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搜索资源列表

  1. 模拟电子技术基础电子教案

  2. 《 模 拟 电 子 技 术 基 础 》 教学计划 2005.2.21～2005.6.10 周次 学时 内 容 作 业 思 考 题 复 习 备 注 1 2 绪论； 2.1 单管共射放大电路的组成和工作原理； （01） 1.〖2.1.1〗 2.〖2.1.2〗3.〖2.1.3〗 4.〖2.1.4〗 P118~P132 第2章15学时习题课2学时 2 4 2.2 放大电路的分析方法；2.3 频率 响应的基本概念及单管共射放大电路的频率响应特性 （02~03） 1.〖2.2.2〗 2.〖2.2.5〗3.

  3. 所属分类：Java

    • 发布日期：2009-05-23
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：qswsl

  1. L6561 功率因数校正器及其应用

  2. 1. 电感电流准连续模式APFC电源工作原理分析 APFC电源既要保持输出电压恒定，又要控制输入电流为正弦波，以获得高的功率因数，为了能方便地控制输入电流，APFC电源常采用boost电路。 L6561为一电流准连续模式（TM模式）的APFC控制芯片，即电感电流处于连续模式与断续模式的临界点。其工作原理如下：首先控制芯片生成一电感电流的参考信号，每一开关周期开始时MOS管导通，电感电流线性增加，然后将电感电流的检测信号与参考信号相比，当电感电流检测值等于电感电流参考值时，MOS管关断，电感电流

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-08-06
    • 文件大小：271360
    • 提供者：fortune666

  1. 现代半导体器件物理

  2. 《半导体器件物理》由浅入深、系统地介绍了常用半导体器件的工作原理和工作特性。 　　为便于读者自学和参考，《半导体器件物理》首先介绍了学习半导体器件必需的半导体材料和半导体物理的基本知识；然后重点论述了PN结、双极性三极管、MOS场效应管和结型场效应管的各项性能指标参数及其与半导体材料参数、工艺参数及器件几何结构参数的关系：最后简要讲述了常用的一些其他半导体器件(如功率MOSFET、IGBT和光电器件)的原理及应用。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-04-01
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：hh2513

  1. 低压差分信号接口系统的设计

  2. 本论文基于HJTC 0．35∥m CMOS数模混合工艺，研究工作主要包括LVDS的系统结 构、L、，DS基本模块电路的实现和L、，Ds接口系统仿真。系统结构部分主要讲述L~，DS标 准和技术参数、基本工作原理、体系结构及系统的设计，论文根据系统结构将L、，DS传送 电路分为五大模块：带隙基准、锁相环、8位串行化器、传送器和接收器。 设计完上述的模块后对L、，Ds接口系统和MOS管尺寸进行优化，并在输入信号速率 为1．OC卸s情况下应用ⅢTCO．35m CMOS混合信号工艺在CMellce Sp

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2012-04-29
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：hao1989han

  1. ewb multisim 仿真实例电路图全集

  2. 多年收集的ewb和multisim电子电路仿真实例文件，压缩后有50多兆。 文件列表 ├─仿真实验 │ 555.ms10 │ Circuit1.ms10 │ Circuit2.ms10 │ CLOCK.ms10 │ FileList.txt │ 实验2.ms10 │ 实验3-一阶有源低通滤电路.ms10 │ 实验3-减法运算电路.ms10 │ 实验3-反相加法运算电路.ms10 │ 实验3-反相比例运算电路.ms10 │ 实验3-反相积分运算电路.ms10 │ 实验3-微分运算电路.ms10

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-10-21
    • 文件大小：55574528
    • 提供者：freedom366

  1. 电子元器件综合知识大全

  2. 第一章 电子元器件 第一节、电阻器 1.1 电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻. 1.2 电阻器的英文缩写：R（Resistor） 及排阻RN 1.3 电阻器在电路符号： R 或 WWW 1.4 电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ）, 兆欧姆（MΩ） 1.5 电阻器的单位换算: 1兆欧=103千欧=106欧 1.6 电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。 表 1.7

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2018-07-24
    • 文件大小：673792
    • 提供者：chmkk

  1. N沟道和P沟道MOS管

  2. 本文档对NMOS和PMOS的原理及各项参数进行了详细的解析，对于学习MOS管的基本原理很有帮助。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-01-18
    • 文件大小：225280
    • 提供者：liengzcin8

  1. Mathcad-全桥变压器计算.xmcd

  2. Mathcad文件，开关电源全桥变压器的设计过程，填入基本输入、输出参数，自动完成计算。内容包括变压器匝比计算、占空比计算、MOS管和二极管的电压电流应力计算、原副边铜线/铜箔电流，以及电流密度计算等。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-04-16
    • 文件大小：192512
    • 提供者：qq_32701563

  1. 新手必看 L6562完全中文详细解释.pdf

  2. 新手必看 L6562完全中文详细解释pdf,新手必看 L6562完全中文详细解释压用来给芯片内供电,但是输出驱动M0STT是由vcc直接供电。另外,一个 苧隙电路产生一个精准的2.5V内部参考电压(2.5V+1%),用于环路控制,以此 来获得—一个稳定的调节。 在图片2中可以看到,一个欠电压锁死迟滞比较器,用来保证只有当输入电压足 够高,芯片才运行,以此保证芯片运行在可靠的条件下。 图片2.内部供电模块 UVLO REF D773 差分放大器和过压检测模(见图片3和4) 差分放大器(EA)的反向

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真.pdf

  2. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38744435

  1. 简易DC-DC系统设计方法.pdf

  2. 简易DC-DC系统设计方法pdf,本文以非隔离低压 Boost型DC-DC转换器为例，从最基本的设计指标出发，浅要阐述了元器件选型的依据，功率级传输函数的获得，电流模控制中电流环路的分析与设计方法，及闭环系统的稳定性分析。leehying126.com 5)功率开关管导通损耗,设其导通电阻为rs,流过其的电流均方值为i2bsm,则其产生的损耗为 6)功率管廾关损耗,包括三部分:导通时间内的电压电流交迭损耗、关断时间内的电压电流交迭 损耗和对功率NMOS漏极电容的充放电损耗,对应式(10)中从左到

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：505856
    • 提供者：weixin_38744153

  1. 常用于APFC的软开关BOOST电路的分析与仿真.pdf.pdf

  2. 常用于APFC的软开关BOOST电路的分析与仿真.pdfpdf,常用于APFC的软开关BOOST电路的分析与仿真.pdfamiem12nsn-81q1) 0 00 M tEl 从图上可以看到 1,MOS管在开通时,可以看到 miller效应在驱动信号上造成的平台。 2,当M管开通时,在MoS的漏极和二管上产生很大的尖峰电流 从仿真结果来看,的确存在我们前面分析的容性开通、反向恢复等问题。 那么软开关就能解决这个问题吗? 下面我们先推出今天的第一个软开关的例子 此电路是我以前分析一华为通信电源模块

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 关于mos管参数解读

  2. mos管基本参数 Coss：输出电容Coss=CDS+CGD。 Ciss：输入电容Ciss=CGD+CGS（CDS短路）。 Tf：下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。 Td（off）：关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其关断电压时10%的时刻。 Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻。 Td（on）：导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。 Qgd：栅漏充电（考虑到Miller效应）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38724106

  1. 有关mos管的参数解读

  2. mos管基本参数 Coss：输出电容Coss=CDS+CGD。 Ciss：输入电容Ciss=CGD+CGS（CDS短路）。 Tf：下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。 Td（off）：关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其关断电压时10%的时刻。 Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻。 Td（on）：导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。 Qgd：栅漏充电（考虑到Miller效应）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38727579

  1. 为何设计越小，峰值电流越大，有效值电流也越大

  2. 首先反激电源一般设计占空比时，我们一般是小于0.5的，大家都知道如果超过0.5必须要增加斜坡补偿。 那么开关电源在设计反激开关电源时，为何占空比都设计成0.45左右而不是更小？ 听得最多的是，占空比越大电源效率会越高，所以大家都是这样来设计的，实际上也是个这样的趋势，为什么？从原理上怎么解释？从公式上又怎样看出？ 我们一起来分析一下： 以反激DCM模式为例 首先开关电源中最影响效率的三个关键元器件为 1、mos管 2、变压器 3、输出整流二极管 当然还有其他元器件，但这三个占比

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：112640
    • 提供者：weixin_38574132

  1. RFID技术中的一种1V 2.4G CMOS 高线性度混频器

  2. 摘要：本文提出了一种低电压、高线性度CMOS射频混频器。在LC折叠式共源共栅结构中,通过并联一工作在弱反应区的辅助MOS管的方法来改善线性度。在1V的工作电压下,采用TSMC0.18μm射频CMOS工艺仿真表明,该方法在基本不影响混频器其它参数如增益、功耗、噪声的条件下IIP3提高了6dB。 　　1 引言 　　近年来，无线通讯系统如无绳电话、手机、无线局域网等，已经成为生活中不可缺少的 一部分。在这些射频收发机中，作为射频核心之一的混频器的性能直接影响整个收发机的性 能。随着无线通讯设备不断

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：295936
    • 提供者：weixin_38666753

  1. 元器件应用中的半导体基本器件

  2. 内容提要 【了解】半导体的相关知识 【熟悉】二极管（即PN结）的单向导电性及主要参数 【了解】三极管的电流放大原理 【熟悉】三极管输出特性曲线的三个工作区及条件和特点、主要参数 【了解】MOS管的工作原理、相应的三个工作区以及与三极管的性能区别 一．网上导学 二．典型例题 三．本章小结 四．习题答案 网上导学： *了解半导体基础相关知识：1.半导体(导电性能介于┉) ；2.本征半导体(纯净,晶体)、共价键(共用电子对)；热激发：自由电子-空穴对、载流子、复合、浓度(微量,温度影响) 与掺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：111616
    • 提供者：weixin_38677806

  1. MOS管的基本参数

  2. MOS管的基本参数，大家熟悉的必然是Ids电流，Ron导通电阻，Vgs的阈值电压，Cgs、Cgd、Cds这几项，然而在高速应用中，开关速度这个指标比较重要。 　　上图四项指标，项是导通延时时间，第二项是上升时间，第三项是关闭延时时间，第四项是下降时间。定义如下图： 　　在高速H桥应用中，MOS管内部的反向并联寄生二极管的响应速度指标Trr，也就是二极管的反向恢复时间这个指标很重要，否则容易炸机，下图为高速二极管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：131072
    • 提供者：weixin_38733875

  1. 一种1V 2.4G CMOS 高线性度混频器

  2. 摘要：本文提出了一种低电压、高线性度CMOS射频混频器。在LC折叠式共源共栅结构中,通过并联一工作在弱反应区的辅助MOS管的方法来改善线性度。在1V的工作电压下,采用TSMC0.18μm射频CMOS工艺仿真表明,该方法在基本不影响混频器其它参数如增益、功耗、噪声的条件下IIP3提高了6dB。 　　1 引言 　　近年来，无线通讯系统如无绳电话、手机、无线局域网等，已经成为生活中不可缺少的 一部分。在这些射频收发机中，作为射频之一的混频器的性能直接影响整个收发机的性 能。随着无线通讯设备不断向高

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：435200
    • 提供者：weixin_38577648