IEC60664-3-2016低压系统内设备的绝缘配合第3部分用于污染防护的涂层、封装或模塑的使用EC60664-3:2016|EC2016
Figure 1- Scratch-resistance test for protecting layers
Figure C. 1-Configuration of the test specimen
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Figure C 2-Configuration of lands and adjacent conductors
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Table 1- Min
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z，适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗(<30V)应用。这些功率开关可在低至1.5V的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75%的RDS(ON)和降低66% 的热阻。FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飞兆半导体先进的PowerTrench技术，封装为2.0mm x 1.6mm SC-75，较3 x 3mm SSOT-
Fairchild推出两款MicroFET电源开关FDMJ1023PZ和FDFMJ2P23Z，可以用于低功耗（<30V）的应用，如充电、异步DC/DC以及负载开关中。这两款电源开关可以工作在低至1.5V的栅电压。通过利用Fairchild先进的PowerTrench技术，FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z封装为2.0mm x 1.6mm SC-75，比3 X 3mm SSOT-6小65％，比SC-70封装小20％。 这两个2.0mm x 1.6mm MicroFET电源开关的优
