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  1. EUV Lithography—The Successor to Optical Lithography?

  2. EUV Lithography—The Successor to Optical Lithography?

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-08-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：piggy2000

  1. CO2 laser technology

  2. CO2激光最新技术 用于LPP-EUV的最新CO2激光技术简介，及行业关键资料

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-01-18
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：u013512534

  1. illumination optics design for EUV lithography

  2. A condenser for a ring-field extreme ultra-violet (EUV) projection lithography camera is presented. The condenser consists of a gently undulating mirror, that we refer to as a ripple plate, and which is illuminated by a collimated beam at grazing in

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2018-03-06
    • 文件大小：603136
    • 提供者：qq_31116443

  1. Fabrication of a complex-shaped mirror

  2. We propose and discuss several fabrication processes for a complex-shaped mirror, which is a fly-eye mirror, used in an extreme ultraviolet lithography (EUVL) illumination system. The mirror has a complex reflective surface consisting of many concav

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2018-03-06
    • 文件大小：533504
    • 提供者：qq_31116443

  1. Euv Lithography 2018

  2. Extreme ultraviolet lithography (EUVL) is the principal lithography technology-beyond the current 193-nm-based optical lithography-aiming to manufacture computer chips, and recent progress has been made on several fronts: EUV light sources, scanners

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-02-09
    • 文件大小：156237824
    • 提供者：wang1062807258

  1. Suppression of higher-order harmonics by a glass capillary array in 5-43nm

  2. 玻璃毛细管阵列对5-43nm高次谐波的抑制，蒋新亭，，利用光谱辐射标准和计量光束线（U27）的球面光栅单色器（SGM）分支产生的极紫外（EUV）和软X射线、Si3N4/Mo/Si/Mo/Si多层膜滤片（100/50/150/1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-10
    • 文件大小：299008
    • 提供者：weixin_38682161

  1. What‘s after FinFET.pdf

  2. 半导体制造技术发展到FinFET以后节点继续scaling的方向，如GAA、NanoSheet等。benefits will be high performance, Jones said. At 5nm, it will cost $476 million to design a mainstream chip, compared to $349.2 million for 7nm and $62.9 million for 28nm, according to IBS 5525M s476.

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2019-10-15
    • 文件大小：794624
    • 提供者：u010155987

  1. Silicon Processing for the VLSI Era, Vol. 4_

  2. 集成电路工艺：Deep-submicron process technology Describe such deep-submicron process technology and intended to provide semiconductor engineers and researchers with a comprehensive , state-of-the-art reference about these emerging and leading-edge process.C

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2019-07-05
    • 文件大小：83886080
    • 提供者：yingjunjun01

  1. 印度赤道电离异常区北冠下低到高太阳活动时期（2010-2014）的GPS-TEC变化

  2. 电离层TEC（总电子含量）的测量是在印度地区赤道异常北部波峰以下的低纬度印度站苏拉特（21.16°N，72.78°E Geog。）进行的。 使用GPS（全球定位系统）接收器获得的数据是从低到高太阳活动（2010-2014年）的五年时间。 在这项研究中，我们报告了GPS-TEC的昼夜变化，GPS-TEC与太阳活动，地磁条件和EEJ强度的关系。 从季节分析中发现，在春分季节以及冬季和夏季之后，观测到的GPS-TEC值更高。 在该站观测到“冬季异常”的出现（2011年和2014年）和消失（2010年和

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-04
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38628830

  1. 元器件应用中的详解半导体5纳米制程技术及成本挑战

  2. 半导体业自28纳米进步到22/20纳米，受193i光刻机所限，必须采用两次图形曝光技术（DP）。再进一步发展至16/14纳 米时，大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级，加上193i的光学技术延伸，采用SADP、SAQP等，所以未来到10纳米甚至 7纳米时，基本上可以使用同样的设备，似乎己无悬念，只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎，因为如果EUV不能准备好，就要被迫采用 五次图形曝光技术（FP），这已引起全球业界的关注。 　　而对于更先进5纳米生产线来

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：121856
    • 提供者：weixin_38720390

  1. CHANG E着陆器上用于EUV相机的弯曲焦平面极紫外探测器阵列

  2. CHANG E着陆器上用于EUV相机的弯曲焦平面极紫外探测器阵列

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38724370

  1. 改进型量子进化算法在宽带EUV多层膜设计中的应用

  2. 改进型量子进化算法在宽带EUV多层膜设计中的应用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-07
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38570406

  1. 基于多目标进化算法的宽带EUV多层稳健设计

  2. 基于多目标进化算法的宽带EUV多层稳健设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-07
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38686041

  1. Optical design for EUV lithography source collector

  2. Wolter I collector is the best collector for extreme ultraviolet (EUV) lithography, which has a series of nested mirrors. It has high collection efficiency and can obtain more uniform intensity distribution at the intermediate focus (IF). A new desig

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：430080
    • 提供者：weixin_38553681

  1. Development of non-periodic multilayer in the EUV, soft X-ray, and X-ray ranges

  2. A recent development of mirrors is reviewed in this letter. For some applications, such as the hard X-ray telescope, polarization measurements in synchrotron radiation facilities, extreme ultraviolet (EUV) solar observations, and dense plasma diagnos

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：884736
    • 提供者：weixin_38714761

  1. Space- and time-resolved diagnostics of the ENEA EUV discharge-produced-plasma source used for metrology and other appli

  2. A discharge-produced-plasma (DPP) source emitting in the extreme ultraviolet (EUV) spectral region is running at the ENEA Frascati Research Centre. The plasma is generated in low-pressure xenon gas and efficiently emits 100-ns duration radiation puls

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38551143

  1. EUV ablation of organic polymers at a high fluence

  2. A preliminary investigation on short-wavelength ablation mechanisms of poly(methyl methacrylate) (PMMA) and poly (1,4-phenylene ether ether-sulfone) (PPEES) by extreme ultraviolet (EUV) radiation at 13.5 nm using a table-top laserproduced plasma from

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：219136
    • 提供者：weixin_38686041

  1. EUV光刻技术-经济高效且适合大规模生产的工艺，晶圆被暴露于波长为13.5纳米的超紫外线（EUV）。通过这种方式，提高了芯片制造商的生产效率和利润。.mp4

  2. EUV光刻技术-经济高效且适合大规模生产的工艺，晶圆被暴露于波长为13.5纳米的超紫外线（EUV）。通过这种方式，提高了芯片制造商的生产效率和利润。.mp4

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：72351744
    • 提供者：jfkj2021

  1. 基于CCD的太阳EUV射线成像探测系统

  2. 文中针对太阳日冕及色球层活动的EUV波段成像观测，采用E2V公司的CCD47-20光敏传感器，基于FPGA设计了一套读出电路系统，准确的还原并保持CCD采样图像。该系统模拟信号传输速率达到1 MHz，图像噪声低于10 e-，可以满足空间应用需求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-28
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38621250

  1. 一文读懂半导体业的印钞机——EUV光刻机

  2. 1965年，戈登·摩尔提出摩尔定律。当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。 　　这个不断触碰半导体工艺极限的定律，也经常伴随着“死亡”和“新生”两方面的话题。其中就有人认为一种名为极紫外光刻（EUV 光刻）的技术能够拯救摩尔定律。 　　而让小编惊掉下巴的则是它的价格——高达一亿美金。凭什么这么贵呢？ 　　要想弄懂EUV光刻机是什么意思，就得先说光刻机。 　　素有半导体制造业皇冠上的明珠之称的光刻机，是芯片制造的设备之一，按照用途

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：163840
    • 提供者：weixin_38641339
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