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C语言文件操作及函数大全
C语言文件操作及函数大全 2.文件操作函数: (1)文件打开函数fopen fopen函数用来打开一个文件,其调用的一般形式为: 文件指针名=fopen("文件名","使用文件方式"); 其中,“文件指针名”必须是被说明为FILE 类型的指针变量,“文件名”是被打开文件的文件名。 “使用文件方式”是指文件的类型和操作要求。“文件名”是字符串常量或字符串数组。例如: FILE *fp; fp=fopen("file b","r"); 其意义是在当前目录下打开文件file b, 只允许进行“读”操
所属分类:
C
发布日期:2009-12-12
文件大小:17408
提供者:
weiyiyou
读写者实现问题 操作系统
在Windows2000环境下,创建一个控制台进程,此进程包含n个线程。用这n个线程来表示n个读者或写者。每个线程按相应测试数据文件的要求进行读写操作。用信号量机制分别实现读者优先和写者优先问题。 1、读者-写者问题的读写操作限制(包括读者优先和写者优先) 1)写-写互斥:不能有两个写者同时进行写操作 2)读-写互斥:不能同时有一个线程在读,而另一个线程在写。 3)读-读允许:可以有一个或多个读者在读。 读者优先的附加限制:如果读者申请进行读操作时已有另一个读者正在进行读操作,则该读者可直接开
所属分类:
网络攻防
发布日期:2010-01-26
文件大小:2048
提供者:
xiaoping1990
TIFF文件读操作libtiff
TIFF文件读操作libtiffTIFF文件读操作libtiffTIFF文件读操作libtiff
所属分类:
C++
发布日期:2011-07-26
文件大小:1048576
提供者:
wang_390486690
操作系统读写者问题
在Windows2000环境下,创建一个控制台进程,此进程包含n个线程。用这n个线程来表示n个读者或写者。每个线程按相应测试数据文件(后面有介绍)的要求进行读写操作。用信号量机制分别实现读者优先和写者优先的读者-写者问题。 读者-写者问题的读写操作限制(包括读者优先和写者优先): 1)写-写互斥,即不能有两个写者同时进行写操作。 2)读-写互斥,即不能同时有一个线程在读,而另一个线程在写。, 3)读-读允许,即可以有一个或多个读者在读。 读者优先的附加限制:如果一个读者申请进行读操作时已有另一
所属分类:
OS
发布日期:2011-10-13
文件大小:72704
提供者:
florating
Qt读xml的一个简单实例
一个实用Qt进行读xml文件的实例,里面附带xml文件,可以用于xml的读操作。非常容易上手,而且很实用!
所属分类:
C++
发布日期:2011-12-13
文件大小:254976
提供者:
wwttt2004
C++文件操作详解
C++ 通过以下几个类支持文件的输入输出: ofstream: 写操作(输出)的文件类 (由ostream引申而来) ifstream: 读操作(输入)的文件类(由istream引申而来) fstream: 可同时读写操作的文件类 (由iostream引申而来)
所属分类:
C++
发布日期:2012-01-03
文件大小:190464
提供者:
palm_m
用VC实现对excel文件的读操作和写操作。
用VC实现对excel文件的读操作和写操作。
所属分类:
其它
发布日期:2012-01-19
文件大小:2097152
提供者:
aigoer_william
wav文件的读操作
对wav文件进行读操作,并且对wav的文件结构进行了解析,从而有助于在此基础上对代码进行修改。
所属分类:
C
发布日期:2012-12-24
文件大小:1048576
提供者:
dandinghelhg
LPC2378的IAP读写例程
针对LPC23XX的IAP读和写例程,一般的资料只涉及到写,没有读,在此,例程里有确定参数、选择扇区、擦除扇区、编程Flash、校验数据和读取数据。此资源里还有对读操作的注意事项有说明,不注意的话很可能一直读不到数据。
所属分类:
C
发布日期:2013-05-22
文件大小:4096
提供者:
yfz000
VC++ 共享内存读写操作
此解决方案含两个工程文件,一个是写操作工程文件,即把任意字符串写入创建的共享内存里,另外一个读操作工程文件,则是读取共享内存里的数据,从而实现了进程之间的共享内存读写操作。
所属分类:
C++
发布日期:2014-01-02
文件大小:4194304
提供者:
alang512
java中ConcurrentHashMap的读操作为什么不需要加锁
ConcurrentHashMap完全允许多个读操作并发进行,读操作并不需要加锁。所以下面这篇文章主要给大家介绍了关于java中ConcurrentHashMap的读操作为什么不需要加锁的相关资料,需要的朋友可以参考下
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-26
文件大小:158720
提供者:
weixin_38681286
UV-EPROM的读操作
接下来我们看一下UV-EPROM的读操作。无论怎么说,这只是作为ROM(Read Only Memory,只读存储器)的操作,因而非常简单。 将地址总线(A0~A16)设置为希望访问的地址,当CE=OE=低电平时,DQ中出现数据。 现在,让我们来讨论AC特性。 AC特性对时序进行了规定。图显示了Am27C0l0读操作时的波形。具体的时序如表所示。在“速度等级”一栏中虽然有许多内容,但这表示即使是相同的器件,也将根据tACC时间进行区分。器件中标示速度等级的“—45”及“-90”
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:151552
提供者:
weixin_38728277
NAND闪速存储器的ID读操作
ID代码是为了主机自动识别与总线连接的器件的制造商名称/器件型号而设置的。ID读指令用于读取该ID代码。 图1图示了ID读操作的流程。图2图示了发送ID读指令的操作。 图1 ID读指令的躁作流程 图2 ID读指令的操作 在读取ID时,发送ID读指令(90h)之后,写人00h作为地址。由于90h是指令,所以虽然将OLE设为有效(高电平),但由于紧跟着的00h是地址值,所以CLE无效(低电平),而ALE有效(高电平)。 完成这样的流程后,通过下面2次的读取,可以
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:79872
提供者:
weixin_38598213
NAND闪速存储器的数据读操作
TC58V64的读操作如图1所示。随着指令,利用节指定读出开始地址,开始进行数据读操作,地址及指令在WE信号的上升沿被锁存。 图1 TC58V64的读操作 读操作时地址的指定方法如表1所示。最先给予的数据称为列地址,后面的两个周期中所给予的数据称为页地址。TC58V64的存储器具有1024个块,由于各个块又分割成16个页,所以A22~A13为块号(块地址),A12~A19为块内的页号(块内的NAND地址)。 表1 指定地址的方法 读指令如果是00h,则A8=“0”
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:258048
提供者:
weixin_38576779
嵌入式系统/ARM技术中的I2C总线的读操作的流程
M24Cxx的读操作模式及其各种模式的操作流程如图1、图2所示。 1. 当前地址读 EEPROM内部具有保持当前地址的寄存器。读取当前地址的数据时,不需要指定地址。只要单纯给出读指令就可读出数据。读取完毕后,内部所保持的当前地址将自动进位。 图1 I2C存储器的读操作(1) 图2 I2C存储器的读操作(2) 数据读操作后的ACK/NoACK信号由主机返回,但必须返回NoACK信号。 2. 随机读 随机读是由主机指定任意的地址读取的。利用写指令设定
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:103424
提供者:
weixin_38752830
基础电子中的同步突发式SRAM的突发读操作
同步突发式SRAM的突发读操作如图所示,与单一读操作相同,因为突发读操作也是在赋予地址的下一个时钟且ADV有效时,在一个时钟之后输出下一地址的数据。所以,与管道突发类型相比,整体上形成缩短了一个时钟的操作波形。 图 同步突发式SRAM的突发读操作 图中,在利用ADSP的突发读操作之后,追随利用ADSC的单一读周期。在不需要(已经指示到最终地址)ADV有效的过程中,由于下一地址被赋予,因此第4次的数据的读操作与赋予下一个存取地址的ADSC将同时进行。 欢迎转载,信息来源维库
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:82944
提供者:
weixin_38609453
基础电子中的同步突发式SRAM的单一读操作
同步突发SRAM的单一读操作如图所示,与同步管道突发式SRAM不同的是,数据是在ADSP有效的下一个时钟中输出的。 图 同步突发SRAM的单—读操作 欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源:ks99
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:65536
提供者:
weixin_38614417
双端□SRAM的读操作
图表示了双端口SRAM读操作的波形。与异步SRAM相同,确定地址后,在CE0为低电平、CE1为高电平时器件被选择,通过R/W为高电平和面为低电平,确定读操作状态,从而读出数据。而主机方面只要提取该数据即可。 图 双端口SRAM的读周期 欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源:ks99
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:64512
提供者:
weixin_38750721
同步DRAM的读操作
同步DRAM的读操作示例如图所示,所有操作都是以时钟的上升沿为基准进行的,与前面的状态迁移图结合相信会更容易明白。 图 SDRAM的读操作 (1)行地址与存储块编号的指定 首先,因为同步DRAM处于IDLE状态,所以在此发出利用了RAS、CAS、WE及“信号的ACTV指令。同时分别赋予A0~A12、BA0/BA1行地址和存储块编号,据此激活所指定的存储块,移向ROW ACTIVE状态。此后如果等待tRCD时间,则可以接受下一指令。这个tRCD时间记录于数据手册中,HM522
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-14
文件大小:69632
提供者:
weixin_38663193
基于补偿电路的SRAM读操作跟踪电路设计
在传统静态随机存储器(SRAM)读操作跟踪电路中,生产工艺和温度的偏差会直接影响到对SRAM中存储数据的正确读取。因此,在本文中,我们采用工艺拐点补偿和温度补偿的方法,设计出了新型SRAM读操作跟踪电路。所设计跟踪电路,通过在不同工艺拐点和不同温度的情况下,对时序追踪字线DBL补偿不同大小的电流,从而减小灵敏放大器输入位线电压差对工艺拐点和温度的敏感度。有效减小了工艺拐点和温度对于SRAM读操作的影响,提高了SRAM的良率。基于SMIC 40nm CMOS工艺,对上述读操作跟踪电路进行了仿真,并
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-28
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38713099
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