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  1. Zinc-blende Structural GaP, GaAs and GaSb Semiconductors studied by Multiple-scattering x-ray absorption fine structure

  2. MS-EXAFS 研究闪锌矿构型的GaP、GaAs 和GaSb半导体的结构，韦世强，Zhihu Sun，本文利用多重散射扩展x 射线吸收精细结构(MS-EXAFS)研究了闪锌矿构型的GaP、GaAs 和GaSb 半导体化合物中的多重散射效应对Ga 原子的最近邻�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-04
    • 文件大小：583680
    • 提供者：weixin_38614484

  1. 基础电子中的同质氧化反射镜

  2. 近来，用横向湿法氧化工艺生长的A1.O，半导体结构DBR被用来实现低阈值、高效率的VCSEL。氧化物／半导体DBR的VCSEL结构方案也被提出。这种结构的DBR的特点是折射率差高、高反射率波段范围宽和反射相位变换平滑等。上述特点减小了光场在DBR中的渗透深度，这样也相应地减小了谐振腔的有效腔长，减少了谐振腔所产生的光模式，提高了激射效率。 　　采用A1.Oy／GaAs的DBR有一个技术难点，就是在异质界面处Ga和0的键合力太小。 　　受热或受压都有可能引起DBR的断层。为了解决这一问题，人们

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    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38657353

  1. 弱耦合GaAs /（Al，Ga）As超晶格在室温下的自发准周期电流自激

  2. 弱耦合GaAs /（Al，Ga）As超晶格在室温下的自发准周期电流自激

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：612352
    • 提供者：weixin_38606466

  1. δ掺杂Si对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响

  2. 在In As/Ga As量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心。这种掺杂也应用到了量子点太阳电池中,结果表明电池开路电压从0.72 V提高到了0.86 V,填充因子从60.4%提高到73.2%,短路电流从26.9 m A/cm2增加到27.4 m A/cm2。优化的Si掺杂可将量子点太阳的电池效率从11.7%提升到17.26%。

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    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：364544
    • 提供者：weixin_38508821

  1. 调制p掺杂1310 nm InAs / GaAs量子点激光材料和超短腔法布里-珀罗和分布反馈激光二极管的开发

  2. 刻蚀多层InAs / GaAs量子点（QD）激光结构以去除p侧AlGaAs覆层，以研究随温度变化的光致发光（PL）特性。 通过分子束外延（MBE）和生长后退火Craft.io制备了四个QD样品，包括未掺杂的生长QD，p掺杂的生长QD，未掺杂的退火QD和p掺杂的退火QD，以进行比较。 其中，与未掺杂样品相比，调制p掺杂QD样品显示的PL光谱的温度依赖性小得多，并且对混合的不敏感性显着。 这归因于调制p掺杂的影响，它可以抑制空穴在紧密间隔的能级上的热加宽，并显着抑制QD及其周围矩阵之间的In / G

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-09
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38745233

  1. 通过MOCVD在硅衬底上的变质AlInAs / GaInAs HEMT

  2. 通过在n型硅衬底上通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的变质Al（0.50）In（0.50）As / Ga（0.47）In（0.53）As高电子迁移率晶体管（mHEMT），并引入了新型的多阶段缓冲堆栈方案是第一次被制造出来。 实现了1.0微米的栅极长度耗尽型mHEMT，最大跨导高达613 mS / mm。 单位电流增益截止频率（f（T））和最大振荡频率（f（max））分别为36.9 GHz和55.6 GHz。 对于通过MOCVD在硅上生长的1.0微米m栅长的HEMT，该器件具有最高的f（T

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    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：710656
    • 提供者：weixin_38558186

  1. 温度对基于金辅助金属氧化物化学汽相沉积生长的GaAs纳米线影响

  2. 利用金辅助的金属氧化物化学汽相沉积法(MOCVD)在汽液固(VLS)生长机制下GaAs (111) B衬底上生长了GaAs纳米线。研究了三个生长温度（500 ℃,530 ℃,560℃）对纳米线形貌及晶体质量的影响。在较低生长温度时，纳米线生长速率与纳米线直径无关，且纳米线上下直径分布均匀。随着温度的增高，纳米线成明显的圆锥状。当温度升高时，相对较粗的纳米线，长度缩短，这是因为在高温时VLS生长被抑制；对于相对较细的纳米线，长度是先减少后增大，这是由于在温度升高时Ga原子的扩散作用增大。温度的升高

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    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38632916

  1. 纤锌矿结构GaAs（1010）表面特性的第一性原理研究

  2. GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构（WZ），而WZ（1010）侧面已被实验所观测到。利用第一性原理计算了GaAs（1010）的表面弛豫和表面能，计算结果表明：（1010）A表面只出现原子的弛豫现象，表面能为40.6×1020 meV/m2；而（1010）B表面却重构形成了Ga-Ga和As-As二聚体，表面能为63.5×1020 meV/m2。相对于ZB（110）表面，WZ（1010）A面具有更低的表面能，（1010）A表面具有更好的稳定性，说明了在表面能占重要影响的纳米线中WZ结构存在的合理性。

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    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38727567

  1. GaAs-Ga

  2. 本文报道分子束外延生长GaAs-GaxAl(1-x)As双异质结激光器的生长条件.其中包括低温生长的温度-时间循环,欧姆接触电极层的原位生长以及生长后的退火等程序.实验表明,生长过程中采用高纯度的源材料,氮化硼的泻流盒以及生长系统中的低温泵等对降低器件的阈电流密度,改善激光器的光电性能起到重要作用.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38505158

  1. GaAs饱和吸收体固有缺陷的第一性原理研究

  2. 由内在点缺陷（Ga和As的空位，Ga和As的反位，Ga和As的间隙）引起的GaAs中原子构型的变化，首先是通过平面波伪势方法在框架中采用广义梯度近似来计算的。密度泛函理论，并获得最稳定的结构。 然后，计算每种天然缺陷的形成能，从而分析在晶体生长期间形成六种点缺陷的可能性。 从状态密度的角度分析了与每种自然点缺陷相对应的缺陷能级及其电子占有率。 最后，计算了具有自然点缺陷的GaAs可饱和吸收剂的弹性常数，并研究了自然点缺陷对GaAs可饱和吸收剂的弹性性能的影响。 所获得的缺陷能级的值将有助于确定G

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：287744
    • 提供者：weixin_38694800

  1. 具有集成无机光电探测器的有机发光二极管，用于近红外光学上转换

  2. 我们报告了一种混合上转换器件，该器件将In（0.2）Ga（0.8）As / GaAs MQWs光电探测器与有机发光二极管（OLED）集成在一起，可将输入的980 nm红外光转换为输出的520 nm绿光。 制作并测试了具有不同界面层的器件（用作OLED中的空穴注入层（HIL））。 发现具有HIL掺杂MoO（3）的CuPc的器件的最低开启电压为2.6V。在20 V的偏压下，最大外部上转换效率为0.81 W / W％。输入980 nm NIR功率密度为1 mW / mm（2）。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：668672
    • 提供者：weixin_38733281

  1. In原子在GaAs(001)表面的成核与扩散研究

  2. 近年来，半导体量子点特别是InAs量子点的基本物理性质和潜在应用得到了广泛研究。许多研究者利用InAs量子点结构的改变以调制其光电特性。本文采用液滴外延法在GaAs(001)表面沉积了不同沉积量的In(3 ML、4 ML、5 ML)，以研究In的成核机制和表面扩散。实验发现，随着In沉积量的增加，液滴尺寸(包括直径、高度)明显增大。不仅如此，在相同的衬底温度下，沉积量越大，液滴密度越大。利用经典成核理论，计算了GaAs(001)表面In液滴形成的临界厚度为0.57 ML，计算的结果与已报道的实验

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-21
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38706055

  1. Ga束流低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物的研究

  2. 采用低流量III族Ga束流在分子束外延中低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物。采用高能电子衍射监控衬底表面氧化物清理过程并得出氧化物清理速率及氧化层对高能电子的吸收系数。根据清理速率对衬底温度依赖的Arrhenius关系，估算了Ga辅助清理过程中发生化学反应所需要的活化能。Ga束流辅助清理衬底表面氧化物技术在外延生长中具有实际可应用性。用这项技术清理外延GaAs衬底，仅通过生长十几纳米厚的GaAs缓冲层，就能够重复地获得高质量低密度InAs量子点。另外，采用这项技术良好地保持了外延衬底的原有表面特

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38522106

  1. 三种结构的室温连续工作GaAs-Ga

  2. 我们采用宽接触、台面条形和质子轰击条形等三种结构制作GaAs-Ga1-xAl_xAs双异质结激光器,均已实现室温下连续工作.本文介绍了这三种结构激光器的工艺和一些测量结果.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：828416
    • 提供者：weixin_38716423

  1. Optical properties of excitons in strained Gax In1-xAs/GaAs quantum dot: ef fect of geometrical conf inement on exciton

  2. Taking into account anisotropy, nonparabolicity of the conduction band, and geometrical confinement, we discuss the heavy-hole excitonic states in a strained GaxIn1-xAs/GaAs quantum dot for various Ga alloy contents. The strained quantum dot is consi

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：389120
    • 提供者：weixin_38703895

  1. GaAlAs/GaAs DH激光器的红外透射研究

  2. 本文介绍了红外透射技术的装置和原理,报导了主要研究结果.实验表明,红外透射技术是研究GaAlAs/GaAsDH激光器的又一有效工具.我们获得的有关GaAlAs/Ga AsDH激光器的外延层、条区结构和作用区发光情况的综合照片,是用普通的光学显微镜或扫描电子显微镜所不能得到的.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38706824

  1. GaAs-Ga

  2. 本文报告GaAs-Ga1-xAlxAs双异质结激光器制造中,用两种液相外延方法把三元系Ga1-xAlxAs变成四元系Ga1-xAlxAs1-yPy.用X射线衍射仪测试结果表明:最佳的GaAS-Ga1-xAlxAs1-yPy异质结晶格失配可减至1×10-5,相应的失配应力为1.4×107达因/厘米2.用扫描电子显微镜显示结界面很平整.此法大大改善了异质结的制造质量,可望获得高效率长寿命的双异质结激光器.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38571878

  1. 掩蔽与选择性热氧化条形GaAs—Ga

  2. 本文研究具有掩蔽和选择性热氧化(MSTO）结构条形GaAs-Ga1-xAlxAsDH激光器的偏振特性,发现这类器件同时输出强度相近、相位无关的TE和TM模,不同于通常的半导体激光器主要是TE模输出的情况。本文从激光器有源区内应力分布和光弹性效应的观点,对此异常的偏振特性作出了定性解释。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38694141

  1. 二维GaAs电子结构和光学性质的理论计算

  2. 采用基于密度泛函理论的第一性原理和分子动力学理论, 验证了二维GaAs类石墨烯结构的稳定性, 计算了二维GaAs的基态电子结构、态密度和光学性质参数。结果表明, 不同于三维GaAs, 二维GaAs最高的两个能带相互交叠, 显示出金属性; 维度的降低使得As的s态和p态电子相互作用增强, 产生较多的态密度峰, 且峰位向低能方向移动; 低能带主要由Ga-d态、As-s态和As-p态构成; 高能带主要由As-s态和As-p态构成; 二维GaAs静态介电常数为3.67, 对紫外光具有较强的吸收作用, 在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-04
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：weixin_38647517