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  1. 双向可控硅BTA04技术参数

  2. The BTA/BTB04 T/D/S/A triac family are high performance glass passivated PNPN devices. These parts are suitables for general purpose applications where gate high sensitivity is required. Application on 4Q such as phase control and static switching.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2009-12-24
    • 文件大小：74752
    • 提供者：sunjc03

  1. PNPN Coupler

  2. 西门子PNPN Coupler，用于工业以态网组网，支持828D中PPU自动识别。

  3. 所属分类：系统集成

    • 发布日期：2013-12-05
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：u013058109

  1. 虹润 NHR-1100系列简易型单回路数字显示控制仪说明书.pdf

  2. 虹润 NHR-1100系列简易型单回路数字显示控制仪说明书pdf,虹润 NHR-1100系列简易型单回路数字显示控制仪说明书规格尺寸为A、B、C、D、E、H型仪表输入信号对应的短路环设置如下图 热电阻输入 直流电流输入 直沇电压输入 My/F/mA 1操作 仪表上电自检后,自动进入工作状态,在工作状态下,按四键进行参数设置 (1)长按國仪表复位 (2)在其它任何菜单下,长按键5秒冋到测量画面; ★返回工作状态 (1)手动返凹:在仪表参数设定模式下,按住￠键5秒后,仪表自动回到实时测量状态 (2)

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-20
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题，还讲解了关于面试的问题该如何解答，对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-10-12
    • 文件大小：664576
    • 提供者：fromnewword

  1. 单向可控硅充电电路图

  2. 单向可控硅工作原理 单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个电极，由四层半导体PNPN构成。单向可控硅有三个PN结，其内部结构与等效电路符号如图4-10所示。单相可控硅可等效看成一个PNP型三极管Vl和一个NPN型三极管V2组合而成，Vl基极和V2集电极相连，Vl集电极和V2基极相连，此连接处为可控硅控制极G，Vl的发射极为可控硅阳极A，V2的发射极为可控硅阴极K。可控硅没有触发前，阳极A和阴极K之间呈关断状态，可控硅被触发后阳极A和阴极K之间呈导通状态，电流从阳极A流向阴极K，其电路如下图所

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：114688
    • 提供者：weixin_38502510

  1. 简介一种新型的SCR移相触发电路

  2. 晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极； 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 　　随着大功率电力电子器件的发展，晶闸管得到了广泛的应用，晶闸管应用需要用触发电路，而且大多数是用三相触发电路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：361472
    • 提供者：weixin_38516386

  1. 基础电子中的光控晶闸管

  2. 光控晶闸管也称GK型光开关管，是一种光敏器件。 　　1．光控晶闸管的结构 　　通常晶闸管有三个电极：控制极G、阳极A和阴极C。而光控晶闸管由于其控制信号来自光的照射，没有必要再引出控制极，所以只有两个电极(阳极A和阴极C)。但它的结构与普通可控硅一样，是由四层PNPN器件构成。 　　此主题相关图片如下： 　　光控晶闸管的外形如图1（a）所示。其电路图形符号如图1(b)所示。 　　从外形上看，光控晶闸管亦有受光窗口，还有两条管脚和壳体，酷似光电二极管。 　　2．光控晶闸管的工作原理

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：98304
    • 提供者：weixin_38508821

  1. 基础电子中的门极可关断晶闸管-什么是门极关断晶闸管（可控硅）

  2. 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor—GTO）也是晶闸管（Thyristor）的一种派生器件，但可以通过在门极施加负脉冲使其关断，因而属于全控型器件；它和普通晶闸管一样，也是PNPN四层结构，外部引出三个极，阳极，阴极和门极；工作条件同普通晶闸管；其主要用于兆瓦级以上的大功率场合。 　　欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）  来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：25600
    • 提供者：weixin_38540782

  1. 基础电子中的什么叫单向可控硅（晶闸管）-单向双向可控硅（晶闸管）工作原理

  2. 一、什么叫单向可控硅(晶闸管)-:单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。 　　下为单向可控硅(晶闸管)结构示意及电路符号 　　二、双向晶闸管(可控硅)是什么:双向可控硅具有两个方向轮流导通、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38746574

  1. 基础电子中的单向双向可控硅（晶闸管）结构原理图

  2. 一、单向可控硅（晶闸管）结构原理：单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。 　　单向可控硅结构和电路符号图 　　二、双向可可控硅（晶闸管）结构原理：双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38640443

  1. 基础电子中的什么是光控晶闸管（可控硅）-光控晶闸管的结构工作原理和特性

  2. 光控晶闸管也称GK型光开关管，是一种光敏器件。 　　1．什么是光控晶闸管(可控硅)_光控晶闸管的结构 　　通常晶闸管有三个电极：控制极G、阳极A和阴极C。而光控晶闸管由于其控制信号来自光的照射，没有必要再引出控制极，所以只有两个电极(阳极A和阴极C)。但它的结构与普通可控硅一样，是由四层PNPN器件构成。 　　光控晶闸管的外形如图1（a）所示。其电路图形符号如图1(b)所示。 　　从外形上看，光控晶闸管亦有受光窗口，还有两条管脚和壳体，酷似光电二极管。 　　2．什么是光控晶

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38710198

  1. 场区寄生MOSFET

  2. 当互连铝线跨过场氧区B、C两个扩散区时，如果互连铝线电位足够高，可能使场区表面反型，形成寄生沟道，使本不应连通的有源区导通，造成工作电流泄漏，使器件电路性能变差，乃至失效。 预防措施： （1）增厚场氧厚度t’OX，使VTF，但需要增长场氧时间，对前部工序有影响，并将造成台阶陡峭，不利于布线。采用等平面工艺可以改善这些影响。 （2）对场区进行同型注入，提高衬底浓 度，使V’TF。但注意注入剂量不宜过高，以防止某些寄生电容增大，和击穿电压的下降。2.7.2 寄生双极型晶体管 2.7.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38748740

  1. LDMOS–SCR：HV应用中具有高ESD自保护能力的LDMOS的替代品

  2. 提出了用于SOI BCD技术的LDMOS–SCR器件的研究。 LDMOS–SCR与BCDCraft.io完全兼容，可以代替LDMOS作为高压输出驱动器。 通过比较LDMOS和另一种“ pnpn”类型的LDMOS-SCR，可以通过器件仿真和TLP测量来很好地讨论触发机制和ESD行为。 经验证，与LDMOS相比，LDMOS–SCR的ESD性能得到了极大的改善。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38632624

  1. High performance 1689-nm quantum well diode lasers

  2. 1689-nm diode lasers used in medical apparatus have been fabricated and characterized. The lasers had pnpn InP current confinement structure, and the active region consisted of 5 pairs of InGaAs quantum wells and InGaAsP barriers. Stripe width and ca

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：205824
    • 提供者：weixin_38715048

  1. GaAs/(GaAl)As PNPN异质结激光器

  2. 所属栏目：

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：877568
    • 提供者：weixin_38705014

  1. 低阈值GaAs/GaAlAs PNPN负阻激光器

  2. 收稿日期：--

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：412672
    • 提供者：weixin_38650629

  1. 单向晶闸管的基础常识

  2. 晶闸管（Thyristor）是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。单向晶闸管是其中的一种，通常也叫可控硅或整流元件，它既有单向导电的整流作用,又有可以控制的开关作用.利用它可用较小的功率控制较大的功率。以下内容，我们主要看看晶闸管有什么特性及作用。       单向晶闸管的特性及作用 　　单向晶闸管属于PNPN四层半导体器件，共有三个电极，即控制极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：91136
    • 提供者：weixin_38552083