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  1. SLC和MLC闪存芯片的区别

  2. SLC和MLC闪存芯片的区别，介绍的还比较详细，想了解的去下载

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-04-13
    • 文件大小：79872
    • 提供者：a123asd111

  1. U盘万能量产工具能自动识别多种U盘芯片

  2. UdTools1.0.2.9_20080325 1. 此版本量产工具为全新界面版本，与之前1220界面有较大的差异。 2. 此版本量产工具可以支持4GB以上容量的FLASH。 3. 此版本可以支持4k/page(50nm) FLASH加密。 4. 此版本暂不支持4k/page(50nm) FLASH双通道双贴，支持单通道双贴。 5. 新增了闪存容量分类标识功能，新增量产后信息查看功能。 6. 新增工厂设置中自动降级容量功能。 7.新增了winCE设备的支持，修正了部分车载MP3的支持。 8.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-07-09
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：abc515666266

  1. 芯片无忧 u盘芯片查询工具

  2. u盘芯片查询工具 逻辑盘符 : H:\ 此分区容量: 0.1G 设备ID : VID = 058F PID = 6387 设备序列号: 5FF99CC0 设备版本 : 8.00 设备制造商: Generic 设备型号 : Autorun Disk 当前协议 : USB2.0 输入电流 : 200mA 分区系统 : CDFS 是否激活 : 是 是否对齐 : 500 KB 已扇区对齐 芯片制造商: 安国(AlcorMP) 芯片型号 : AU6980/AU6983 量产帮助? 闪存颗粒 : 东芝(T

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2013-06-15
    • 文件大小：936960
    • 提供者：lixudongcom1

  1. 对固态SSD硬盘闪存芯片SLC、MLC、TLC方式的理解

  2. 本文主要谈了对固态SSD硬盘闪存芯片SLC、MLC、TLC方式的理解，希望对你的学习有所帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-22
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38697123

  1. 只要1元钱 小米随身Wi-Fi U盘版 内存8G

  2. 小米这次众测产品名为“小米随身Wi-Fi U盘版”，在原有随身Wi-Fi的基础上，加入了一块MLC闪存芯片，容量为8GB，让它直接化身一块U盘。其体验价仅为1元，但只有300个名额。最终售价会是19.9元这么给力吗

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-01
    • 文件大小：36864
    • 提供者：weixin_38605133

  1. 存储/缓存技术中的三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘

  2. 三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。 　　三星（Samsung）早在2015年8月就发布其256Gb的3位元多级单元（MLC） 3D V-NAND快闪存

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：601088
    • 提供者：weixin_38659248

  1. Micron推出新型34纳米高密度NAND产品降低芯片尺寸

  2. 美光科技有限公司（宣布使用其屡获殊荣的34纳米工艺技术大规模生产新型NAND闪存产品。随着消费者需要更高的容量以便在越来越小的便携式电子设备中存储更多的音乐、视频、照片及应用程序，制造商需要一种存储解决方案，以实现所需的容量、性能和尺寸。美光的新型16Gb和32Gb的NAND芯片兼具大容量与高性能，为满足当今苛刻的便携式存储需求提供了令人信服的解决方案，该解决方案专门为满足最终用户产品尺寸而量身定制。 　　新设计的32Gb多层单元（MLC）NAND闪存芯片比美光的第一代32Gb芯片小17%。其

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38677044

  1. 三星电子推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器

  2. 近日，三星电子(SAMSUNG)有限公司宣布推出业界首个20纳米级(nm)NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32Gb MLC NAND产品采用尖端技术，扩展三星电子公司的存储器卡解决方案,用于智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡。 　　与30纳米级MLC NAND相比，三星电子的20纳米级MLC NAND提高50%的生产水平。基于20纳米级、8GB和更高密度、SD卡的写入性能比30纳米级 NAND提高30%，器件提供10级额定速度(读取速度为20MB/s，写入

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38751177

  1. 采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略

  2. NAND闪存是一种高密度非易失性存储器，基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架构正变得日益复杂化。今天，单个8Gb密度SLC NAND闪存芯片的MOSFET数量就超过70万，这还未包括所有阵列器件在内；MLC约是SLC的1.5-2倍。图1显示了NAND功能块基本结构图，它通常是由I/O、低压(LV)系统、高压(LV)系统、控制逻辑和阵列5大部分组成。 　　I/O是芯片接口，包括高速I/O接口电路和ESD。 　　低压（LV）系统将

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：422912
    • 提供者：weixin_38680671

  1. M-Systems与东芝共推DiskOnChip闪存

  2. M-Systems与东芝半导体(Toshiba)共同宣布，两家公司将针对手机与消费性电子装置提供DiskOnChip架构的新一代嵌入式高密度快闪磁盘(Embedded Flash Drive，EFD)－DOC H3。DOC H3可让装置设计者通过Toshiba最新的“多层单元”(multi-level cell，MLC)NAND闪存产品与M-Systems内建于固体的TrueFFS快闪管理软件，整合符合成本效益的高密度嵌入式储存装置。 　　DOC H3采用70纳米工艺的MLC NAND闪存盘。T

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：44032
    • 提供者：weixin_38732454

  1. 慧荣科技USB2.0优盘控制芯片写入速度达24MBps

  2. 慧荣科技(Silicon Motion Technology)日前宣布推出目前业界速度最快、支持最多型态闪存的USB2.0优盘控制芯片——SM324与SM321E。SM324支持双信道传输，读取速度最高可达233X(35MB/sec)，写入高达160X(24MB/sec)；SM321E支持单信道传输，读取速度120X(18MB/sec)，写入超过90X(14MB/sec)。除了高效能外，SM324/321E对闪存的支持也堪称业界第一，包括三星(Samsung)、海力士(Hynix)、东芝(Tos

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：61440
    • 提供者：weixin_38526914

  1. 慧荣科技35Mbps USB控制芯片支持众多厂商闪存

  2. 慧荣科技(Silicon Motion Technology)日前推出据称业界速度最快、支持最多型态闪存的USB2.0控制芯片SM324与SM321E。SM324支持双信道传输，读取速度最高可达233X(35Mbps)，写入达160X(24MB/sec)；SM321E支持单信道传输，读取速度120X(18MB/sec)，写入超过90X(14MB/sec)。除了高效能外，SM324/321E支持三星 (Samsung)、海力士(Hynix)、东芝(Toshiba)、意法半导体(ST)的MLC与SL

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38621427

  1. ST推出市场上裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多电平单元NOR闪存

  2. 世界领先的手机闪存解决方案供应商意法半导体近日推出了一个采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术，65nm PR系列闪存的软硬件兼容现有的90nm PR系列NOR闪存，为客户升级现有系统提供了一条捷径，同时还提高了存储密度和产品性能。　　为满足移动应用市场对高分辨相机、多媒体内容和快速联网的需求，新的65nm PR系列闪存的突发读取速度达到133MHz，编程速度达到1.0-MB/s，支持深关断睡眠模式，采用1.8V电源电压。这个先进的NOR闪存系列产品与L

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38632006

  1. 东芝推出手机用大容量NAND闪存新产品

  2. 东芝公司日前宣布已经成功开发出用于手机的大容量NAND闪存新系列产品mobileLBA-NAND，可以在同一芯片中任意设定存放程序的双值区域（SLC）和保存数据用多值区域（MLC）。从8月份开始出货。   　　新产品是一种内置控制器的嵌入式存储器，增加了对应于双值和多值两种方式的独特控制的产品。在一种存储器芯片上，可以以任意容量设定适合于高速写入读取的双值存储区域以及提高每个器件的数据存储量的多值存储区域(关于双值存储区域，存储器容量在2Gb、4Gb、8Gb各种新产品可以根据用途，设定到各

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38648309

  1. ST推出小裸片1G/512M 65nm多电平单元NOR闪存

  2. ST推出采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术，65nm PR系列闪存的软硬件兼容现有的90nm PR系列NOR闪存，为客户升级现有系统提供了一条捷径，同时还提高了存储密度和产品性能。　　为满足移动应用市场对高分辨相机、多媒体内容和快速联网的需求，新的65nm PR系列闪存的突发读取速度达到133MHz，编程速度达到1.0-MB/s，支持深关断睡眠模式，采用1.8V电源电压。这个先进的NOR闪存系列产品与LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38522529

  1. 三星演示世界首款50nm 16GB NAND闪存

  2. 今日，三星公司对外宣布，他已经成功制造出世界上首款基于50nm工艺的16GB NAND闪存设备。该多层核心（MLC）的设计采用了一个4KB的页值，而非竞争产品中所采用的2KB。正因为此，新型设备的读速度比以2KB设计方式的设备要快一倍，写速度快50%。                                              三星50nm 16Gb NAND闪存芯片     当设计到计算机存储技术时，硬盘技术在性能上已经成为最慢的选择。三星等公司正在深入研究“闪速固态盘”（S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：100352
    • 提供者：weixin_38709511

  1. 擎泰研发之新一代combo快闪记忆卡控制芯片

  2. 擎泰科技(Skymedi)宣布其所研发之新一代SD 2.0/MMC 4.2的combo快闪记忆卡控制芯片──SK6621，以及USB2.0随身碟控制芯片──SK6281，在多层单元(Multi-Level Cell，MLC)闪存的支持与速度效能上皆有杰出的表现。 　　擎泰表示，目前其支持的SLC芯片可到Class6水平(新一代的高容量SDHC记忆卡，依速度分为Class2、4、6；其中Class6为最高等级)，其所支持的MLC芯片甚至可支持Class4的传输速度。 　　目前整个NAND型闪存产业

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：47104
    • 提供者：weixin_38658405

  1. ST推出低功耗双核USB2.0闪存驱动控制器

  2. 意法半导体(ST)公司近日推出用于高性能USB2.0闪存驱动的创新双核控制器——ST72681。这种器件用于提供所期望的设计灵活性和低成本，它采用基于ST7 8位微控制器(MCU)的先进架构，以及快速16位每指令一周期输入/输出处理器，该处理器专用于闪存接口，而Reed-Solomon纠错处理器用于MLC NAND闪存器件。 　　通过提供高性能，甚至在配合不同品牌NAND闪存时也是如此，这款新型双核控制器芯片是面向USB端口与闪存之间接口的完整低成本交钥匙解决方案，并有一套生产工具来配合它，其中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38596879

  1. 东芝推出手机用大容量NAND闪存新产品，可任意设定双值区域和多值区域

  2. 东芝公司日前宣布已经成功开发出用于手机的大容量NAND闪存新系列产品mobileLBA-NAND，可以在同一芯片中任意设定存放程序的双值区域（SLC）和保存数据用多值区域（MLC）。从8月份开始出货。       新产品是一种内置控制器的嵌入式存储器，增加了对应于双值和多值两种方式的独特控制的产品。在一种存储器芯片上，可以以任意容量设定适合于高速写入读取的双值存储区域以及提高每个器件的数据存储量的多值存储区域(关于双值存储区域，存储器容量在2Gb、4Gb、8Gb各种新产品可以根据用途，设定到

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38659374

  1. 一种基于MLC SSD 的异质感知的ECC设计方法

  2. 已有研究发现,同一闪存芯片上的页面在性能、可靠性和持久性方面都存在很大差异.这种页面之间的异质性结构为设计和实现固态盘提供了新的探索空间.该文利用这种异质性结构来设计灵活的纠错码(ECC)从而提高固态盘的性能并延长其寿命.实验结果表明,采用异质感知的ECC方案可以获得大约50%的性能改进和线性的寿命增长.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38616359
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