观结构及发光机理研究

  2. 交替磁控溅射法制备SiC/ZnO纳米颗粒的微观结构及发光机理研究，郑越，师春生，本文采用了交替磁控溅射以及在N2保护下退火成功制备了SiC/ZnO纳米颗粒膜，实验结果表明：退火温度对SiC/ZnO纳米颗粒膜的微观结构和发�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-24
    • 文件大小：807936
    • 提供者：weixin_38501916

  1. 溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响

  2. 溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响，王彬，赵子文，利用磁控溅射法在Al203(001)衬底上生长ZnO薄膜，生长温度分别为500℃、550℃、600℃和650℃。生长后进行了800℃退火和1000℃退火处理。利用X

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-19
    • 文件大小：388096
    • 提供者：weixin_38629449

  1. 脉冲宽度对高功率脉冲磁控溅射制备纯钛薄膜影响的研究

  2. 脉冲宽度对高功率脉冲磁控溅射制备纯钛薄膜影响的研究，景凤娟，尹太磊，高功率辉光放电的表面改性方法是一项很有希望应用在工业上的物理气相沉积技术。高功率辉光放电峰值能量和金属离子的密度较高。本

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-15
    • 文件大小：696320
    • 提供者：weixin_38624183

  1. 溅射气压对单靶磁控溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响

  2. 溅射气压对单靶磁控溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响，文斌，刘超前，本文基于脉冲直流磁控溅射技术，利用自制单一Cu2ZnSnS4 (CZTS)陶瓷靶材于室温下在普通纳钙玻璃上沉积了CZTS薄膜，主要研究了沉积过程中�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-12
    • 文件大小：912384
    • 提供者：weixin_38747946

  1. 直流反应磁控溅射氮化钛薄膜电极的工艺研究

  2. 直流反应磁控溅射氮化钛薄膜电极的工艺研究，王男，周大雨，采用直流磁控溅射技术在Si（100）基片上制备了不同溅射电流以及不同氩氮比下的氮化钛（TiN）纳米薄膜电极。通过表面台阶测试仪﹑四�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-11
    • 文件大小：667648
    • 提供者：weixin_38741891

  1. 磁控溅射制备纳米厚度的连续银膜

  2. 磁控溅射制备纳米厚度的连续银膜，张彦彬，肖井华，利用磁控溅射方法制备了纳米级厚度的银膜，同时使用原子力显微镜和扫描电子显微镜方法对薄膜的微结构进行了测试分析。测试结果表

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-02
    • 文件大小：737280
    • 提供者：weixin_38543293

  1. 多孔硅表面磁控溅射沉积钛膜的形貌研究

  2. 多孔硅表面磁控溅射沉积钛膜的形貌研究，展长勇，蒋稳，采用磁控溅射的方法来分别在随机刻蚀的多孔硅和孔径2.5 μm、12 μm、15 μm的多孔硅阵列上沉积钛膜。分别讨论了加偏压和不加偏压条件�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-29
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38678172

  1. 直流磁控溅射制备超导TiN薄膜

  2. 直流磁控溅射制备超导TiN薄膜，陈志平，曹春海，在室温下，采用直流磁控溅射在高阻硅上生长了TiN薄膜，分别设定溅射功率、溅射气压以及N2和Ar的气体流量比为单一变量，获得了不同�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-29
    • 文件大小：642048
    • 提供者：weixin_38550334

  1. 磁控溅射制备TaN薄膜研究

  2. 磁控溅射制备TaN薄膜研究，康杰，，使用磁控反应溅射制备TaN薄膜，研究不同氮分压，工作气压，溅射功率以及基片温度等条件对薄膜的结构和性能影响，得到了薄膜的方阻

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-28
    • 文件大小：191488
    • 提供者：weixin_38631331

  1. 磁控溅射薄膜附着性能的影响因素

  2. 磁控溅射薄膜附着性能的影响因素，宋文龙，邓建新，磁控溅射薄膜技术应用日趋广泛，其中溅射薄膜的附着性是制约薄膜性能和使用的关键因素。结合作者已有研究，参考国内外现有的资料

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-26
    • 文件大小：348160
    • 提供者：weixin_38742453

  1. 直流诱导的高功率脉冲非平衡磁控溅射

  2. 直流诱导的高功率脉冲非平衡磁控溅射，牟宗信，贾莉，发表了直流诱导的高功率脉冲非平衡磁控溅射模式的现象和机制分析。常规圆形平面磁控靶与同轴线圈构成非平衡磁控溅射靶，同轴线圈

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-18
    • 文件大小：367616
    • 提供者：weixin_38660813

  1. 基底温度对一步脉冲直流磁控溅射沉积的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响

  2. 基底温度对一步脉冲直流磁控溅射沉积的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响，刘超前，文斌，磁控溅射单一Cu2ZnSnS4 (CZTS)陶瓷靶材是一种非常具有应用前景的CZTS薄膜制备方法。本文基于自制CZTS陶瓷靶材，利用直流脉冲磁控溅射技术

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-06
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38720322

  1. 磁控溅射掺铝氧化锌薄膜的Ar气工艺条件研究

  2. 磁控溅射掺铝氧化锌薄膜的Ar气工艺条件研究，宋瑞良，刘玮，磁控溅射掺铝氧化锌（AZO）透明导电膜是大面积太阳能薄膜电池工业化生产的重要工艺手段。实验发现，在不同的Ar气进气方式的溅射过�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-31
    • 文件大小：390144
    • 提供者：weixin_38520258

  1. 磁控溅射启辉电压波动和机理

  2. 磁控溅射启辉电压波动和机理，牟宗信，邓新绿，磁控溅射沉积技术被广泛应用于沉积各种功能薄膜。深入研究其放电特性对控制沉积过程有重要意义。在磁控靶表面，和电场正交的磁场

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-30
    • 文件大小：347136
    • 提供者：weixin_38734269

  1. 磁控溅射技术新进展及应用

  2. 磁控溅射相关方面的论文，有需要的可以学下载！！与大家共享

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-04-22
    • 文件大小：185344
    • 提供者：gq823966637
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