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  1. CSMC Model

  2. This is the CSMC 0.5um DOUBLE POLY MIX process Spice model,including NV,LV, * DEP 3 kind of MOS,BJT,DIODE,Resistor and Capacitor models.
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2011-03-06
    • 文件大小:21504
    • 提供者:Windlyf
  1. cmos 0.5um 工艺库 sp文件

  2. 用于spice前仿的网表库文件 * ********************************************** * * PROCESS : 0.5um CMOS * MODEL : BSIM3V3 * DOC. NO.: * VERSION : 1.0 * DATE : Sept. 9, 2003 * ************************************************************** *.LIB tt ****************
  3. 所属分类:IT管理

    • 发布日期:2013-06-08
    • 文件大小:36864
    • 提供者:pillar921
  1. G10激光PM2.5传感器例程

  2. 帮师兄写的G10激光PM2.5例程,自动识别帧头并解析。 Data is: 0 1c 0 1f 0 2e 0 3e 0 1a 0 27 0 37 10 b9 5 47 1 a 0 23 0 12 0 b 91 0 3 9f /*********Data start*********/ No.1: PM1.0: 31; No.2: PM2.5: 46; No.3: PM10 : 62; No.4: PM1.0: 26; No.5: PM2.5: 39; No.6: PM10 : 55; N o.
  3. 所属分类:C

    • 发布日期:2017-03-29
    • 文件大小:5242880
    • 提供者:czczs
  1. hspice 0.5um 工艺库 模拟电路

  2. hspice CSMC 0.5um 工艺库 用于模拟电路仿真(运算放大器等等)
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2018-04-07
    • 文件大小:35840
    • 提供者:raiuny1
  1. 基于st02工艺库绘制的JK触发器原理图以及版图

  2. 本资源是利用的华润上华0.5um的st02工艺库,利用st02和analoglib库设计出了JK触发器的原理图,再利用st02中的版图单元绘制出了JK触发器的版图,并最终通过了DRC和LVS验证。
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2019-04-22
    • 文件大小:28672
    • 提供者:csdnxmj
  1. KASITE德国DressView金刚石CBN砂轮修整系统.pdf

  2. 速科德KASITE来自德国技术全球首个不需要任何传感器的精密砂轮修整系统,工作精度可以达到0.5um
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2019-08-27
    • 文件大小:635904
    • 提供者:kasitemotor
  1. CSMC_0.5um_PDK.zip

  2. csmc0.5u工艺库 CSMC 0.5um MM DPTM PDK – st02
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2020-04-21
    • 文件大小:6291456
    • 提供者:quanbohr
  1. 海德汉敞开式光栅尺说明书.pdf

  2. 海德汉敞开式光栅尺说明书pdf,海德汉敞开式光栅尺说明书目录 概述 敞开式光栅尺 2 选择指南 4 技术特性 测量原理 测量基准 6 增量式测量方法 7 光电扫描 8 测量准确度 10 可靠性 12 机械结构和安装 14 通用机械数据 17 技术规格 用于超高精度 L|P300系列 18 LP400系列 20 LP500系列 22 LF400系列 24 用于高速长距离测量 LDA1x1系列 26 LIDA4x5系列 28 LIDA4x7系列 30 用于双坐标测量 PP系列 32 电气连接 信号
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-14
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38743602
  1. 汇川-长春汇通-工业领域可靠合作伙伴-L6210047-V1.0.pdf

  2. 汇川-长春汇通-工业领域可靠合作伙伴-L6210047-V1.0pdf,编码器术语说明 Encoder terms 目录 Content ■输出脉冲数转Pr 旋转编码器每旋转一图所输出的脉冲数。 Pulse number that encoder output per revolution ■分辨率 Resolution 分辨率表示旋转编玛器的主轴旋转一周所能读出位置数据的最大等分数。 Maximum position data that encoder can resolve per revo
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-09
    • 文件大小:9437184
    • 提供者:weixin_38743602
  1. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真.pdf

  2. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-14
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_38744435
  1. ISCAS19_tutorial_v2a 2019.pdf

  2. Outline •Introduction •Single-Bit DSModulation Techniques -Frequency synthesis with 2+-point modulation -Spread-spectrum clock generation by DSBBPLL -Phase-tracking receivers with 1b digital output -ToF-based secure transceivers with 1b DSTDC •Summar
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2019-09-07
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:drjiachen
  1. HFSS Spiral Inductor.pdf

  2. 本文件官方文档,在软件中也存在案例,现分享出来,可以省去在软件中寻找的时间Getting Started with HFSS: Silicon Spiral Inductor Conventions Used in this uide Please take a moment to review how instructions and other useful information are presented in this guide Procedures are presented as
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2019-07-03
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:shenlanla
  1. 东能伺服在数控磨床上的应用

  2. 随着社会的发展和技术的进步,轴承等作为标准化的精密基础件,用户对其精度要求、噪音值要求和振动值要求都很高。以前,轴承磨床上应用的进级系统是步进电机、凸轮杠杆机构,其进给精度最高只能达到2um,有的甚至还达不到2um。这样的结构越来越不能适应用户的要求,而应用伺服系统后的轴承磨床进给精度很轻松就能达到0.5um,如果增加光栅定位机构,甚至可以达到0.05um。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-24
    • 文件大小:119808
    • 提供者:weixin_38734361
  1. 模拟技术中的0.5umCMOS新型电流反馈放大器的分析与设计

  2. 摘要:设计了一种CMOS电流反馈运算放大器,通过在输出端采用电阻反馈,增强带负载能力,利用MOS管实现串联电阻以消除补偿电容带来的低频零点,通过高输出阻抗镜像电流镜增大了电路的增益,并用共源共栅电流源为电路提供偏置电流以减小电源电压的变化对偏置电流影响。使用BSM3 0.5um CMOS工艺参数,PSPICE模拟结果获得了与增益关系不大的带宽,电路参数为:84.2dB增益,447MHz的单位增益带宽,62度的相位裕度,138dB共模抑制比以及在1V电源电压仅产生0.7mW的功耗。   1 引
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-09
    • 文件大小:212992
    • 提供者:weixin_38632006
  1. 工业电子中的基于霍耳效应的电机控制芯片设计

  2. 摘要:本文论述了基于霍耳效应传感芯片的电路设计原理和方法,并以0.5um, 双层金属,65V高压CMOS工艺实现,电路实现了包括磁滞,防相位锁死与自动重启动等功能,并注意了功率输出管的电压钳位,以及减少尖峰电流的发生。   1879 年,马里兰州立大学研究生霍耳发现:沿x 方向流过的电流受到其垂直方 向(z 方向)的磁场作用时,带电离子会受到y 方向的磁力影响而产生电势积累, 这就是霍耳效应。其中产生的电势差被称为霍耳电压。由于变化的磁场会产生变 化的电场,那么,利用霍耳效应做磁场监测是可行的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-08
    • 文件大小:286720
    • 提供者:weixin_38700779
  1. 显示/光电技术中的N+和P+区的深度对载流子密度的影响

  2. N+和P+区的深度对载流子密度的影响可以模拟出来,但是如果P+区延伸较深的话就会深入到光场区,从而使光传输损耗加大。所以我们只考虑N+区变化的情况。考虑N+区深度分别为0.5um和1.2um两种情况下载流子密度的变化。掺杂区域默认为均匀掺杂,浓度为5×1018cm-3。器件结构参数如图1所示。模拟结果如图1所示。   图1   N+区的深度对载流子密度的影响   可以看出,载流子密度随N+区深度的变化并不大,而离子注入实现1.2um的工艺较0.5um的工艺来说,无论在掩膜制作还是在注入工
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-13
    • 文件大小:56320
    • 提供者:weixin_38553431
  1. 显示/光电技术中的光小目位脊形光波导基模调制器

  2. 在正向注入的情况下(即P+区相对于N+区接正偏压),电子和空穴将注入到本征区,形成电流。因为这就是一个p-l-n二极管结构,其导通电压约为0.7 V,所以正偏电压至少应大于0.7 V。在一定偏压下,载流子注入浓度与P+区和N+区的掺杂浓度有关。下面我们先来回顾一下脊形光波导的光场分布,这里根据我们所定义的截面重新计算,如图1所示。   图1  脊形光波导基模   我们讨论注入到器件(图1)中的载流子浓度。假设P+区和N+区的掺杂浓度为5×1018cm-3,正向偏压为0.9V,掺杂区近似被
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-13
    • 文件大小:137216
    • 提供者:weixin_38723105
  1. 将铝线烧断到底

  2. 本篇中,假设chip中,用到的metal为铝材料,以此为计算基础,来计算以下所要讲述的情况。铝的相关常量:比重 : 2.7g/cm3电阻率 : 2.7uO.cm导电率 : 61.8% (20oC)比热 : 0.211 cal/oC.g融点 : 660oC溶解潜热: 93 cal/g热传导率:0.487 cal/oC.cm.s计算:V(体积)=长*宽*高=100um*0.5um*0.25um=12.5um3G(质量)=比重*体积 =2.7g/cm3*V =33.75E-
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:48128
    • 提供者:weixin_38549327
  1. 基于霍耳效应的电机控制芯片设计

  2. 摘要:本文论述了基于霍耳效应传感芯片的电路设计原理和方法,并以0.5um, 双层金属,65V高压CMOS工艺实现,电路实现了包括磁滞,防相位锁死与自动重启动等功能,并注意了功率输出管的电压钳位,以及减少尖峰电流的发生。   1879 年,马里兰州立大学研究生霍耳发现:沿x 方向流过的电流受到其垂直方 向(z 方向)的磁场作用时,带电离子会受到y 方向的磁力影响而产生电势积累, 这就是霍耳效应。其中产生的电势差被称为霍耳电压。由于变化的磁场会产生变 化的电场,那么,利用霍耳效应做磁场监测是可行的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:411648
    • 提供者:weixin_38500444
  1. N+和P+区的深度对载流子密度的影响

  2. N+和P+区的深度对载流子密度的影响可以模拟出来,但是如果P+区延伸较深的话就会深入到光场区,从而使光传输损耗加大。所以我们只考虑N+区变化的情况。考虑N+区深度分别为0.5um和1.2um两种情况流子密度的变化。掺杂区域默认为均匀掺杂,浓度为5×1018cm-3。器件结构参数如图1所示。模拟结果如图1所示。   图1   N+区的深度对载流子密度的影响   可以看出,载流子密度随N+区深度的变化并不大,而离子注入实现1.2um的工艺较0.5um的工艺来说,无论在掩膜制作还是在注入工艺上
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-19
    • 文件大小:65536
    • 提供者:weixin_38626179
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