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  1. 论文《基于EBL的过程故障诊断专家系统》

  2. 论文《基于EBL的过程故障诊断专家系统》

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-03-03
    • 文件大小：99328
    • 提供者：morre

  1. Design for Manufacturability with Advanced Lithography

  2. This book introduces readers to the most advanced research results on Design for Manufacturability (DFM) with multiple patterning lithography (MPL) and electron beam lithography (EBL). The authors describe in detail a set of algorithms/methodologies

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-02-09
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：wang1062807258

  1. EBL对Markarian 501 2009年多TeV爆发的观察的影响

  2. 自从1996年被发现以来，Markarian 501就是BL Lacertae的一个高峰值物体，经历了许多次大爆发。作为多波长运动的一部分，从2009年3月9日至8月1日以及在观测期间，这种blazar观测了4.5个月。 在4月17日至5月5日期间，天文台和天文台都观测到了整个电磁频谱。 Whipple望远镜于5月1日在317 GeV至5 TeV的能量范围内观察到了非常强的高能γ射线耀斑，其通量比平均基线通量高约10倍。 之前在1997年期间，Markarian 501经历了又一次长时间爆发，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-29
    • 文件大小：540672
    • 提供者：weixin_38719475

  1. 轴突粒子产生的宇宙红外本底过剩及其对多波扎尔多信使观测的影响

  2. CIBER实验首次测量了0.8-1.7μm的散射本底光谱，结果表明，与理论上预期的光谱相比，宇宙红外本底（CIB）辐射明显过量。 我们重新审视一个假设，即轴突样颗粒（ALP）的衰变可以解释这一过量现象，从而将先前的分析扩展到了一个温暖的文物种群。 我们表明，各向异性测量和恒星冷却论据都没有排除这种情况。 此外，我们发现增加的河外背景光（EBL）与blazar光谱的观察结果并不矛盾。 此外，增加的EBL会减弱弥散的TeV伽马射线通量，并减轻检测到的中微子和伽马射线通量之间的张力。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-07
    • 文件大小：710656
    • 提供者：weixin_38576392

  1. H 2356-309和1ES 1101-232的VHE发射产生的本征光谱的性质

  2. HESS望远镜在2004-2007年期间观测了HBL H 2356-309和1ES 1101-232的VHE发射。 特别是，分析了2004年H 2356-309和2004-2005年1ES 1101-232的观测结果，得出了EBL的强上限，这与解析星系的综合光的下限一致。 在这里，我们使用了由两个模板EBL模型证实的光强子模型，以拟合从这两个HBL观测到的VHE伽玛射线数据，并预测其固有光谱。 我们获得了非常适合这两个HBL的VHE光谱。 但是，每种EBL模型的预测本征光谱都不同。 对于HBL

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-31
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38547035

  1. Multi-frequency emission analysis and constraining redshift of 3C 66A

  2. TeV Blazar 3C 66A的多波段辐射分析及其红移的限制，闫大海，范忠辉，TeV blazar 3C 66A的红移0.444这个值有争议,并且其SED不能用SSC拟合。采用一个包含EBL吸收的多成分辐射模型拟合了3C 66A的准同时性多波段数据�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-07
    • 文件大小：285696
    • 提供者：weixin_38733281

  1. 菲尼克斯通用组合接线端子产品精选.pdf

  2. 菲尼克斯通用组合接线端子产品精选pdf,菲尼克斯通用组合接线端子产品选型介绍通用端子 通用型接线端子 人电流接线端子 通月型接地端子 人电流接地端子 UK..系列 见10页UKH.系列 见4页 USLKG.系列 见16页 USLKG.系列 见19页 L 双出线援线端子 双出绂接地端了 双过双出接线端了 双双出接地端了 UK. -TWIN 见20页UK…TW|NPE 见22贡UDK 见24页UDK.PE 见25页 同向通用接线端子 同向通用按地端子 PEN输入端子块 紧凑型的PEN输入端子块 -R

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-31
    • 文件大小：13631488
    • 提供者：weixin_38744153

  1. TRM_M480_Series_EN_Rev1.01.pdf

  2. TRM_M480_Series_EN_Rev1.01NuMicro M480 nUVOTon 32-bit arm Cortex -m4 f microcontroller 4.2.4 M484 Series pin descr iption 145 4.2.5 M485 Series Pin Descr iption 4.2.6 M487 Series Pin Descr iption 200 4.2.7 M480 Multi-function Summary table 231 4.2.8

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：22020096
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 强烈推荐新唐工业级ARM9（NUC972DF62Y)，集成64M DDR2，2个以太网，11个串口-NuDesign EtherU 20160504.pdf

  2. 强烈推荐新唐工业级ARM9（NUC972DF62Y)，集成64M DDR2，2个以太网，11个串口-NuDesign EtherU 20160504.pdfa会EE c CB1 C B2 CB4 CB5 DIsTIL 0.1uF 0.1uF 0.1uF 0.1uF 0.1uF 88N8 AVSS AVSS AVSS SS AVSS HEADER17X2 2,54mm F HEADER13X2/2.54mm M 习浏 CB6 CB7 Borloo NIsoN L 0.1uF01uF AVSS AV

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：247808
    • 提供者：weixin_38743737

  1. NUC029LAN代替M0516，硬件除法器，2.5-5.5V，50MHz Cortex-M0,4KB的SRAM，64KB的Flash,4KB的LDOROM-DS_NUC029_Series_EN_Rev1.02.pdf

  2. NUC029LAN代替M0516，硬件除法器，2.5-5.5V，50MHz Cortex-M0,4KB的SRAM，64KB的Flash,4KB的LDOROM-DS_NUC029_Series_EN_Rev1.02.pdfnovo。n NUC029 5.5.2 Features 50 5.6 External Bus Interface(EBI)(NUCO29LAN Only) 51 5.6.1 Overview ∴51 5.6.2 Features 51 5.7 General Purpose

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 基于RS-485总线的雷达模拟器的硬件研制

  2. 介绍了一种雷达模拟器的硬件研制方案，该方案以STC的单片机为核心，使用A/D转换采集电位器电压的方式，模拟TUNE、GAIN等旋钮的数值；通过旋转编码器模拟EBL、VRM的数值，利用RS-485总线实现数据的传输，并在PC机显示。该方案的研制对其他模拟器的开发及大型船舶操纵模拟器的研制具有广泛的参考价值。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：253952
    • 提供者：weixin_38565480

  1. 具有多种电子阻挡层的InGaN蓝色发光二极管的性能改进

  2. 数值研究了具有不同电子阻挡层的InGaN蓝色发光二极管（LED）的性能。 我们比较了LED的模拟发射光谱，电子和空穴浓度，能带图，静电场和内部量子效率。 与其他三种EBL的LED相比，使用AlGaN从0％逐渐增加到20％作为电子阻挡层（EBL）的LED具有很强的光谱强度，减轻了效率下降，并具有更高的输出功率。 这些优点可能是由于较低的电子泄漏电流和更有效的空穴注入。 在大注入电流的情况下，专门设计的LED的光学性能也得到了改善。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：486400
    • 提供者：weixin_38745891

  1. 带有特殊设计的n-AlGaN空穴阻挡层的蓝色InGaN发光二极管的性能改进

  2. 对具有常规电子阻挡层（EBL），常见的n-AlGaN空穴阻挡层（HBL）和具有逐渐Al组成的n-AlGaN HBL的蓝色InGaN发光二极管（LED）进行了数值研究，其中涉及分析有源区中的载流子浓度，能带图，静电场和内部量子效率（IQE）。 结果表明，与具有传统的p-AlGaN EBL或普通的n-AlGaN HBL的LED相比，具有渐变Al组成的n-AlGaN HBL的LED在有源区表现出更好的空穴注入效率，更低的电子泄漏和更小的静电场。 。 同时，当使用具有渐变的Al组成的n-AlGaN HB

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：435200
    • 提供者：weixin_38631454

  1. 具有未掺杂的InGaN上波导层的InGaN基激光二极管的特性改善

  2. 在常规的基于InGaN的激光二极管的结构中，在p掺杂的区域中，特别是在p掺杂的上波导层中，存在相当大的光吸收损耗。 设计并优化了具有未掺杂InGaN上波导层而不是p掺杂GaN的InGaN基激光二极管的结构。 未掺杂的InGaN层位于AlGaN电子阻挡层和多量子阱的有源区之间，而不是位于AlGaN EBL和AlGaN覆盖层之间。 利用商用软件LASTIP对这种类型的激光二极管的光电特性进行了模拟，发现其光吸收损耗明显降低。 进一步的理论分析表明，未掺杂的InGaN上波导层消除了电子泄漏电流的影响，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：524288
    • 提供者：weixin_38529397

  1. 具有p-AlGaN / InGaN超晶格中间层的蓝色InGaN发光二极管的研究

  2. 蓝色InGaN发光二极管（LED） 提出并研究了采用晶格补偿的p-AlGaN / InGaN超晶格（SL）中间层连接最后一个量子势垒和电子阻挡层（EBL）的方法数值上。 仿真结果表明设计的LED具有更好的空穴注入效率，更低的电子泄漏，以及常规LED上有源区中较小的静电场，这主要归因于减轻极化引起的向下带弯曲。 此外，显着提高了输出功率和当常规与实验数据相对应的LED被替换为新设计的LED。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：655360
    • 提供者：weixin_38643407

  1. 基于InP的HEMT单步和两步EBL T栅极制造技术的比较

  2. 基于InP的HEMT单步和两步EBL T栅极制造技术的比较

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38638163

  1. 使用AlGaN电子阻挡层和InAlN电子阻挡层比较GaN基发光二极管

  2. 通过使用AlGaN和InAlN数值研究了GaN基发光二极管（LED）的光学特性电子阻挡层（EBL）。 通过发射光谱，载流子浓度分布的模拟， 能带，静电场，内部量子效率和输出功率，结果表明LED 与采用AlGaN EBL的原始LED相比，采用InAlN EBL结构的设计具有更好的性能。 频谱强度和输出功率显着提高，内部量子效率下降InAlN EBL结构的这种设计有效地提高了效率。 事实证明，载体的优势限制和电子泄漏电流在LED的发光性能中起着至关重要的作用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-10
    • 文件大小：616448
    • 提供者：weixin_38526612

  1. 蓝光发光二极管的响应特性

  2. 利用方波脉冲调制和正弦波调制方法对自生长台阶形的蓝光发光二极管(LED)进行脉冲响应特性及调制带宽的测量分析;并利用APSYS软件计算了此种台阶形蓝光LED的能带图,计算表明,台阶形导带带阶提高了43meV,价带带阶下降了36meV。这一结果说明:采用台阶形电子阻挡层(EBL)的结构设计,有利于提高LED的发光功率和响应特性,这一性能的提高主要是由于更高的有源区载流子注入密度,进而提升有源区的电子-空穴辐射复合率。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-10
    • 文件大小：700416
    • 提供者：weixin_38552871

  1. Raith_GDSII：用于Raith电子束光刻（EBL）和聚焦离子束（FIB）工具的MATLAB工具-源码

  2. Raith_GDSII：用于Raith电子束光刻（EBL）和聚焦离子束（FIB）工具的MATLAB工具

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_42116701

  1. Portescap直流无刷电机—EBL驱动器说明书

  2. 介绍了关于Portescap直流无刷电机—EBL驱动器说明书的详细说明，提供电机的技术资料的下载。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-22
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38678172
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