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  1. 超市管理系统

  2. table hyspjg add sl decimal(12,3) null,yzxj decimal(12,2) null,hyzxj decimal(12,2) null,zdr char(6) null, zdrq smalldatetime null,zxr char(6) null,zxrq smalldatetime null go create table dbo.sjjhjld ( djmc char(20) null, fdbh char(3) null, fsksrq sm

  3. 所属分类：餐饮零售

    • 发布日期：2011-11-11
    • 文件大小：21504
    • 提供者：yangweimin999

  1. GCD_deom练习

  2. 征对之前做了优化，添加了多线用来解析XML，利用AIS的block更提高效率。 可对比http://download.csdn.net/detail/zjh467545737/5390945

  3. 所属分类：iOS

    • 发布日期：2013-06-18
    • 文件大小：488448
    • 提供者：zjh467545737

  1. 所有项目都会用到的代码段

  2. 以往工作中用到的代码段！ 图片缓存， 断点续传， CGD使用 UI的段子

  3. 所属分类：iOS

    • 发布日期：2014-11-07
    • 文件大小：19456
    • 提供者：thlcm

  1. ios多线程编程

  2. ios多线程编程指南，包含NSThread,CGD等，深入简出讲解ios多线程原理和应用

  3. 所属分类：iOS

    • 发布日期：2018-02-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：qq_27362397

  1. Matlab单像素成像算法比较

  2. Code demo for single-pixel imaging (SPI) with different reconstruction methods including [1] differential ghost imaging (DGI) [2] gradient descent (GD) [3] conjugate gradient descent (CGD) [4] Poisson maximum likelihood (Poisson) [5] alternating pro

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2018-10-28
    • 文件大小：12288
    • 提供者：friendywolaile

  1. DRV vs VDS waveform說明 .ppt

  2. 用示波器抓取GATE上电时间，當Gate電壓上升接近Vt時，此時RDS 會從無限大漸漸下降，此時原本儲存在Cgd 的電荷因Drain端的電位下降而擠壓Gate，使得Gate的電位無法順利上升 。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2019-05-27
    • 文件大小：392192
    • 提供者：qq_33414427

  1. 煤储层压裂液滤失计算模型

  2. 为揭示煤储层天然裂缝开启后的动态滤失过程,将裂缝的动态渗透率和煤储层裂缝-孔隙型双重介质的特性结合,建立煤储层压裂液的滤失模型,模型的拟合结果表明裂缝渗透率的动态变化导致天然裂缝中的滤失量几十倍的增加,而由于弹性储容比的影响,天然裂缝向基质中的窜流量反而减少。通过对比不同模型下的滤失量,可以得出动态滤失量是PKN和CGD模型下滤失量的4.5倍左右。为验证滤失模型的准确性,利用压裂酸化动态滤失仪进行实验,实验结果表明模型的数值拟合曲线与实验曲线有较一致的变化趋势,模型能较好地模拟煤储层天然裂缝中随

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38704565

  1. 史陶比尔温度控制用CGO和CGD快速接头产品目录.pdf

  2. 史陶比尔温度控制用CGO和CGD快速接头产品目录pdf,史陶比尔温度控制用CGO和CGD快速接头产品目录：连接时无污染物进入回路；连接断开时回路自动关闭：无流体泄漏而污染环境；特别适用于电力。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38744435

  1. RedisConfig-cgd.java

  2. springboot2.x版本的redis配置java类，修改redis缓存默认过期时间。

  3. 所属分类：Java

    • 发布日期：2019-09-02
    • 文件大小：4096
    • 提供者：qq_16860417

  1. 关于mos管参数解读

  2. mos管基本参数 Coss：输出电容Coss=CDS+CGD。 Ciss：输入电容Ciss=CGD+CGS（CDS短路）。 Tf：下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。 Td（off）：关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其关断电压时10%的时刻。 Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻。 Td（on）：导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。 Qgd：栅漏充电（考虑到Miller效应）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38724106

  1. 有关mos管的参数解读

  2. mos管基本参数 Coss：输出电容Coss=CDS+CGD。 Ciss：输入电容Ciss=CGD+CGS（CDS短路）。 Tf：下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。 Td（off）：关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其关断电压时10%的时刻。 Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻。 Td（on）：导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。 Qgd：栅漏充电（考虑到Miller效应）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38727579

  1. CGD系列电磁流量计传感器安装方法

  2. 本文给大家介绍了CGD系列电磁流量计传感器安装方法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-29
    • 文件大小：96256
    • 提供者：weixin_38625708

  1. MOS管启动电阻计算.pdf

  2. 实际使用中还要考虑 MOSFET 栅漏极还有 个电容 Cgd 的影响，MOSFET ON 时 Rg 还要对 Cgd 充电，会改变电压上升斜率，OFF 时 VCC 会通过 Cgd 向 Cgs 充电，此时必须保证 Cgs 上 的电荷快速放掉，否则会导致 MOSFET 的异常 导通。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-09-27
    • 文件大小：251904
    • 提供者：qweasdis123

  1. 模拟技术中的MOSFET驱动器介绍及功耗计算

  2. 我们先来看看MOS关模型： 　　Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。 　　Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是 　　耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。 　　Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。 　　这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。 　　由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于 Vds电压要比原来大很

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：310272
    • 提供者：weixin_38722193

  1. 元器件应用中的一种减少VDMOS寄生电容的新结构

  2. 0 引 言 　　VDMOS与双极晶体管相比，它的开关速度快，开关损耗小，输入电阻高，驱动电流小，频率特性好，跨导高度线性等优点。特别值得指出的是，它具有负温度系数，没有双极功率管的二次击穿问题，安全工作区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。VDMOS的开关速度是在高频应用时的一个重要的参数，因此提出一种减小寄生电容的新型VDMOS结构。 　　1 基本原理 　　功率VDMOS的开关特性是由其本征电容和寄生电容来决定的。VDMOS的电容主要由三个部分栅源电容Cg

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：178176
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 电源技术中的高频开关对驱动电路的要求

  2. 功率MOSFET管和IGBT管对其驱动电路有如下要求： 　　（1）栅一源驱动脉冲电压的幅值UGS要足够大，为了降低通态电阻或压降，大功率高压MOSFET管和IGBT管功率开关器件的驱动电压要有12～15 V。低压MOSFET也有用逻辑电平4.5 V的。  　　（2）要防止栅一源之间的击穿，栅一源之间的击穿电压约为50V，但分散性较大，容易击穿损坏。驱动电路的输出电压UGS，一般应小于20V，为此可以用反向耐压约为20V的肖特基二极管钳位来限制过电压。 　　（3）驱动电压“开路脉冲”的边沿要

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：73728
    • 提供者：weixin_38688956

  1. 元器件应用中的场效应管其他参数

  2. ①极间电容。场效应管的三个电极间都存在着极间电容,即栅源电容CGS、栅漏电容CGD和源漏电容CDS。CGS和CGD一般为1~3PF，CDS约为0.1~1pF　　②漏源最大电流IDM。　　它是指场效应管漏源极的允许通过的最大电流。　　③场效应管耗散功率PD。　　它是指场效应管工作时所耗散的功率。　　④低频噪声系数NF。　　场效应管的噪声是由内部载流子运动的不规则性引起的。它的存在会使一个放大器即便在没有信号输入时，在输出端也会出现不规则的电压或电流的变化。场效应管的低频噪声系数要比半导体三极管小。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：30720
    • 提供者：weixin_38704386

  1. CGD-21-09:初级高级队9-源码

  2. CGD-21-09 初级高级队9

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-16
    • 文件大小：27262976
    • 提供者：weixin_42142062

  1. NinjaGame-CGD：CGD小组游戏-源码

  2. NinjaGame-CGD：CGD小组游戏

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-28
    • 文件大小：529408
    • 提供者：weixin_42115003

  1. Test_42:CGD第一年的FMP-源码

  2. Test_42:CGD第一年的FMP

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-30
    • 文件大小：698351616
    • 提供者：weixin_42140710
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