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  1. LED衬底晶片生产管理系统

  2. 本程序提供为LED寸底晶片的生产管理系统，有着较强的晶片流程控制。为企业定制开发，洁净室检验片【通过web网页+平板电脑的形式对片进行检验】，包括打包包装是通过条形码， 后续为PT850 新大陆扫描器出库。 2.ufsg2.rar 为2008sql,还原数据库，名字为ufsg2 3. 登录密码 admin ,密码123 4.需定制开发条码或类似系统的请联系 联系人，QQ：468170691 华女士，手机13484386351

  3. 所属分类：VB

    • 发布日期：2013-06-02
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：lhffly08

  1. LED生产工艺

  2. LED制造流程概述：上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长 中游片、电极制作、切割和测试分选 下游产品的封装：LED制作、封装流程

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2016-01-07
    • 文件大小：311296
    • 提供者：qq_33659911

  1. 降温过程中温度和压力的变化率对金属键合的影响

  2. 降温过程中温度和压力的变化率对金属键合的影响，李永亮，申人升，以金（Au）为键合层，利用晶圆键合机将氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）外延片和硅（Si）衬底进行键合。通过测量键合前后样品的弯�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：351232
    • 提供者：weixin_38582716

  1. LED芯片生产工艺流程（详细）.pdf

  2. 从LED芯片的原材料到最终的成品，详细介绍LED芯片生产工艺流程。LED芯片工艺 Al P极 ①i au 发光区 A uBe 1、LED au 芯片基本结构 P-GaP-Mg GalnP-AI 2、工程设备 N-GaP-Si GaAs MOCVD Au (金屬有机物化学氣相沉淀法) AugeNi VPE N极 Ni (气相磊晶) Au 上游成品(外延片) 显影、定影 去腊清洗、库房 去胶清洗 清洗 芯片制作工艺流程 ↓去胶清洗 ↓涂胶 显影、定影 ↓去胶清洗 清洗 ↓客户要求较高的 点测 刀

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2019-08-17
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：zsmls

  1. LED芯片制作中衬底知识大全

  2. 外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。良品的外延片就要开始做电极（P极，N极），接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成LED晶片（方片）。然后还要进行目测，把有一点缺陷或者电极有磨损的，分捡出来，这些就是后面的散晶。此时在蓝膜上有不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片或毛片等。不良品的外延片（主要是有一些参数不符合要求），

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：96256
    • 提供者：weixin_38735119

  1. LED外延芯片工艺流程及晶片分类

  2. 近十几年来，为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED 及激光二级管LD 的应用无不说明了III-V 族元素所蕴藏的潜能。     在目前商品化LED 之材料及其外延技术中，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓GaAsP 材料为主。     一般来说，GaN 的成长须要很高的温度来打断NH3 之N-H 的键解，另外一方面由动力学仿真也得知NH3 和MO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38647517

  1. 显示/光电技术中的LED外延片介绍

  2. LED外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和SiC，Si）上，气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 　　外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。良品的外延片就要开始做电极（P极，N极），接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38691220

  1. 显示/光电技术中的浅谈LED晶粒/芯片制造流程

  2. 随着技术的发展，LED的效率有了非常大的进步。在不久的未来LED会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造LED晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（GaN）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气H2或氩气Ar等惰性气体作为载体之后，按照制程的要求就可以逐步把晶圆做好。接下来是对LED-PN结的两个电极进行加工，并对LED毛片进行减薄，划片。然后对毛片进行测试和分选，就可以得到所需的LED晶粒。具体的工艺做法，不作详细的说明。 　　下面简单介绍一下LED芯片生产

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：115712
    • 提供者：weixin_38693476

  1. 晶片键合在AlGaInP发光二极管中的应用

  2. (AlaGa1-x)0.5In0.5P高亮度发光二极管是在GaAs衬底上匹配外延的,它的外量子效率受限于吸收光线的GaAs衬底.LED晶片键合技术可以把LED外延片和GaP透明衬底、金属镜面衬底或蓝宝石衬底结合以提高出光效率.本文对上述三种晶片键合的器件制备过程和器件特点进行了描述.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38693506

  1. 基于激光光散射层貌术的蓝宝石内部缺陷检测系统

  2. 蓝宝石是制作发光二极管(LED)衬底的基本材料，其质量直接影响高亮度LED衬底的晶片制造成品率，对于棒状蓝宝石晶体内部缺陷的检测定位能极大地降低生产成本，提高成品率。针对蓝宝石衬底加工要求，在机器视觉技术的基础上，利用LabVIEW及NI公司的图像采集卡和数据采集卡搭建了一个基于激光光散射层貌术的蓝宝石内部缺陷检测定位系统。系统利用高强度的线状激光照射下缺陷产生的光散射效应对蓝宝石晶体进行逐层扫描和图像采集，运用图像增强、图像分割及图像提取等图像处理手段对采集到的图像进行缺陷提取和分析，实现了对

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38568548

  1. LED外延芯片工艺流程及晶片分类

  2. 近十几年来，为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED 及激光二级管LD 的应用无不说明了III-V 族元素所蕴藏的潜能。     在目前商品化LED 之材料及其外延技术中，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓GaAsP 材料为主。     一般来说，GaN 的成长须要很高的温度来打断NH3 之N-H 的键解，另外一方面由动力学仿真也得知NH3 和MO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：92160
    • 提供者：weixin_38632046

  1. 浅谈LED晶粒/芯片制造流程

  2. 随着技术的发展，LED的效率有了非常大的进步。在不久的未来LED会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造LED晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（GaN）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气H2或氩气Ar等惰性气体作为载体之后，按照制程的要求就可以逐步把晶圆做好。接下来是对LED-PN结的两个电极进行加工，并对LED毛片进行减薄，划片。然后对毛片进行测试和分选，就可以得到所需的LED晶粒。具体的工艺做法，不作详细的说明。 　　下面简单介绍一下LED芯片生产

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：136192
    • 提供者：weixin_38655682

  1. LED外延片介绍

  2. LED外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和SiC，Si）上，气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 　　外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。良品的外延片就要开始做电极（P极，N极），接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38723027

  1. LED发光二极管的多种形式封装结构及技术解析

  2. 1 引言 　　LED是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件，具有工作电压低，耗电量小，发光效率高，发光响应时间极短，光色纯，结构牢固，抗冲击，耐振动，性能稳定可靠，重量轻，体积小，成本低等一系列特性，发展突飞猛进，现已能批量生产整个可见光谱段各种颜色的高亮度、高性能产品。国产红、绿、橙、黄的LED产量约占世界总量的12％，“十五”期间的产业目标是达到年产300亿只的能力，实现超高亮度AiGslnP的LED外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度LED管芯，突破GaN材

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：161792
    • 提供者：weixin_38582793